Donor-based single electron pumps with tunable donor binding energy

Nano Letters

Volumn 12, Issue 2, 2012, Pages 763-768

  Lansbergen, G P ^a   Ono, Y ^a   Fujiwara, A ^a  

^a Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

Author keywords

arsenic; binding energy; nanowire; Single dopant; single electron pump

Indexed keywords

ARSENIC IMPLANTATION; SILICON NANOWIRES; SINGLE DOPANT; SINGLE ELECTRON; SINGLE-ELECTRON PUMP; TEMPERATURE DEPENDENT;

BINDING ENERGY; ELECTRIC FIELDS; NANOWIRES;

ARSENIC;

ARSENIC; NANOWIRE; SILICON;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRON; THERMODYNAMICS;

ARSENIC; ELECTRONS; NANOWIRES; SILICON; THERMODYNAMICS;

EID: 84856948686     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl203709d     Document Type: Article

References (34)

1. Asenov, A.; Brown, A.; Davies, J.; Kaya, S.; Slavcheva, G. IEEE Trans. Electron Devices 2003, 50, 1837-1852
2. Pierre, M.; Wacquez, R.; Jehl, X.; Sanquer, M.; Vinet, M.; Cueto, O. Nat. Nanotechnol. 2009, 5, 133-137
3. Koenraad, P.; Flatté, M. Nat. Mater. 2011, 10, 91-100
4. Kane, B. Nature 1998, 393, 133-138
5. Vrijen, R.; Yablonovitch, E.; Wang, K.; Jiang, H.; Balandin, A.; Roychowdhury, V.; Mor, T.; DiVincenzo, D. Phys. Rev. A 2000, 62, 012306
6. Klein, M.; Lansbergen, G.; Mol, J.; Rogge, S.; Levine, R.; Remacle, F. ChemPhysChem 2009, 10, 162-173
7. Mol, J.; Verduijn, J.; Levine, R.; Remacle, F.; Rogge, S. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2011, 108, 13969-13972
8. Sellier, H.; Lansbergen, G.; Caro, J.; Rogge, S.; Collaert, N.; Ferain, I.; Jurczak, M.; Biesemans, S. Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 206805
9. Calvet, L.; Wheeler, R.; Reed, M. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 96805
10. Ono, Y.; Nishiguchi, K.; Fujiwara, A.; Yamaguchi, H.; Inokawa, H.; Takahashi, Y. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 102106
11. Morello, A. Nature 2010, 467, 687-691
12. Shinada, T.; Okamoto, S.; Kobayashi, T.; Ohdomari, I. Nature 2005, 437, 1128-1131
13. Jamieson, D.; Yang, C.; Hopf, T.; Hearne, S.; Pakes, C.; Prawer, S.; Mitic, M.; Gauja, E.; Andresen, S.; Hudson, F.; Dzurak, A.; Clark, R. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 202101
14. Rueß, F.; Pok, W.; Reusch, T.; Butcher, M.; Goh, K.; Oberbeck, L.; Scappucci, G.; Hamilton, A.; Simmons, M. Small 2007, 3, 563-567
15. Mahapatra, S.; Buech, H.; Simmons, M. Nano Lett. 2011, 11, 4376-4381
16. Moraru, D.; Ono, Y.; Inokawa, H.; Tabe, M. Phys. Rev. B 2007, 76, 075332
17. Moraru, D.; Ligowski, M.; Yokoi, K.; Mizuno, T.; Tabe, M. Appl. Phys. Express 2009, 2, 071201-1
18. Pothier, H.; Lafarge, P.; Urbina, C.; Esteve, D.; Devoret, M. Europhys. Lett. 1992, 17, 249
19. Kouwenhoven, L.; Johnson, A.; Van der Vaart, N.; Harmans, C.; Foxon, C. Phys. Rev. Lett. 1991, 67, 1626-1629
20. Likharev, K. Proc. IEEE 1999, 87, 606-632
21. Nishiguchi, K.; Fujiwara, A. Nanotechnology 2009, 20, 175201
22. Piquemal, F.; Bounouh, A.; Devoille, L.; Feltin, N.; Thevenot, O.; Trapon, G. C. R. Phys. 2004, 5, 857-879
23. Fujiwara, A.; Zimmerman, N.; Ono, Y.; Takahashi, Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1323
24. Blumenthal, M.; Kaestner, B.; Li, L.; Giblin, S.; Janssen, T.; Pepper, M.; Anderson, D.; Jones, G.; Ritchie, D. Nat. Phys. 2007, 3, 343-347
25. Fujiwara, A.; Nishiguchi, K.; Ono, Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 042102
26. Rosencher, E.; Mosser, V.; Vincent, G. Phys. Rev. B 1984, 29, 1135
27. Maisi, V.; Pashkin, Y.; Kafanov, S.; Tsai, J.; Pekola, J. New J. Phys. 2009, 11, 113057
28. Lee, D.; Gupta, J. Science 2010, 330, 1807
29. Lansbergen, G.; Rahman, R.; Wellard, C.; Woo, I.; Caro, J.; Collaert, N.; Biesemans, S.; Klimeck, G.; Hollenberg, L.; Rogge, S. Nat. Phys. 2008, 4, 656-661
30. Lowney, J. J. Appl. Phys. 1988, 64, 4544-4548
31. Ono, Y.; Morizur, J.; Nishiguchi, K.; Takashina, K.; Yamaguchi, H.; Hiratsuka, K.; Horiguchi, S.; Inokawa, H.; Takahashi, Y. Phys. Rev. B 2006, 74, 235317
32. Lang, D. J. Appl. Phys. 1974, 45, 3023-3032
33. Ramdas, A.; Rodriguez, S. Rep. Prog. Phys. 1981, 44, 1297
34. Boggs, P.; Byrd, R.; Schnabel, R. SIAM J. Sci. Stat. Comput. 1987, 8, 1052