Surface dangling bond-mediated molecules doping of germanium nanowires

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 49, 2011, Pages 24293-24299

  Luo, Lin Bao ^a   Yang, Xiao Bao ^b   Liang, Feng Xia ^c   Jie, Jian Sheng ^a   Wu, Chun Yan ^a   Wang, Li ^a   Yu, Yong Qiang ^a   Zhu, Zhi Feng ^a  

^a HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^b SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^c CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA ADSORPTION; AMMONIA ATMOSPHERE; AMMONIA GAS; DONOR LEVELS; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; G-VALUES; GERMANIUM NANOWIRES; P-TYPE CONDUCTION; SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES; SPIN DENSITIES; SURFACE DANGLING BONDS;

AMMONIA; CARRIER MOBILITY; ELECTROSPINNING; GAS ADSORPTION; GERMANIUM; MAGNETIC MOMENTS; MOLECULES; NANOWIRES; SEMICONDUCTOR DOPING;

DANGLING BONDS;

EID: 83455213342     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp208708e     Document Type: Article

References (47)

1. Polyakov, B.; Daly, B.; Prikulis, J.; Lisauskas, V.; Vengalis, B.; Morris, M. A.; Holmes, J. D.; Erts, D. Adv. Mater. 2006, 18, 1812-1816
2. Kim, C. J.; Lee, H. S.; Cho, Y. J.; Kang, K.; Jo, M. H. Nano Lett. 2010, 10, 2043-2048
3. Park, J. H.; Kapur, P.; Saraswat, K. C.; Peng, H. L. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 143107
4. Greytak, A. B.; Lauhon, L. J.; Gudiksen, M. S.; Lieber, C. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4176-4178
5. Wang, D. W.; Wang, Q.; Javey, A.; Tu, R.; Dai, H. J.; Kim, H.; Mclntyre, P. C.; Krishnamohan, T.; Saraswat, K. C. Appl. Phys. Lett. 2003, 12, 2432-2434
6. Chan, C. K.; Candace, K.; Zhang, X. F.; Cui, Y. Nano Lett. 2008, 8, 307-309
7. Dileo, R. A.; Ganter, M. J.; Raffaelle, R. P.; Landi, B. J. J. Mater. Res. 2010, 25, 1441-1446
8. Ganguly, G.; Ikeda, T.; Nishimiya, T.; Saitoh, K.; Kondo, M.; Matsuda, A. Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 4224-4226
9. Gu, G.; Burghard, M.; Kim, G. T.; Dusberg, G. S.; Chiu, P. W.; Krstic, V.; Roth, S. J. Appl. Phys. 2001, 90, 5747-5751
10. Nguyen, P.; Ng, H. T.; Meyyappan, M. Adv. Mater. 2005, 17, 549-553
11. Jing, M. W.; Ni, M.; Song, W.; Lu, J.; Gao, Z. X.; Lai, L.; Mei, W. N.; Yu, D. P.; Ye, H. Q.; Wang, L. J. Phys. Chem. B. 2006, 110, 18332-18337
12. Wu, X. Y.; Kulkarni, J. S.; Collins, G.; Petkov, N.; Almecija, D.; Boland, J. J.; Erts, D.; Holmes, J. D. Chem. Mater. 2008, 20, 5954-5967
13. Giovine, E.; Notargiacomo, A.; Di, G. L.; Palange, E.; Evangelisti, F.; Leoni, R.; Castellano, G.; Torrioli, G.; Foglietti, V. Nanotechnology 2001, 12, 132-135
14. Liu, J. L.; Lu, Y.; Shi, Y.; Gu, S. L.; Jiang, R. L.; Wang, F.; Bu, H. M.; Zheng, Y. D. Phys. Status Solidi A 1998, 168, 441-446
15. Morales, A.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208-211
16. Kodambaka, S.; Tersoff, J.; Reuter, M. C.; Ross, F. M. Science 2007, 316, 729-732
17. Kamins, T. I.; Williams, R. S. Nano Lett. 2004, 4, 503-506
18. Li, C. B.; Usami, K.; Muraki, T.; Mizuta, H.; Oda, S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 041917
19. Meng, X. M.; Hu, J. Q.; Jiang, Y.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2241-2243
20. Fang, C.; Foll, H.; Carstensen, J. Nano Lett. 2006, 6, 1578-1580
21. Chockla, A. M.; Korgel, B. A. J. Mater. Chem. 2009, 19, 996-1001
22. Lin, L. W.; Tang, Y. H.; Chen, C. S.; Xu, H. F. CrysEngComm 2010, 12, 2975-2981
23. Luo, L. B.; Yang, X. B.; Liang, F. X.; Xu, H.; Zhao, Y.; Xie, X.; Zhang, W. F; Lee, S. T. J. Phys. Chem. C. 2011, 115, 18453-18458
24. Hochabum, A. I.; Chen, R. K.; Delgado, R. D.; Liang, W. J.; Gamett, E. C.; Najarian, M.; Majumdar, A.; Yang, P. D. Nature 2008, 451, 163-168
25. Jie, J. S.; Zhang, W. J.; Peng, K. Q.; Yuan, G. D.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3251-3257
26. Kuang, Q.; Lao, C. S.; Wang, Z. L.; Xie, Z. X.; Zheng, L. S. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 6070-6071
27. Luo, L. B.; Jie, J. S.; Zhang, W. F.; He, Z. B.; Wang, J. X.; Yuan, G. D.; Zhang, W. J.; Wu, L. C. M.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 193101
28. Wang, D. W.; Tu, R.; Zhang, L.; Dai, H. Angew. Chem., Int. Ed. 2005, 44, 2925-2929
29. Wang, D. W.; Chang, Y. L.; Wang, Q.; Cao, J.; Darmer, D. B.; Gordon, R. G.; Dai, H. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 11602-11611
30. Yan, C. Y.; Lee, P. S. J. Phys. Chem. B 2009, 113, 2208-2211
31. Das, K.; Chakraborty, A. K.; Nandagoswami, M. L.; Shingha, R. K.; Dhar, A.; Coleman, K. S.; Ray, S. K. J. Appl. Phys. 2007, 101, 074307
32. Li, L.; Fang, X. S.; Chew, H. G.; Zheng, F.; Liew, T. H.; Xu, X. J.; Zhang, Y. X.; Pan, S. S.; Li, G. H.; Zhang, L. D. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1080-1088
33. Chockla, A. M.; Korgel, B. A. J. Mater. Chem. 2009, 19, 996-1001
34. Hanrath, T.; Korgel, B. A. Small. 2005, 1, 717-721
35. Gerung, H.; Boyle, T. J.; Tribby, L. J.; Bunge, S. D.; Brinker, C. J.; Han, S. M. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 5244-5250
36. Chen, X. H.; Kim, M. H.; Zhang, X. Z.; Larson, C.; Yu, D. P.; Wodtke, A. M.; Moskovits, M. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 13797-13800
37. Song, H. S.; Zhang, W. J.; Yuan, G. D.; He, Z. B.; Zhang, W. F.; Tang, Y. B.; Luo, L. B.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 033117
38. Park, K. Y.; Lee, Y. W.; Lee, J. H.; Lim, S. W. Appl. Surf. Sci. 2008, 254, 4820-4828
39. Baumer, A.; Stutzmann, M.; Brandt, M. S.; Au, F. C. K.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 943-945
40. Brodsky, M. H.; Title, R. S. Phys. Rev. Lett. 1969, 23, 581-585
41. Walters, G. K.; Estle, T. L. J. Appl. Phys. 1961, 32, 1854-1928
42. Zhang, S. X.; Hemesath, E. R.; Perea, D. E.; Wijaya, E.; Lensch-Falk, J. L.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2009, 9, 3268-3274
43. Germanium-Based Technologies: From Materials To Devices; Claeys, C.,; Simon, E., Eds.; Elsevier: London, 2007.
44. Yuan, G. D.; Zhou, Y. B.; Guo, C. S.; Zhang, W. J.; Tang, Y. B.; Li, Y. Q.; Chen, Z. H.; He, Z. B.; Zhang, X. J.; Wang, P. F.; Bello, I.; Zhang, R. Q.; Lee, C. S.; Lee, S. T. ACS Nano 2010, 4, 3045-3052
45. Miranda-Duran, A.; Cartoixa, X.; Irisson, M. C.; Rurali, R. Nano Lett. 2010, 10, 3590-3595
46. Sankaran, K.; Pourtois, G.; Houssa, M.; Stesmans, A.; Caymax, M.; Heyns, M. M. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 184103
47. Lu, A. J.; Zhang, R. Q.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 203109