Diameter-dependent internal gain in ohmic Ge nanowire photodetectors

Nano Letters

Volumn 10, Issue 6, 2010, Pages 2043-2048

  Kim, Cheol Joo ^a   Lee, Hyun Seung ^a   Cho, Yong Jun ^a   Kang, Kibum ^a   Jo, Moon Ho ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

Ge semiconductor; Internal gain; Nanowire; Photoconductor

Indexed keywords

FIELD EFFECTS; GE SEMICONDUCTOR; HOLE CARRIERS; MODEL CALCULATIONS; PHOTOCARRIER; PHOTOCONDUCTION; SIZE EFFECTS; SURFACE-TRAPPED ELECTRONS;

IMAGING TECHNIQUES; NANOWIRES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTODETECTORS; PHOTOELECTRICITY;

GERMANIUM;

EID: 77953316523     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl100136b     Document Type: Article

References (25)

1. Bhattacharya, P. Semiconductor Optoelectronic Devices, 2nd ed.; Prentice Hall: Upper Saddle River, NJ, 1996.
2. Sze, S. M.; Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed.; Wiley: Hoboken, NJ, 2007.
3. Hanrath, T.; Korgel, B. A. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 5518-5524
4. Ahn, Y. H.; Dunning, J.; Park, J. Nano Lett. 2005, 5, 1367-1370
5. Gu, Y.; Kwak, E.-S.; Lensch, J. L.; Allen, J. E.; Odom, T. W.; Lauhon, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 87 043111
6. Gu, Y.; Romankiewicz, J. P.; David, J. K.; Lensch, J. L.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2006, 6, 948-952
7. Hayden, O.; Agarwal, R.; Lieber, C. M. Nat. Mater. 2006, 5, 352-356
8. Soci, C.; Zhang, A.; Xiang, B.; Dayeh, S. A.; Aplin, D. P. R.; Park, J.; Bao, X. Y.; Lo, Y. H.; Wang, D. Nano Lett. 2007, 7, 1003-1009
9. Ahn, Y. H.; Park, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 162102
10. Hayden, O.; Zheng, G.; Agarwal, P.; Lieber, C. M. Small 2007, 3, 2048-2052
11. Dayeh, S. A.; Yu, E. T.; Wang, D. Small 2009, 5, 77-81
12. Allen, J. E.; Hemesath, E. R.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2009, 9, 1903-1908
13. Léonard, F.; Talin, A. A.; Swartzentruber, B. S.; Picraux, S. T. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 106805
14. Allen, J. E.; Perea, D. E.; Hemesath, E. R.; Lauhon, L. J. Adv. Mater. 2009, 21, 3067-3072
15. Falk, A. L.; Koppens, F. H. L.; Yu, C. L.; Kang, K.; de Leon Snapp, N.; Akimov, A. V.; Jo, M. H.; Lukin, M. D.; Park, H. Nat. Phys. 2009, 5, 475-479
16. Xie, P.; Hu, Y.; Fang, Y.; Huang, J.; Lieber, C. M. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2009, 106, 15254-15258
17. Zhang, S.; Hemesath, E. R.; Perea, D. E.; Wijaya, E.; Lensch-Falk, J. L.; Lauhon, L. J. Nano Lett. 2009, 9, 3268-3274
18. Cao, L.; White, J. S.; Park, J.-S.; Schuller, J. A.; Clemens, B. M.; Brongersma, M. L. Nat. Mater. 2009, 8, 643-647
19. Calarco, R.; Marso, M.; Richter, T.; Aykanat, A. I.; Meijers, R.; Hart, A.v.d.; Stoica, T.; Lüth, H. Nano Lett. 2005, 5, 981-984
20. Jin, C. B.; Yang, J. E.; Jo, M. H. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 193105
21. Yang, J. E.; Jin, C. B.; Kim, C. J.; Jo, M. H. Nano Lett. 2006, 6, 2679-2684
22. Goucher, F. S. Phys. Rev. 1951, 81, 475
23. Brown, W. L. Phys. Rev. 1953, 91, 518-527
24. Kingston, R. H. J. Appl. Phys. 1956, 27, 101-114
25. Kingston, R. H.; McWhorter, A. L. Phys. Rev. 1956, 103, 534-540