Surface defects-induced p-type conduction of silicon nanowires

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 38, 2011, Pages 18453-18458

  Luo, Lin Bao ^a,b   Yang, Xiao Bao ^a,c   Liang, Feng Xia ^a   Xu, Hu ^a   Zhao, Yu ^a   Xie, Xing ^a   Zhang, Wen Feng ^a   Lee, Shuit Tong ^a  

^a CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

^c SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACCEPTOR LEVELS; CARBON SPECIES; DEFECT ENERGY; FIRST PRINCIPLE CALCULATIONS; FUNDAMENTAL PROPERTIES; I-V MEASUREMENTS; LOW TEMPERATURES; P-TYPE; P-TYPE CONDUCTION; SI WAFER; SILICON NANOWIRES; SPIN DENSITIES; SURFACE EFFECT; SURFACE STATE; THEORETICAL SIMULATION; WATER MOLECULE;

DANGLING BONDS; ELECTRIC PROPERTIES; HYDROGEN; MOLECULES; NANOWIRES; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON WAFERS; SURFACE PROPERTIES; TRANSPORT PROPERTIES;

SURFACE DEFECTS;

EID: 80053084928     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp205171j     Document Type: Article

References (49)

1. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; John Wiley & Sons: New York, 1981.
2. Cui, Y.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 851-853
3. Teo, B. K.; Sun, X. H. Chem. Rev. 2007, 107, 1454-1532
4. Baca, A. J.; Ahn, J. H.; Sun, Y. G.; Meitl, M. A.; Menard, E.; Kim, H. S.; Choi, W. M.; Kim, D. H.; Huang, Y.; Rogers, J. A. Angew. Chem., Int. Ed. 2008, 47, 5524-5542
5. Schmidt, V.; Wittermann, J. V.; Goesele, U. Chem. Rev. 2010, 110, 361-388
6. Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Au, F. C. K.; Tong, S. Y.; Lee, S. T. Science 2003, 299, 1874-1877
7. Hong, K. H.; Kim, J. S.; Lee, J. H.; Shin, J. W.; Chung, U. I. Nano Lett. 2010, 10, 1671-1676
8. Huang, Y.; Duan, X. F.; Cui, Y.; Lauhon, L. J.; Kim, K. H.; Lieber, C. M. Science 2001, 294, 1313-1317
9. Chan, C. K.; Peng, H. L.; Liu, G.; Mcllwrath, K.; Zhang, X. F.; Huggins, R. A.; Cui, Y. Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 31-35
10. Magasinski, A.; Dixon, P.; Hertzberg, B.; Kvit, A.; Ayala, J.; Yushin, G. Nat. Mater. 2010, 9, 353-358
11. Tian, B. Z.; Zheng, X. L.; Kempa, T. J.; Fang, Y.; Yu, N. F.; Yu, G. H.; Huang, J. L.; Lieber, C. M. Nature 2007, 449, 885-890
12. Peng, K. Q.; Wang, X.; Wu, X. L.; Lee, S. T. Nano Lett. 2009, 9, 3704-3709
13. Goodey, A. P.; Eichfeld, S. M.; Lew, K. K.; Redwing, J. M.; Mallouk, T. E. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12344-12345
14. Hochbaum, A. I.; Che, R. K.; Delgado, R. D.; Liang, W. J.; Garnett, E. C.; Najarian, M.; Majumdar, A.; Yang, P. D. Nature 2008, 451, 163-168
15. Boukai, A. I.; Bunimovich, Y.; Tahir-Khell, J.; Yu, J. K.; Goddard, W. A.; Heath, J. R. Nature 2008, 451, 168-171
16. Yang, C.; Barrelet, C. J.; Capasso, F.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2006, 6, 2929-2934
17. Zhang, A.; Kim, H. K.; Cheng, J.; Lo, Y. H. Nano Lett. 2010, 10, 2117-2120
18. Zhang, M. L.; Yi, C. Q.; Fan, X.; Peng, K. Q.; Wong, N. B.; Yang, M. S.; Zhang, R. Q.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 043116
19. Qiu, T.; Wu, X. L.; Shen, J. C.; Ha, P. C. T.; Chu, P. K. Nanotechnology 2006, 17, 5769-5772
20. Patolsky, F.; Zheng, G. F.; Lieber, C. M. Nat. Protoc. 2006, 1, 1711-1724
21. Cui, Y.; Zhong, Z. H.; Wang, D. L.; Wang, W. U.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 149-152
22. Haick, H.; Hurley, P. T.; Hochbaum, A. I.; Yang, P. D.; Levis, N. S. J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 8990-8991
23. Jie, J. S.; Zhang, W. J.; Peng, K. Q.; Yuan, G. D.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3251-3257
24. Guo, C. S.; Luo, L. B.; Yuan, G. D.; Yang, X. B.; Zhang, R. Q.; Zhang, W. J.; Lee, S. T. Angew. Chem., Int. Ed. 2009, 48, 9896-9990
25. Zhou, X. T.; Hu, J. Q.; Li, C. P.; Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2003, 369, 220-224
26. Lu, A. J.; Zhang, R. Q. Solid State Commun. 2008, 145, 275-278
27. Qi, W. H.; Lee, S. T. Chem. Phys. Lett. 2009, 483, 247-249
28. Zhang, M. L.; Peng, K. Q.; Fan, X.; Jie, J. S.; Zhang, R. Q.; Lee, S. T.; Wong, N. B. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 4444-4450
29. Luo, L. B.; Jie, J. S.; Zhang, W. F.; He, Z. B.; Wang, J. X.; Yuan, G. D.; Zhang, W. J.; Wu, L. C. M; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 193101
30. Huang, Z. P.; Fang, H.; Zhu, J. Adv. Mater. 2007, 19, 744-750
31. Cui, Y.; Duan, X. F.; Hu, J. T.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213-5216
32. Sun, X. H.; Wang, S. D.; Wong, N. B.; Ma, D. D. D.; Lee, S. T. Inorg. Chem. 2003, 42, 2398-2404
33. Chen, W. W.; Sun, X. H.; Wang, S. D.; Lee, S. T.; Teo, B. K. J. Phys. Chem. C 2005, 21, 10871-10879
34. Xiang, B.; Wang, P. W.; Zhang, X. Z.; Dayeh, S.; Aplin, D. P. R.; Soci, C.; Yu, D. P.; Wang, D. R. Nano Lett. 2007, 7, 323-328
35. Song, H. S.; Zhang, W. J.; Yuan, G. D.; He, Z. B.; Zhang, W. F.; Tang, Y. B.; Luo, L. B.; Lee, C. S.; Bello, I.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 033117
36. Barrett, N. T.; Renault, O.; Damlencourt, J. F.; Martin, M. J. J. Appl. Phys. 2004, 96, 6362-6369
37. Cerofolini, G. F.; Galati, C.; Renna, L. Surf. Interface Anal. 2003, 35, 968-973
38. Nucho, R. N.; Madhukar, A. Phys. Rev. B 1980, 21, 1576-1588
39. Wertz, J. E.; Bolton, J. R. Electron Spin Resonance: Elementary Theory and Practical Application; Chapman and Hall: New York, 1986.
40. Poindexter, E. H.; Caplan, P. J. J. Appl. Phys. 1981, 52, 879-884
41. Poindexter, E. H.; Caplan, P. J. J. Vac. Sci. Technol., A 1988, 6, 1352-1357
42. Baumer, A.; Stutzmann, M.; Brandt, M. S.; Au, F. C. K.; Lee, S. T. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 943-945
43. Park, J.; Ryu, B.; Moon, C.; Chang, K. J. Nano Lett. 2010, 10, 116-121
44. Hong, K.; Kim, J.; Lee, J. H.; Shin, J.; Chung, U. Nano Lett. 2010, 10, 1671-1676
45. Miranda-Duran, A.; Cartoixa, X.; Irisson, M. C.; Rurali, R. Nano Lett. 2010, 10, 3590-3595
46. Yuan, G. D.; Zhou, Y. B.; Guo, C. S.; Zhang, W. J.; Tang, Y. B.; Li, Y. Q.; Chen, Z. H.; He, Z. B.; Zhang, X. J.; Wang, P. F.; Bello, I.; Zhang, R. Q.; Lee, C. S.; Lee, S. T. ACS Nano 2010, 4, 3045-3052
47. Schmidt, V.; Wittemann, J. V.; Senz, S.; Gosele, U. Adv. Mater. 2009, 21, 2681-2702
48. Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles, 3 rd ed.; McGraw-Hill: Boston, 2003.
49. Bjork, M. T.; Schmid, H.; Hnoch, J.; Riel, H.; Riess, W. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 103-107