Reinforced self-assembled nanodielectrics for high-performance transparent thin film transistors

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 8, 2011, Pages 992-997

  Liu, Jun ^a   Hennek, Jonathan W ^a   Buchholz, D Bruce ^b   Ha, Young Geun ^a   Xie, Sujing ^b   Dravid, Vinayak P ^b   Chang, Robert P H ^b   Facchetti, Antonio ^a   Marks, Tobin J ^a  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b Northwestern University   (United States)

Author keywords

amorphous oxide; dielectric materials; hybrid materials; self assembly; transparent thin film transistors

Indexed keywords

AMORPHOUS FILMS; AMORPHOUS MATERIALS; CAPACITANCE; DIELECTRIC MATERIALS; HYBRID MATERIALS; OXIDE SEMICONDUCTORS; REINFORCEMENT; SAND; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING TIN COMPOUNDS; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; THIN FILM CIRCUITS; THIN FILMS; TIN COMPOUNDS;

AMORPHOUS OXIDES; FIELD-EFFECT MOBILITIES; LOW OPERATING VOLTAGE; PROTECTIVE LAYERS; SEMICONDUCTOR DEPOSITION; TRANSPARENT OXIDE SEMICONDUCTOR; TRANSPARENT TFTS; TRANSPARENT THIN FILM TRANSISTOR;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 79951838500     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201004198     Document Type: Article

References (48)

1. A. Facchetti, T. Marks,(Eds.) Transparent Electronics, Wiley-VCH, Weinheim, Germany 2010.
2. J. F. Wager, Science 2003, 300, 1245.
3. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Science 2003, 300, 1269.
4. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Nature 2004, 432, 488.
5. E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. Goncalves, A. Marques, L. Pereira, R. Martins, Thin Solid Films 2005, 487, 205.
6. T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, H. Hosono, J. Electroceram. 2006, 17, 267.
7. R. L. Hoffman, B. J. Norris, J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 733.
8. P. F. Carcia, R. S. McLean, M. H. Reilly, G. Nunes, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
9. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong, D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 013503.
10. W. B. Jackson, R. L. Hoffman, G. S. Herman, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 193503.
11. L. Wang, M. H. Yoon, G. Lu, Y. Yang, A. Facchetti, T. J. Marks, Nat. Mater. 2006, 5, 893.
12. A. Bashir, P. H. Wobkenberg, J. Smith, J. M. Ball, G. Adamopoulos, D. D. C. Bradley, T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 2009, 21, 2226.
13. H. S. Kim, M. G. Kim, Y. Q. Ha, M. G. Kanatzidis, T. J. Marks, A. Facchetti, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 10826.
14. P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, R. Martins, E. Fortunato, J. Electrochem. Soc. 2009, 156, H161.
15. D. Kim, C. Y. Koo, K. Song, Y. Jeong, J. Moon, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 103501.
16. M. S. Grover, P. A. Hersh, H. Q. Chiang, E. S. Kettenring, J. F. Wager, D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 2007, 40, 1335.
17. K. J. Saji, M. K. Jayaraj, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono, J. Electrochem. Soc. 2008, 155, H390.
18. D. H. Lee, Y. J. Chang, G. S. Herman, C. H. Chang, Adv. Mater. 2007, 19, 843.
19. D. H. Lee, S. Y. Han, G. S. Herman, C. H. Chang, J. Mater. Chem. 2009, 19, 3135.
20. D. B. Buchholz, J. Liu, T. J. Marks, M. Zhang, R. P. H. Chang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 2147.
21. M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 2005, 102, 4678.
22. A. Facchetti, M. H. Yoon, T. J. Marks, Adv. Mater. 2005, 17, 1705.
23. S. A. DiBenedetto, A. Facchetti, M. A. Ratner, T. J. Marks, Adv. Mater. 2009, 21, 1407.
24. S. Ju, K. Lee, M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, D. B. Janes, Nanotechnology 2007, 18, 155201.
25. S. Ju, J. Li, J. Liu, P.-C. Chen, Y.-g. Ha, F. Ishikawa, H. Chang, C. Zhou, A. Facchetti, D. B. Janes, T. J. Marks, Nano Lett. 2008, 8, 997.
26. S. Ju, K. Lee, D. B. Janes, R. C. Dwivedi, H. Baffour-Awuah, R. Wilkins, M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 073510.
27. J. Liu, D. B. Buchholz, R. P. H. Chang, T. J. Marks, unpublished observations.
28. S. A. DiBenedetto, D. Frattarelli, M. A. Ratner, A. Facchetti, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 7528.
29. D. B. Chrisey, G. K. Hubler, Pulsed Laser Deposition of Thin Films, John Wiley and Sons, New York 1994.
30. H. M. Christen, G. Eres, J. Phys.: Condens. Matter 2008, 20, 264005.
31. J. Cheung, J. Horwitz, MRS Bull. 1992, 17, 30.
32. M. N. R. Ashfold, F. Claeyssens, G. M. Fuge, S. J. Henley, Chem. Soc. Rev. 2004, 33, 23.
33. K. Okamura, D. Nikolova, N. Mechau, H. Hahn, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 183503.
34. M. Kimura, T. Nakanishi, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 133512.
35. K. Hoshino, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, IEEE T. Electron Dev. 2009, 56, 1365.
36. J. Nishii, A. Ohtomo, K. Ohtani, H. Ohno, M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2005, 44, L1193.
37. M. J. Panzer, C. R. Newman, C. D. Frisbie, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 103503.
38. D. K. Hwang, K. Lee, J. H. Kim, S. Im, J. H. Park, E. Kim, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 093507.
39. S. Ju, S. Kim, S. Mohammadi, D. B. Janes, Y.-G. Ha, A. Facchetti, T. J. Marks, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 02 2104.
40. S. Ju, P. Chen, C. Zhou, Y.-G. Ha, A. Facchetti, T. J. Marks, S. Kim, S. Mohammadi, D. B. Janes, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 243120.
41. K.-H. Seo, J.-H. Lee, J.-J. Kim, J. Electroceram. 2006, 17, 1057.
42. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Thin Solid Films 2005, 486, 38.
43. K. Nomura, A. Takagi, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2006, 45, 4303.
44. A. W. Metz, J. R. Ireland, J. Zheng, R. P. S. M. Lobo, Y. Yang, J. Ni, C. L. Stern, V. P. Dravid, N. Bontemps, C. R. Kannewurf, K. R. Poeppelmeier, T. J. Marks, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 8477.
45. T. Koida, M. Kondo, J. Appl. Phys. 2006, 99, 123703.
46. Y. Yang, Q. L. Huang, A. W. Metz, J. Ni, S. Jin, T. J. Marks, M. E. Madsen, A. DiVenere, S. T. Ho, Adv. Mater. 2004, 16, 321.
47. J. H. Na, M. Kitamura, Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 063501.
48. A. Sato, K. Abe, R. Hayashi, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 133502.