Characterizations of NiSi2-whisker defects in n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with 〈110〉 channel on Si(100)

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 12, 2010, Pages

  Yamaguchi, Tadashi ^a   Kashihara, Keiichiro ^a   Kudo, Shuichi ^a   Tsutsumi, Toshiaki ^a   Okudaira, Tomonori ^a   Maekawa, Kazuyoshi ^a   Hirose, Yukinori ^a   Asai, Koyu ^a   Yoneda, Masahiro ^b  

^a RENESAS TECHNOLOGY CORP   (Japan)

^b Renesas Semiconductor Engineering Corporation   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHANNEL REGION; EDGE DEFECTS; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; N-CHANNEL; NI ATOMS; NI SILICIDE; NICKEL DISILICIDE; NMOSFETS; PHYSICAL CHARACTERISTICS; SI (1 1 1); SI(1 0 0); SILICIDATION ANNEALING;

DIELECTRIC DEVICES; DRAIN CURRENT; ELECTRIC BREAKDOWN; FIELD EFFECT TRANSISTORS; ION BEAMS; LEAKAGE (FLUID); MOSFET DEVICES; NICKEL COMPOUNDS; SILICIDES; STACKING FAULTS;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 79551622301     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.126503     Document Type: Article

References (29)

1. T. Morimoto, T. Ohguro, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata, and H. Iwai: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 915.
2. F. Deng, R. A. Johnson, P. M. Asbeck, S. S. Lau, W. B. Dubbelday, T. Hsiao, and J. Woo: J. Appl. Phys. 81 (1997) 8047.
3. A. Lauwers, A. Steegen, M. D. Potter, R. Lindsay, A. Satta, H. Bender, and K. Maex: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2026.
4. S. Song, W. S. Kim, J. M. Ha, G. G. Lee, J.-H. Ku, H. S. Kim, C. S. Kim, C. J. Choi, T. H. Choe, J. Y. Yoo, W. S. Song, J. W. Park, S. H. Jeong, D. H. Baek, K. Fujihara, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 427.
5. A. Steegen, R. Mo, R. Mann, M.-C. Sun, M. Eller, G. Leake, D. Vietzke, A. Tilke, F. Guarin, A. Fischer, T. Pompl, G. Massey, A. Vayshenker, W. L. Tan, A. Ebert, W. Lin, W. Gao, J. Lian, J.-P. Kim, P. Wrschka, J.-H. Yang, A. Ajmera, R. Knoefler, Y.-W. The, F. Jamin, J. E. Park, K. Hooper, C. Griffin, P. Nguyen, V. Klee, V. Ku, C. Baiocco, G. Johnson, L. Tai, J. Benedict, S. Scheer, H. Zhuang, V. Ramanchandran, G. Matusiewicz, Y.-H. Lin, Y. K. Siew, F. Zhang, L. S. Leong, S. L. Liew, K. C. Park, K.-W. Lee, D. H. Hong, S.-M. Choi, E. Kaltalioglu, S. O. Kim, M. Naujok, M. Sherony, A. Cowley, A. Thomas, J. Sudijohno, T. Schiml, J.-H. Ku, and I. Yang: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 64.
6. Y. Y. Chiang, Y. L. Chang, T. Y. Hung, Y. W. Chen, C. C. Shieh, C. C. Huang, and S. F. Tzou: Proc. Advanced Metallization Conf., 2005, p. 193.
7. O. D. Patterson, H. H. Kang, J. Strane, C. Lavoie, K. Barth, X. Ouyang, and K. Wu: Proc. 33rd Int. Symp. Testing and Failure Analysis, 2007, p. 270.
8. T. Yamaguchi, K. Kashihara, T. Okudaira, T. Tsutsumi, K. Maekawa, T. Kosugi, N. Murata, J. Tsuchimoto, K. Shiga, K. Asai, and M. Yoneda: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 855.
9. T. Yamaguchi, K. Kashihara, S. Kudo, K. Hayashi, N. Hashikawa, T. Okudaira, T. Tsutsumi, K. Maekawa, H. Oda, K. Asai, and M. Kojima: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 066513.
10. K.-I. Goto, J. Watanabe, T. Sukegawa, A. Fushida, T. Sakuma, and T. Sugii: Proc. Int. Reliability Physics Symp., 1998, p. 363.
11. D. Z. Chi, W. D. Wang, S. J. Chua, and S. Ashok: J. Appl. Phys. 92 (2002) 7532.
12. T. Yamaguchi, K. Kashihara, T. Okudaira, T. Tsutsumi, K. Maekawa, N. Murata, J. Tsuchimoto, K. Asai, and M. Yoneda: IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) 206.
13. S. Kudo, Y. Hirose, N. Hashikawa, T. Yamaguchi, K. Kashihara, K. Maekawa, K. Asai, N. Murata, K. Asayama, and E. Murakami: Proc. Int. Reliability Physics Symp., 2008, p. 580.
14. K. Asayama, N. Hashikawa, T. Yamaguchi, S. Terada, and H. Mori: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L528.
15. D. Chin, S. Y. Oh, S. M. Hu, and R. W. Dutton: IEEE Trans. Electron Devices 30 (1983) 744.
16. A. Steegen, I. D. Wolf, and K. Maex: J. Appl. Phys. 86 (1999) 4290.
17. F. d'Heurle, C. S. Petersson, L. Stolt, and B. Stritzker: J. Appl. Phys. 53 (1982) 5678.
18. K. L. Saenger, J. P. de Souza, K. E. Fogel, J. A. Ott, C. Y. Sung, D. K. Sadana, and H. Yin: J. Appl. Phys. 101 (2007) 024908.
19. K. L. Saenger, K. E. Fogel, J. A. Ott, D. K. Sadana, and H. Yin: J. Appl. Phys. 101 (2007) 104908.
20. K. L. Saenger, K. E. Fogel, J. A. Ott, C. Y. Sung, D. K. Sadana, and H. Yin: J. Appl. Phys. 101 (2007) 084912.
21. N. G. Rudawski, K. N. Siebein, and S. Jones: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 082107.
22. L. Csepregi, J. W. Mayer, and T. W. Sigmon: Appl. Phys. Lett. 29 (1976) 92.
23. M. J. Aziz, P. C. Sabin, and G.-Q. Lu: Phys. Rev. B 44 (1991) 9812.
24. V. Teodorescu, L. Nistor, H. Bender, A. Steegen, A. Lauwers, K. Maex, and J. Van Landuyt: J. Appl. Phys. 90 (2001) 167.
25. A. Y. Kuznetsov, B. G. Svensson, O. Nur, and L. Hultman: J. Appl. Phys. 84 (1998) 6644.
26. F. H. Baumann and W. Schröter: Phys. Rev. B 43 (1991) 6510.
27. R. R. Kola, G. A. Rozgonyi, J. Li, W. B. Rogers, K. E. Bean, and K. Lindberg: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2108.
28. C. Hayzelden and J. L. Batstone: J. Appl. Phys. 73 (1993) 8279.
29. R. C. Cammarata, C. V. Thompson, and K. N. Tu: Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 1106.