Anomalous nickel silicide encroachment in n-channel metal-oxide- semiconductor field-effect transitors on Si(110) substrates and its suppression by si+ ion-implantation technique

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 48, Issue 6, 2009, Pages

  Yamaguchi, Tadashi ^a   Kashihara, Keiichiro ^a   Kudo, Shuichi ^a   Okudaira, Tomonori ^a   Tsutsumi, Toshiaki ^a   Maekawa, Kazuyoshi ^a   Asai, Koyu ^a   Kojima, Masayuki ^a  

^a RENESAS TECHNOLOGY CORP   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; FIELD-EFFECT; ION-IMPLANTATION; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR; N-CHANNEL; NI ATOMS; NICKEL SALICIDE; NICKEL SILICIDE; NICKEL SILICIDE ENCROACHMENT; NMOSFETS; OFF-STATE LEAKAGE CURRENT; SALICIDES; SELF-ALIGNED; SI(110); TRANSISTOR PERFORMANCE;

DIELECTRIC DEVICES; DRAIN CURRENT; ELECTRIC BREAKDOWN; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MOSFET DEVICES; NICKEL; NICKEL ALLOYS; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICIDES; SUBSTRATES;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 68649121694     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.48.066513     Document Type: Article

References (33)

1. T. Morimoto, T. Ohguro, H. S. Momose, T. Iinuma, I. Kunishima, K. Suguro, I. Katakabe, H. Nakajima, M. Tsuchiaki, M. Ono, Y. Katsumata, and H. Iwai: IEEE Trans. Electron Devices 42 (1995) 915.
2. F. Deng, R. A. Johnson, P. M. Asbeck, S. S. Lau, W. B. Dubbelday, T. Hsiao, and J. Woo: J. Appl. Phys. 81 (1997) 8047.
3. A. Lauwers, A. Steegen, M. D. Potter, R. Lindsay, A. Satta, H. Bender, and K. Maex: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2026.
4. S. Song, W. S. Kim, J. M. Ha, G. G. Lee, J. H. Ku, H. S. Kim, C. S. Kim, C. J. Choi, T. H. Choe, J. Y. Yoo, W. S. Song, J. W. Park, S. H. Jeong, D. H. Baek, K. Fujihira, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 427.
5. A. Steegen, R. Mo, R. Mann, M.-C. Sun, M. Eller, G. Leake, D. Vietzke, A. Tilke, F. Guarin, A. Fischer, T. Pompl, G. Massey, A. Vayshenker, W. L. Tan, A. Ebert, W. Lin, W. Gao, J. Lian, J.-P. Kim, P. Wrschka, J.-H. Yang, A. Ajmera, R. Knoefler, Y.-W. Teh, F. Jamin, J. E. Park, K. Hooper, C. Griffin, P. Nguyen, V. Klee, V. Ku, C. Baiocco, G. Johnson, L. Tai, J. Benedict, S. Scheer, H. Zhuang, V. Ramanchandran, G. Matusiewicz, Y.-H. Lin, Y. K. Siew, F. Zhang, L. S. Leong, S. L. Liew, K. C. Park, K.-W. Lee, D. H. Hong, S.-M. Choi, E. Kaltalioglu, S. O. Kim, M. Naujok, M. Sherony, A. Cowley, A. Thomas, J. Sudijohno, T. Schiml, J.-H. Ku, and I. Yang: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 69.
6. Y. Y. Chiang, Y. L. Chang, T. Y. Hung, Y. W. Chen, C. C. Shieh, C. C. Huang, and S. F. Tzou: Proc. Adv. Metallization Conf., 2005, p. 193.
7. T. Sato, Y. Takeishi, and H. Hara: Jpn. J. Appl. Phys. 8 (1969) 588.
8. C. Y. Sung, H. Yin, H. Y. Ng, K. L. Saenger, V. Chan, S. W. Crowder, J. Li, J. A. Ott, R. Bendernagel, J. J. Kempisty, V. Ku, H. K. Lee, Z. Luo, A. Madan, R. T. Mo, P. Y. Nguyen, G. Pfeiffer, M. Raccioppo, N. Rovedo, D. Sadana, J. P. Souza, R. Zhang, Z. Ren, and C. H. Wann: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 235.
9. T. Y. Yin, C. Y. Sung, H. Ng, K. L. Saenger, V. Chen, S. Crowder, R. Zhang, J. Li, J. A. Ott, G. Pfeiffer, R. Bendernagel, S. B. Ko, Z. Ren, X. Chen, G. Wang, J. Liu, K. Cheng, A. Mesfin, R. Kelly, V. Ku, Z. J. Luo, N. Rovedo, K. Fogel, D. K. Sadana, M. Khare, and G. Shahidi: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 75.
10. H. Yin, C. Y. Sung, K. L. Saenger, M. Hamaguchi, R. Hasumi, K. Ohuchi, H. Ng, R. Zhang, K. J. Stein, T. A. Wallner, J. Li, J. A. Ott, X. Chen, Z. J. Luo, N. Rovedo, K. Fogel, G. Pfeiffer, R. Kleinhenz, R. Bendernagel, D. K. Sadana, M. Takayanagi, K. Ishimaru, S. W. Crowder, D. Park, M. Khare, and G. Shahidi: Symp. VLSI Technology Dig., 2007, p. 222.
11. H. S. Momose, T. Ohguro, K. Kojima, S. Nakamura, and Y. Toyoshima: Symp. VLSI Technology Dig., 2002, p. 156.
12. A. Teramoto, T. Hamada, H. Akahori, K. Nii, T. Suwa, K. Kotani, M. Hirayama, S. Sugawa, and T. Ohmi: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 801.
13. T. Mizuno, T. Irisawa, N. Hirashita, Y. Moriyama, T. Numata, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 453.
14. T. Irisawa, T. Numata, T. Tezuka, N. Sugiyama, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 457.
15. T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, Y. Moriyama, S. Nakaharai, and S. Takagi: Symp. VLSI Technology Dig., 2003, p. 97.
16. K. Uchida, A. Kinoshita, and M. Saitoh: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1019.
17. H. R. Harris, S. E. Thompson, S. Krishnan, P. Kirsch, P. Majhi, C. E. Smith, M. M. Hussain, G. Sun, H. Adhikari, S. Suthram, B. H. Lee, H.-H. Tseng, and R. Jammy: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 57.
18. D. Deduytsche, C. Detavernier, R. L. V. Meirhaeghe, and C. Lavoie: J. Appl. Phys. 98 (2005) 033526.
19. M. Tsuchiaki, K. Ohuchi, and C. Hongo: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5166.
20. V. Teodorescu, L. Nistor, H. Bender, A. Steegen, A. Lauwers, K. Maex, and J. V. Landuyt: J. Appl. Phys. 90 (2001) 167.
21. T. Yamaguchi, K. Kashihara, T. Okudaira, T. Tsutsumi, K. Maekawa, T. Kosugi, N. Murata, J. Tsuchimoto, K. Shiga, K. Asai, and M. Yoneda: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 855.
22. F. d'Heurle, C. S. Petersson, J. E. E. Baglin, S. J. L. Place, and C. Y. Wong: J. Appl. Phys. 55 (1984) 4208.
23. S. Yamaguchi, M. Hirai, M. Kusaka, M. Iwami, H. Nakamura, Y. Yokota, A. Akiyama, and H. Watabe: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3237.
24. J. C. Ciccariello, S. Poize, and P. Gas: J. Appl. Phys. 67 (1990) 3315.
25. J. O. Olowolafe, M.-A. Nicolet, and J. W. Mayer: Thin Solid Films 38 (1976) 143.
26. M. Tsuchiaki and A. Nishiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 1830.
27. M. Tsuchiaki and A. Nishiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2388.
28. T. Kuratomi, K. Tanaka, D. Diehl, S.-E. Phan, X. Lu, D. Or, J. Lei, G. Lai, K. Lavu, C. Jiang, K. Moraes, C.-T. Kao, T. Futase, and K. Maekawa: Proc. Adv. Metallization Conf., 2006, p. 611.
29. I. Ono, M. Yoshimura, and K. Ueda: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 7155.
30. S. Kudo, Y. Hirose, N. Hashikawa, T. Yamaguchi, K. Kashihara, K. Maekawa, K. Asai, N. Murata, K. Asayama, and E. Murakami: Proc. Int. Reliability Physics Symp., 2008, p. 580.
31. Y.-B. Kim, M. R. Baklanov, T. Conard, M. Potter, and S. Vanhaeleemeersch: J. Electrochem. Soc. 146 (1999) 1549.
32. T. Kimura, K. Kugimiya, T. Ohchi, K. Fuke, T. Kataoka, T. Tatsumi, and Y. Kamide: J. Vac. Sci. Technol. A 25 (2007) 1068.
33. D.-S. Wen, P. Smith, C. M. Osburn, and G. A. Rozgonyi: J. Electrochem. Soc. 136 (1989) 466.