Covalent anchoring of Re6Sei 8 cluster cores monolayers on modified n-and p-type Si(111) surfaces: Effect of coverage on electronic properties

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 114, Issue 43, 2010, Pages 18622-18633

  Cordier, Stéphane ^a   Fabre, Bruno ^a   Molard, Yann ^a   Fadjie Djomkam, Alain Bruno ^b   Tournerie, Nicolas ^a   Ledneva, Alexandra ^c   Naumov, Nikolaï G ^c   Moreac, Alain ^b   Turban, Pascal ^b   Tricot, Sylvain ^b   Ababou Girard, Soraya ^b   Godet, Christian ^b  

^a UNIVERSITÉ DE RENNES 1   (France)

^b UNIVERSITÉ DE RENNES 1   (France)

^c NIKOLAEV INSTITUTE OF INORGANIC CHEMISTRY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BIAS VOLTAGE; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRONIC PROPERTIES; ENERGY GAP; IONIZATION POTENTIAL; MOLECULAR ORBITALS; MONOLAYERS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; REDOX REACTIONS; RHENIUM COMPOUNDS; SCANNING TUNNELING MICROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTOR METAL BOUNDARIES; SPECTROSCOPIC ANALYSIS; SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY; TRANSITION METALS;

ENERGY LEVEL ALIGNMENT; LOWEST UNOCCUPIED MOLECULAR ORBITAL; ORGANIC/INORGANIC INTERFACES; SCANNING TUNNELLING SPECTROSCOPY; SCHOTTKY BARRIER HEIGHTS; TRANSITION-METAL CLUSTERS; ULTRAVIOLET PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY; X-RAY PHOTOEMISSIONS;

SELENIUM COMPOUNDS;

EID: 78650321159     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp1071007     Document Type: Article

References (69)

1. Selby, H. D.; Roland, B. K.; Zheng, Z. Acc. Chem. Res. 2003, 36, 933-944.
2. Gabriel, J.-C. P.; Boubekeur, K.; Uriel, S.; Batail, P. Chem. Rev. 2001, 101, 2037-2066.
3. Prokopuk, N.; Shriver, D. F. Adv. Inorg. Chem. 1999, 46, 1-49.
4. Cordier, S.; Kirakci, K.; Méry, D.; Perrin, C.; Astruc, D. Inorg. Chim. Acta 2006, 359, 1705-1709.
5. Hughbanks, T.; Hoffmann, R. J. Am. Chem. Soc. 1983, 105, 1150-1162.
6. Ramirez-Tagle, R.; Arratia-Perez, R. Chem. Phys. Lett. 2008, 460, 438-441.
7. Golden, J. H.; Deng, H.; DiSalvo, F. J.; Fréchet, J. M. Science 1995, 268, 1463-1466.
8. Roland, B. K.; Flora, W. H.; Carducci, M. D.; Armstrong, N. R.; Zheng, Z. J. Cluster Sci. 2003, 14, 449-458.
9. Prokopuk, N.; Weinert, S.; Siska, D. P.; Stern, C. L.; Shriver, D. F. Angew. Chem., Int. Ed. 2000, 39, 3312.
10. Méry, D.; Plault, L.; Ornelas, C.; Ruiz, J.; Nlate, S.; Astruc, D.; Blais, J.-C.; Rodrigues, J.; Cordier, S.; Kirakci, K.; Perrin, C. Inorg. Chem. 2006, 45, 1156-1167.
11. Szczepura, L.; Ketcham, K. A.; Ooro, B. A.; Edwards, J. A.; Templeton, J. N.; Cedeno, D. L.; Jircitano, A. J. Inorg. Chem. 2008, 47, 7271-7278.
12. Chen, Z. N.; Yoshimura, T.; Abe, M.; Sasaki, Y.; Ishizaka, S.; Kim, H. B.; Kitamura, N. Angew. Chem., Int. Ed. 2001, 40, 239-242.
13. Baudron, S. A.; Batail, P.; Coulon, C.; Clérac, R.; Canadell, E.; Laukhin, V.; Melzi, R.; Wzietek, V.; Jérome, D.; Auban-Senzier, P.; Ravy, S. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 11785-11797.
14. Shestopalov, M. A.; Cordier, S.; Hernandez, O.; Molard, Y.; Perrin, C.; Perrin, A.; Fedorov, V. E.; Mironov, Y. V. Inorg. Chem. 2009, 48, 1482-1489.
15. Prabusankar, G.; Molard, Y.; Cordier, S.; Golhen, S.; Le Gal, Y.; Perrin, C.; Kalal, S.; Halet, J. F.; Ouahab, L. Eur. J. Inorg. Chem. 2009, 14, 2153-2161.
16. Grasset, F.; Dorson, F.; Cordier, S.; Molard, Y.; Perrin, C.; Marie, A.-M.; Sasaki, T.; Haneda, H.; Mortier, M. Adv. Mater. 2008, 20, 143-148.
17. Grasset, F.; Molard, Y.; Cordier, S.; Dorson, F.; Mortier, M.; Perrin, C.; Guilloux-Viry, M.; Sasaki, T.; Haneda, H. Adv. Mater. 2008, 20, 1710-1715.
18. Grasset, F.; Dorson, F.; Molard, Y.; Cordier, S.; Demange, V.; Perrin, C.; Marchi-Artzner, V.; Haneda, H. Chem. Commun. 2008, 4729-4731.
19. Molard, Y.; Dorson, F.; Brylev, K. A.; Shestopalov, M. A.; Le Gal, Y.; Cordier, S.; Mironov, Y. V.; Kitamura, N.; Perrin, C. Chem.-Eur. J. 2010, 16, 5613-5619.
20. Molard, Y.; Dorson, F.; Circu, V.; Roisnel, T.; Artzner, F.; Cordier, S. Angew. Chem., Int. Ed. 2010, 49, 3351-3355.
21. Strother, T.; Cai, W.; Zhao, X.; Hamers, R. J.; Smith, L. M. J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 1205-1209.
22. Härtl, A.; Schmich, E.; Garrido, J. A.; Hernando, J.; Catharino, S. C. R.; Walter, S.; Feulner, P.; Kromka, A.; Steinmuller, D.; Stutzmann, M. Nat. Mater. 2004, 3, 736-742.
23. Boecking, T.; Kilian, K. A.; Hanley, T.; Ilyas, S.; Gaus, K.; Gal, M.; Gooding, J. J. Langmuir 2005, 21, 10522-10529.
24. de Smet, L. C. P. M.; Pukin, A. V.; Sun, Q. Y.; Eves, B. J.; Lopinski, G. P.; Visser, G. M.; Zuilhof, H.; Sudhölter, E. J. R. Appl. Surf. Sci. 2005, 252, 24-30.
25. Joachim, C.; Gimzewski, J. K.; Aviram, A. Nature 2000, 408, 541-548.
26. Molecular Electronics; Jortner, J., Ratner, M. A., Eds.; Blackwell: Oxford, 1997.
27. Cahen, D.; Hodes, G. Adv. Mater. 2002, 4, 789-798.
28. Cahen, D.; Kahn, A.; Umbach, E. Mater. Today 2005, 32-41.
29. Aswal, D. K.; Lenfant, S.; Guerin, D.; Yakhmi, J. V.; Vuillaume, D. Anal. Chim. Acta 2006, 568, 84-108.
30. Yaffe, O.; Scheres, L.; Puniredd, S. R.; Stein, N.; Biller, A.; Lavan, R. H.; Shpaisman, H.; Zuilhof, H.; Haick, H.; Cahen, D.; Vilan, A. Nano Lett. 2009, 9, 2390-2394.
31. Ababou-Girard, S.; Cordier, S.; Fabre, B.; Molard, Y.; Perrin, C. ChemPhysChem 2007, 8, 2086-2090.
32. Fabre, B.; Cordier, S.; Molard, Y.; Perrin, C.; Ababou-Girard, S.; Godet, C. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 17437-17446.
33. Dorson, F.; Molard, Y.; Cordier, S.; Fabre, B.; Efremova, O.; Rondeau, D.; Mironov, Y. V.; Circu, V.; Naumov, N. G.; Perrin, C. Dalton Trans. 2009, 1297-1299.
34. Yarovoi, S. S.; Mironov, Y. V.; Naumov, D. Y.; Gatilov, Y. V.; Kozlova, S. G.; Kim, S. J.; Fedorov, V. E. Eur. J. Inorg. Chem. 2005, 3945-3949.
35. Wade, C. P.; Chidsey, C. E. D. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 1679-1682.
36. Faucheux, A.; Gouget-Laemmel, A. C.; Henry de Villeneuve, C.; Boukherroub, R.; Ozanam, F.; Allongue, P.; Chazalviel, J. N. Langmuir 2006, 22, 153-162.
37. Mitchell, S. A.; Ward, T. R.; Wayner, D. D. M.; Lopinski, G. P. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 9873-9882.
38. Boukherroub, R.; Petit, A.; Loupy, A.; Chazalviel, J. N.; Ozanam, F. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 13459-13462.
39. Boukherroub, R.; Wojtyk, J. T. C.; Wayner, D. D. M.; Lockwood, D. J. J. Electrochem. Soc. 2002, 149, H59-H63.
40. Voicu, R.; Boukherroub, R.; Bartzoka, V.; Ward, T.; Wojtyk, J. T. C.; Wayner, D. D. M. Langmuir 2004, 20, 11713-11720.
41. Perring, M.; Dutta, S.; Arafat, S.; Mitchell, M.; Kenis, P. J. A.; Bowden, N. B. Langmuir 2005, 21, 10537-10544.
42. Fabre, B.; Ababou-Girard, S.; Solal, F. J. Mater. Chem. 2005, 15, 2575-2582.
43. Asanuma, H.; Lopinski, G. P.; Yu, H. Z. Langmuir 2005, 21, 5013-5018.
44. Faucheux, A.; Gouget-Laemmel, A. C.; Henry de Villeneuve, C.; Boukherroub, R.; Ozanam, F.; Allongue, P.; Chazalviel, J. N. Langmuir 2006, 22, 153-162.
45. Sze, S. M. The Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed.; Wiley: New York, 1981.
46. Simmons, J. G. J. Appl. Phys. 1963, 34, 2581-2590.
47. Simmons, J. G. J. Appl. Phys. 1964, 34, 2655-2658.
48. Selzer, Y.; Salomon, A.; Cahen, D. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 2886-2887.
49. Salomon, A.; Boecking, T.; Seitz, O.; Markus, T.; Amy, F.; Chan, C. K.; Zhao, W.; Cahen, D.; Kahn, A. Adv. Mater. 2007, 19, 445-450.
50. Engelkes, V. B.; Beebe, J. M.; Frisbie, C. D. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 14287-14298.
51. Wang, G.; Kim, T. W.; Jang, Y. H.; Lee, T. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 13010-13016.
52. Schoonover, J. R.; Zietlow, T. C.; Clark, D. L.; Heppert, J. A.; Chisholm, M. H.; Gray, H. B.; Sattelberger, A. P.; Woodruff, W. H. Inorg. Chem. 1996, 35, 6606-6613.
53. Gray, T. G.; Rudzinski, C. M.; Meyer, E. E.; Holm, R. H.; Nocera, D. G. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 4755-4770.
54. Canham, L. T. Appl. Phys. Lett. 1990, 57, 1046-1048.
55. Biro, L. P.; Lazarescu, S.; Lambin, Ph.; Thiry, P. A.; Fonseca, A.; Nagy, J. B.; Lucas, A. A. Phys. Rev. 1997, B56, 12490-12498.
56. Cicero, R. L.; Linford, M. R.; Chidsey, C. E. D. Langmuir 2000, 16, 5688-5695.
57. Powell, C. J.; Jablonski, A. NIST Electron Effective Attenuation Length Database; National Institute of Standards and Technology: Gaithersburg, MD, 2001.
58. Himpsel, F. J.; Hollinger, G.; Pollak, R. A. Phys. Rev. 1983, B28, 7014-7018.
59. Shpaisman, H.; Salomon, E.; Nesher, G.; Vilan, A.; Cohen, H.; Kahn, A.; Cahen, D. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 3313-3321.
60. Häming, M.; Zieoff, J.; Salomon, E.; Seitz, O.; Cahen, D.; Kahn, A.; Schöll, A.; Reinert, F.; Umbach, E. Phys. Rev. 2009, B79, 155418.
61. Segev, L.; Salomon, A.; Natan, A.; Cahen, D.; Kronik, L.; Fabrice, A.; Chan, C. K.; Kahn, A. Phys. Rev. 2006, B74, 165323.
62. Amy, F.; Chan, C. K.; Zhai, W.; Hyung, J.; Kahn, A. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 21826-21832.
63. Cahen, D.; Kahn, A. Adv. Mater. 2003, 15, 271-277.
64. He, T.; Ding, H.; Peor, N.; Lu, M.; Corley, D. A.; Chen, B.; Ofir, Y.; Gao, Y.; Yitzchaik, S.; Tour, J. M. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 1699-1710.
65. Zhang, X. G. Electrochemistry of silicon and its oxide; Kluwer Academic: New York, 2001.
66. Bard, A. J.; Faulkner, L. R. Electrochemical Methods. Fundamentals and Applications; Wiley: New York, 1980; p 522.
67. Koval, C. A.; Howard, J. N. Chem. Rev. 1992, 92, 411-433.
68. Faber, E. J.; de Smet, L. C. P. M.; Olthuis, W.; Zuilhof, H.; Sudholter, E. J. R.; Bergveld, P.; van den Berg, A. ChemPhysChem 2005, 6, 2153-2166.
69. Seitz, O.; Boecking, T.; Salomon, A.; Gooding, J. J.; Cahen, D. Langmuir 2006, 22, 6915-6922.