Trench sidewall elimination effect on line-to-line leakage current in scalable porous silica (k = 2.1)/Cu interconnect structure

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 5 PART 3, 2010, Pages

  Gawase, Akifumi ^a   Chikaki, Shinichi ^a   Nakamura, Naofumi ^a   Soda, Eiichi ^a   Oda, Noriaki ^a   Saito, Shuichi ^a  

^a SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRITICAL ISSUES; CU INTERCONNECT; FABRICATION PROCESS; FORMATION PROCESS; LOW-K FILMS; MOISTURE DIFFUSION; POROUS SILICA; SHRINKING DEVICES; TRENCH SIDEWALLS; UPPER LAYER; WIRING CAPACITANCE;

SILICA;

DEGRADATION;

EID: 77953154780     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.05FD02     Document Type: Article

References (25)

1. N. Aoi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1355.
2. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya: J. Appl. Phys. 93 (2003) 8793.
3. T. Watanabe, Y. Hayashi, H. Tomizawa, T. Usui, A. Gawase, M. Shimada, K. Watanabe, and H. Shibata: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2008, p. 208.
4. N. Oda, S. Ito, T. Takewaki, K. Shiba, H. Kunishima, N. Hironaga, I. Honma, H. Nanba, S. Yokogawa, A. Kameyama, T. Goto, T. Usami, K. Ohto, A. Kubo, M. Suzuki, Y. Yamamoto, S. Watanabe, K. Yamada, M. Ikeda, K. Ueno, and T. Horiuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 954.
5. K. Yamada, Y. Oku, N. Hata, S. Takada, and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 1840.
6. S. Takada, N. Hata, Y. Seino, N. Fujii, and T. Kikkawa: J. Appl. Phys. 100 (2006) 123512.
7. N. Oda, S. Chikaki, T. Kubota, S. Nakao, K. Tomioka, E. Soda, N. Nakamura, J. Nogawa, Y. Kawashima, R. Hayashi, and S. Saito: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 615.
8. Y. S. Mor, T. C. Chang, P. T. Liu, T. M. Tsai, C. W. Chen, S. T. Yan, C. J. Chu, W. F. Wu, F. M. Pan, W. Lur, and S. M. Sze: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1334.
9. T. Ono, K. Kinoshita, H. Takahashi, N. Fujii, Y. Sonoda, Y. Oku, K. Kohmura, R. Yagi, N. Hata, and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 6231.
10. J. Liu, W. Kim, J. Bao, H. Shi, W. Baek, and P. S. Ho: J. Vac. Sci. Technol. B 25 (2007) 906.
11. T. Mourier, V. Jousseaume, F. Fusalba, Ch. Lecornec, P. Maury, G. Passemard, P. H. Haumesser, S. Maîtrejean, M. Cordeau, R. Pantel, F. Pierre, M. Fayolle, and H. Feldis: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2003, p. 245.
12. V. Jousseaume, M. Fayolle, C. Guedj, P. H. Haumesser, C. Huguet, F. Pierre, R. Pantel, H. Feldis, and G. Passemard: J. Electrochem. Soc. 152 (2005) F156.
13. A. Furuya, K. Yoneda, E. Soda, T. Yoshie, H. Okamura, M. Shimada, N. Ohtsuka, and S. Ogawa: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 2522.
14. A. Grill and V. Patel: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) F169.
15. S. Chikaki, K. Kinoshita, T. Nakayama, K. Kohmura, H. Tanaka, M. Hirakawa, E. Soda, Y. Seino, N. Hata, T. Kikkawa, and S. Saito: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 969.
16. J.-N. Sun, Y. Hu, W. E. Frieze, W. Chen, and D. W. Gidley: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) F97.
17. K. Kinoshita, S. Chikaki, E. Soda, K. Tomioka, H. Tanaka, K. Kohmura, T. Nakayama, T. Kikkawa, and S. Saito: Proc. Advanced Metallization Conf., 2007, p. 513.
18. S. Chikaki, T. Kubota, H. Tanaka, K. Kohmura, M. Hirakawa, T. Nakayama, Y. Seino, N. Oda, and S. Saito: Proc. Advanced Metallization Conf., 2008, p. 75.
19. S. Chikaki, E. Soda, A. Gawase, T. Suzuki, Y. Kawashima, N. Oda, and S. Saito: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2009, p. 110.
20. Y. Lu, R. Ganguli, C. A. Drewien, M. T. Anderson, C. J. Brinker, W. Gong, Y. Guo, H. Soyez, B. Dunn, M. H. Huang, and J. I. Zink: Nature 389 (1997) 364.
21. N. Hata, C. Negoro, K. Yamada, and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1323.
22. C. Negoro, N. Hata, K. Yamada, and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1327.
23. M. Tada, H. Ohtake, J. Kawahara, and Y. Hayashi: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 1867.
24. Y.-L. Li, Zs. Tökei, and K. Maex: Microelectron. Eng. 76 (2004) 20.
25. T. K. Lin: Chin. J. Phys. 27 (1989) 351.