Stability of La2O3 metal-insulator-metal capacitors under constant voltage stress

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 49, Issue 4 PART 2, 2010, Pages

  Wu, Shu Hua ^a   Deng, Chih Kang ^a   Hou, Tuo Hung ^a   Chiou, Bi Shiou ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE DENSITY; CONSTANT VOLTAGE STRESS; HIGH STABILITY; METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS; MIM CAPACITORS; RELATIVE CAPACITANCE; STRESS-INDUCED; VOLTAGE COEFFICIENT OF CAPACITANCES;

CAPACITORS; CARRIER MOBILITY; DIELECTRIC LOSSES; METAL INSULATOR BOUNDARIES; METALS; MIM DEVICES; SEMICONDUCTOR INSULATOR BOUNDARIES;

CAPACITANCE;

EID: 77952738901     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.49.04DB16     Document Type: Article

References (28)

1. C. H. Ng, C.-S. Ho, S.-F. S. Chu, and S.-C. Sun: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 1399.
2. M.-Y. Yang, D. S. Yu, and A. Chin: J. Electrochem. Soc. 151 (2004) F162.
3. S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, C. Zhu, A. Chin, and D.-L. Kwong: Symp. VLSI Tech. Dig., 2003, p. 77.
4. J. Babcock, S. Balster, A. Pinto, C. Dirnecker, P. Steinmann, R. Jumpertz, and B. El-Kareh: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 230.
5. K. Stein, J. Kocis, G. Hueckel, E. Eld, T. Bartush, R. Groves, N. Greco, D. Harame, and T. Tewksbury: Proc. Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet., 1997, p. 191.
6. T. Yoshitomi, Y. Ebuchi, H. Kimijama, T. Ohguro, E. Morifuji, H. S. Momose, K. Kasai, K. Ishimaru, F. Matsuoka, Y. Katsumata, M. Kinugawa, and H. Iwai: Proc. Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meet., 1999, p. 133.
7. H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, Y. H. Wu, T. Liew, M. F. Li, B. J. Cho, W. K. Choi, and N. Yakovlev: J. Appl. Phys. 94 (2003) 551.
8. T. Remmel, R. Ramprasad, and J. Walls: Proc. Int. Reliability Physics Symp., 2003, p. 277.
9. S. Blonkowski, M. Regache, and A. Halimaoui: J. Appl. Phys. 90 (2001) 1501.
10. C. Zhu, H. Hu, X. Yu, S. J. Kim, A. Chin, M.-F. Li, B. J. Cho, and D.-L. Kwong: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 879.
11. S. Becu, S. Cremer, and J. L. Autran: Microelectron. Eng. 83 (2006) 2422.
12. C. H. Cheng, S. H. Lin, K. Y. Jhou, W. J. Chen, C. P. Chou, F. S. Yeh, J. Hu, M. Hwang, T. Arikado, S. P. McAlister, and A. Chin: IEEE Electron Device Lett. 29 (2008) 845.
13. H. Hu, C. Zhu, X. Yu, A. Chin, M. F. Li, B. J. Cho, D.-L. Kwong, P. D. Foo, M. B. Yu, X. Liu, and J. Winkler: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 60.
14. S. B. Chen, C. H. Lai, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 185.
15. C.-H. Cheng, K.-C. Chiang, H.-C. Pan, C.-N. Hsiao, C.-P. Chou, S. P. Mcalister, and A. Chin: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7300.
16. Y. K. Jeong, S. J. Won, D. J. Kwon, M. W. Song, W. H. Kim, O. H. Park, J. H. Jeong, H. S. Oh, H. K. Kang, and K. P. Suh: Symp. VLSI Tech. Dig., 2004, p. 222.
17. H. Hu, S. J. Ding, H. F. Lim, C. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, X. F. Yu, J. H. Chen, Y. F. Yong, B. J. Cho, D. S. H. Chan, S. C. Rustagi, M. B. Yu, C. H. Tung, A. Du, D. My, P. D. Foo, A. Chin, and D. L. Kwong: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 379.
18. H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohshima, and A. Kikuchi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 625.
19. J. Robertson: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1785.
20. J. McPherson, J.-Y. Kim, A. Shanware, and H. Mogul: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2121.
21. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 341.
22. R. Choi, S. J. Rhee, J. C. Lee, B. H. Lee, and G. Bersuker: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 197.
23. K. Takeda, R. Yamada, T. Imai, T. Fujiwara, T. Hashimoto, and T. Ando: IEEE Trans. Electron Devices 55 (2008) 1359.
24. Y.-H. Kim and J. C. Lee: Microelectron. Reliab. 44 (2004) 183.
25. C. Besset, S. Bruyere, S. Blonkowski, S. Cremer, and E. Vincent: Microelectron. Reliab. 43 (2003) 1237.
26. C.-C. Hung, A. S. Oates, H.-C. Lin, Y.-E. P. Chang, J.-L. Wang, C.-C. Huang, and Y.-W. Yau: IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 7 (2007) 462.
27. R. H. Walden: J. Appl. Phys. 43 (1972) 1178.
28. M. Gevers: Philips Res. Rep. 1 (1945) 197.