High-density RF MIM capacitors using high-k La2O3 dielectrics

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 7, 2004, Pages

  Yang, M Y ^a   Yu, D S ^a   Chin, Albert ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; DEPOSITION; ELECTRIC LINES; ELECTRIC NETWORK ANALYZERS; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRON TUNNELING; LANTHANUM COMPOUNDS; LEAKAGE CURRENTS; OXIDATION; PATTERN RECOGNITION;

COPLANAR TRANSMISSION; MATHEMATICAL DERIVATION; METAL-INSULATOR-METAL (MIM); THERMAL BUDGET;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 3242693602     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1752935     Document Type: Article

References (24)

1. C. H. Huang, C. H. Lai, J. C. Hsieh, J. Liu, and A. Chin, IEEE Microwave Wireless Camp. Lett., 12, 464 (2002).
2. C. H. Huang, K. T. Chan, C. Y. Chen, A. Chin, G. W. Huang, C. Tseng, V. Liang, J. K. Chen, and S. C. Chien, IEEE RF-IC Int. Microwave Symp. Dig., 2003, 373.
3. Y. H. Wu, A. Chin, C. S. Liang, and C. C. Wu, IEEE RF-IC Int. Microwave Symp. Dig., 2000, 151.
4. J. W. Lee, H. S. Song, K. M. Kim, J. M. Lee, and J. S. Roh, J. Electrochem. Soc., 149, F56 (2002).
5. S. Y. Kang, H. J. Lim, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 149, C317 (2002).
6. C. P. Yue and S. S. Wong, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1999, 1625.
7. J. A. Babcock, S. G. Balster, A. Pinto, C. Dirnecker, P. Steinmann, R. Jumpertz, and B. El-Kareh, IEEE Electron Device Lett., 22, 230 (2001).
8. C.-M. Hung, Y. C. Ho, I. C. Wu, and K. O., IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1998, 505.
9. Z. Chen, L. Guo, M. Yu, and Y. Zhang, IEEE Microwave Wireless Camp. Lett., 12, 246 (2002).
10. J. H. Lee, D. H. Kim, Y. S. Park, M. K. Sohn, and K. S. Seo, IEEE Microw. Guid. Wave Lett., 9, 345 (1999).
11. K. Shao, S. Chu, K. W. Chew, G. P. Wu, C. H. Ng, N. Tan, B. Shen, A. Yin, and Z. Y. Zheng, in Proceedings of 6th International Conference on Solld-State and Integrated-Circuit Technology Digest, 2001, 243.
12. H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohshima, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, J. Taguchi, H. Yamamoto, J. Tonotani, Y. Kim, I. Ueda, A. Kuriyama, and Y. Yoshihara, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 625.
13. S. J. Lee, H. F. Luan, C. H. Lee, T. S. Jeon, W. P. Bai, Y. Senzaki, D. Roberts, and D. L. Kwong, in Proceedings of Symposium on VLSI Technology, 2001, 133.
14. A. Chin, Y. H. Wu, S. B. Chen, C. C. Hao, and W. J. Chen, in Digest of Symposium on VLSI Technology, 2000, 19.
15. M. Y. Yang, C. H. Huang, A. Chin, C. Zhu, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 306 (2003).
16. S. B. Chen, J. H. Chou, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 185 (2002).
17. H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Electron Device Lett., 23, 514 (2002).
18. S. B. Chen, J. H. Chou, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2002, 201.
19. C. H. Huang, M. Y. Yang, A. Chin, C. X. Zhu, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2003, 507.
20. C. Zhu, H. Hu, X. Yu, A. Chin, M. F. Li, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 879.
21. K. T. Chan, A. Chin, C. M. Kwei, D. T. Shien, and W. J. Lin, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2001, 763.
22. K. T. Chan, A. Chin, Y. B. Chen, Y.-D. Lin, D. T. S. Duh, and W. J. Lin, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2001, 903.
23. Y. H. Wu, A. Chin, K. H. Shih, C. C. Wu, C. P. Liao, S. C. Pai, and C. C. Chi, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 2000, 221.
24. T. Park, H. J. Cho, J. D. Choe, S. Y. Han, S.-M. Jung, J. H. Jeong, B. Y. Nam, O. I. Kwon, J. N. Han, H. S. Kang, M. C. Chae, G. S. Yeo, S. W. Lee, D. Y. Lee, D. Park, K. Kim, E. Yoon, and J. H. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 27.