Growth and material characterization of hafnium titanates deposited by atomic layer deposition

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 156, Issue 10, 2009, Pages

  Popovici, Mihaela ^a   Delabie, Annelies ^a   Van Elshocht, Sven ^a   Clima, Sergiu ^a   Pourtois, Geoffrey ^a   Nyns, Laura ^a   Tomida, Kazuyuki ^a   Menou, Nicolas ^a   Opsomer, Karl ^a   Swerts, Johan ^b   Detavernier, Christophe ^c   Wouters, Dirk ^a   Kittl, Jorge Adrian ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b Advanced Semiconductor Materials Belgium   (Belgium)

^c GHENT UNIVERSITY   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AS-DEPOSITED FILMS; BINARY OXIDES; COMPOSITIONAL RANGE; DIELECTRIC CONSTANTS; DIFFRACTION LINES; ELECTRICAL PROPERTY; FILM CRYSTALLINITY; FIRST-PRINCIPLES SIMULATIONS; GROWTH CURVES; HAFNIUM TITANATE; LEAKAGE CURRENT DENSITYS; LINEAR CORRELATION; MATERIAL CHARACTERIZATIONS; POST-DEPOSITION ANNEAL; REACTION CYCLES; RUTHERFORD BACK-SCATTERING; SATURATION CONDITIONS; TI CONTENT; X- RAY DIFFRACTION; X-RAY REFLECTOMETRY;

AMORPHOUS FILMS; ATOMS; DIFFRACTION; ELECTRIC PROPERTIES; GRAPH THEORY; HAFNIUM COMPOUNDS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; TITANIUM;

HAFNIUM;

EID: 69549121921     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3186020     Document Type: Article

References (29)

1. S. Duenas, H. Castan, H. Garcia, E. San Andres, M. Toledano-Luque, I. Martil, G. Gonzalez-Diaz, K. Kukli, T. Uustare, and J. Aarik, Semicond. Sci. Technol., 20, 1044 (2005).
2. F. Chen, X. Bin, C. Hella, X. Shi, W. L. Gladfelter, and S. A. Campbell, Microelectron. Eng., 72, 263 (2004). 10.1016/j.mee.2004.01.001
3. M. Li, Z. Zhang, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, M. P. Agustin, D. O. Klenov, and S. Stemmer, J. Appl. Phys., 98, 054506 (2005).
4. M. Li, Z. H. Zhang, S. A. Campbell, H. J. Li, and J. J. Peterson, J. Appl. Phys., 101, 044509 (2007).
5. N. Lu, H. Li, A. Gardner, S. Wickramanayaka, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 26, 298 (2005).
6. K. Honda, A. Sakai, M. Sakashita, H. Ikeda, S. Zaima, and Y. Yasuda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 1571 (2004).
7. S. J. Rhee, H.-S. Kim, C. Y. Kang, C. H. Choi, M. Zhang, F. Zhu, T. Lee, I. Ok, M. S. Akbar, S. A. Krishnan, Dig. Tech. Pap.-Symp. VLSI Technol., 9B-3, 168 (2005).
8. S. J. Rhee, F. Zhu, H.-S. Kim, C. H. Choi, C. Y. Kang, M. Zhang, T. Lee, I. Ok, S. A. Krishnan, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett., 27, 225 (2006).
9. J. Domaradzki, D. Kaczmarek, A. Borkowska, M. Wolcyrz, and B. Paszkiewicz, Phys. Status Solidi A, 203, 2215 (2006).
10. J. Domaradzki, D. Kaczmarek, E. L. Prociow, A. Borkowska, R. Kudrawiec, J. Misiewicz, D. Schmeisser, and G. Beuckert, Surf. Coat. Technol., 200, 6283 (2006).
11. M. C. Cisneros-Morales, and C. R. Aita, Appl. Phys. Lett., 93, 021915 (2008).
12. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, S. Zollner, M. E. Ramon, S. Kalpat, R. Gregory, X.-D. Wang, J. Jiang, M. Raymond, R. Rai, J. Appl. Phys., 98, 054104 (2005).
13. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, X.-D. Wang, M. W. Stoker, R. Rai, M. E. Ramon, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Electrochem. Soc., 153, G834 (2006).
14. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskela, J. Sundqvist, L. Oberbeck, J. Heitmann, U. Schroder, J. Aarik, and A. Aidla, Thin Solid Films, 515, 6447 (2007).
15. M. Meuris, P. W. Mertens, A. Opdebeeck, H. F. Schmidt, M. Depas, G. Vereecke, M. M. Heyns, and A. Philipossian, Solid State Technol., 38, 109 (1995).
16. M. Wormington, C. Panaccione, K. M. Matney, and D. K. Bowen, Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A, 357, 2827 (1999).
17. A. D. Becke, J. Chem. Phys., 98, 1372 (1993).
18. M. W. Schmidt, K. K. Baldridge, J. A. Boatz, S. T. Elbert, M. S. Gordon, J. H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K. A. Nguyen, S. J. Su, J. Comput. Chem., 14, 1347 (1993).
19. A. V. Nemukhin, B. L. Grigorenko, and A. A. Granovsky, Moscow Univ. Chem. Bull. (Engl. Transl.), 45, 75 (2004).
20. W. R. Wadt and P. J. Hay, J. Chem. Phys., 82, 284 (1985).
21. P. J. Hay and W. R. Wadt, J. Chem. Phys., 82, 299 (1985).
22. K. J. Laidler, Pure Appl. Chem., 68, 149 (1996).
23. A. B. Mukhopadhyay and C. B. Musgrave, Chem. Phys. Lett., 421, 215 (2006).
24. A. B. Mukhopadhyay, C. B. Musgrave, and J. F. Sanz, J. Am. Chem. Soc., 130, 11996 (2008).
25. A. Delabie, G. Pourtois, M. Caymax, S. De Gendt, L. A. Ragnarsson, M. Heyns, Y. Fedorenko, J. Swerts, and J. W. Maes, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 1302 (2007).
26. A. Delabie, M. Caymax, B. Brijs, D. P. Brunco, T. Conard, E. Sleeckx, S. Van Elshocht, L.-A. Ragnarsson, S. De Gendt, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc., 153, F180 (2006).
27. A. Kosola, M. Putkonen, L.-S. Johansson, and L. Niinisto, Appl. Surf. Sci., 211, 102 (2003).
28. J. L. van Hemmen, S. B. S. Heil, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, C. J. Hodson, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc., 154, G165 (2007).
29. M.-K. Lee, J.-J. Huang, and Y.-H. Hung, J. Electrochem. Soc., 152, F190 (2005).