Characteristics of mixed oxides and nanolaminates of atomic layer deposited HfO2-TiO2 gate dielectrics

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 9, 2006, Pages

  Triyoso, D H ^a   Hegde, R I ^a   Wang, X D ^a   Stoker, M W ^a   Rai, R ^a   Ramon, M E ^a   White Jr , B E ^a   Tobin, P J ^a  

^a FREESCALE SEMICONDUCTOR INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DEPOSITION; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM COMPOUNDS; MOS CAPACITORS; NANOSTRUCTURED MATERIALS; THIN FILMS; TITANIUM DIOXIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GATE DIELECTRICS; GRAIN SIZE DISTRIBUTION; NANOLAMINATES;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 33750117147     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2216528     Document Type: Article

References (18)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl Phys., 89, 5243 (2001).
2. G. D. Wilk, M. L. Green, M.-Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorsch, F. P. Klemens, B. Brijs, R. B. van Dover, A. Kornblit, T. Gustafsson, E. Garfunkel, S. Hillenius, D. Monroe, P. Kalavade, and J. M. Hergenrother, in Proceedings of the International Symposium on VLSI Technology. IEEE. p. 88 (2002).
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 87, 484 (2000).
4. H.-H. Tseng, J. M. Grant, C. Hobbs, P. J. Tobin, L. Hebert, M. Ramon, S. Kalpat, F. Wang, D. Triyoso, D. C. Gilmer, B. E. White, P. Abramowitz, M. Moosa, Z. Luo, and T. P. Ma, in Proceedings of the International Symposium on VLSI Technology, IEEE, p. 132 (2005).
5. M. S. Akbar, C. H. Choi, S. J. Rhee, S. A. Krishnan, C. Y. Kang, M. H. Zhang, T. Lee, I. J. Ok, F. Zhu, H.-S. Kim, and J. C. Lee, IEEE Electron Device Lett., 26, 166 (2005).
6. C. H. Choi, T. S. Jeon, R. Clark, and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett., 24, 215 (2003).
7. M.-Y Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Raisanen, and T. Gustafsson, Appl. Phys. Lett., 81, 4218 (2002).
8. K. Kukli, M. Ritala, M. Leskela, T. Sajavaara, J. Keinonen, D. G. Gilmer, and P. J. Tobin, Mater. Sci. Eng., B, 109, 2 (2004).
9. F. Chen, X. Bin, C. Hella, X. Shi, W. L. Gladfelter, and S. A. Campbell. Microelectron. Eng., 72, 263 (2004).
10. A. Pas kaleva, A. J. Bauer, M. Lemberger, and S. Zurcher, J. Appl. Phys., 95, 5583 (2004).
11. S. J. Rhee, C. S. Kang, C. H. Choi, C. Y. Kang, S. Krishnan, M. Zhang, M. S. Akbar, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2004, 837.
12. S. J. Rhee, H.-S. Kim, C. Y. Kang, C. H. Choi, M. Zhang, F. Zhu, T. Lee, I. Ok, M. S. Akbar, S. A. Krishnan, and J. C. Lee, Paper presented at the Symposium on VLSI Technology, 2005.
13. K. Honda, A. Sakai, M. Sakashita, H. Ikeda, S. Zaima, and Y. Yasuda. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 1571 (2004).
14. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, S. Zollner, M. E. Ramon, S. Kalpat, R. Gregory, X.-D. Wang, J. Jiang, M. Raymond, R. Rai, D. Werho, D. Roan, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Appl Phys., 98, 054104 (2005).
15. N. Lu, H.-J. Li, M. Gardner, S. Wickramanayaka, and D.-L. Kwong. IEEE Electron Device Lett., 26, 298 (2005).
16. M. Ritala and M. Leskela, in Handbook of Thin Films Materials, H. S. Nalwa, Editor, p. 103, Academic Press, San Diego (2001).
17. R. Puurunen, J. Appl Phys., 97, 121301 (2005).
18. K. B. Hyde, A. F. Norman, and P. B. Prangnell, Mater. Sci. Forum. 39, 396 (2002).