Scaling to sub-1 nm equivalent oxide thickness with hafnium oxide deposited by atomic layer deposition

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 8, 2006, Pages

  Delabie, Annelies ^a,b   Caymax, Matty ^a   Brijs, Bert ^a   Brunco, David P ^a   Conard, Thierry ^a   Sleeckx, Erik ^a   Van Elshocht, Sven ^a   Ragnarsson, Lars Åke ^a   De Gendt, Stefan ^a,b,c   Heyns, Marc M ^a  

^a IMEC   (Belgium)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY   (Belgium)

^c UNIVERSITY OF LEUVEN   (Belgium)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; GAS-PHASE MOISTURE; GROWTH-PER-CYCLE (GPC); PLASMA TREATMENTS;

DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRODEPOSITION; HYDROXYLATION; LEAKAGE CURRENTS; OXIDES;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 33745504938     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2209568     Document Type: Article

References (32)

1. L.-Å. Ragnarsson, S. Severi, L. Trojman, D. P. Brunco, K. D. Johnson, A. Delabie, T. Schram, W. Tsai, G. Groeseneken, K. De Meyer, S. De Gendt, and M. Heyns, VLSI Technology Technical Digest, p. 234 (2005).
2. L.-Å. Ragnarsson, S. Severi, L. Trojman, K. D. Johnson, D. P. Brunco, M. Aoulaiche, M. Houssa, T. Kauerauf, R. Degraeve, A. Delabie, V. S. Kaushik, G. Groenseneken, K. De Meyer, S. De Gendt, and M. Heyns, IEEE Trans. Electron Devices, 53 (7) (2006).
3. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 97, 121301 (2005).
4. M. L. Green, M.-Y. Ho, B. Busch, G. D. Wilk, T. Sorsch, T. Conard, B. Brijs, W. Vandervorst, P. I. Raisanen, D. Muller, M. Bude, and J. Grazul, J. Appl. Phys., 92, 7168 (2002).
5. E. P. Gusev, C. Cabral, Jr., M. Copel, C. D'Emic, and M. Gribelyuk, Microelectron. Eng., 69, 145 (2003).
6. M. Caymax, H. Bender, B. Brijs, T. Conard, S. De Gendt, A. Delabie, M. M. Heyns, B. Onsia, L. Ragnarsson, O. Richard, W. Vandervorst, S. Van Elshocht, C. Zhao, J. Maes, L. Dat́, D. Pique, E. Young, W. Tsai, and Y. Shimamoto, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 765, D.2.6.1. (2003).
7. S. Ferrari, G. Scarel, C. Wiemer, and M. Fanciulli, J. Appl. Phys., 92, 7675 (2002).
8. D. Triyoso, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, N. V. Edwards, R. Gregory, D. Werho, J. Kulik, G. Tam, E. Irwin, X.-D. Wang, L. B. La, C. Hobbs, R. Garcia, J. Baker, B. E. White, Jr., and P. Tobin, J. Electrochem. Soc., 151, F220 (2004).
9. O. Renault, D. Samour, D. Rouchon, P. Holliger, A.-M. Papon, D. Blin, and S. Marthon, Thin Solid Films, 428, 190 (2003).
10. J. Aarik, A. Aidla, A.-A. Kiisler, T. Uustare, and V. Sammelselg, Thin Solid Films, 340, 110 (1999).
11. A. Kytökivi, E.-L. Lakomaa, and A. Root, Langmuir, 12, 4395 (1996).
12. B. Onsia, M. Caymax, T. Conard, S. De Gendt, F. De Smedt, A. Delabie, C. Gottschalk, M. Green, M. Heyns, S. Lin, P. Mertens, W. Tsai, and C. Vinckier, Solid State Phenom., 103-104, 19 (2005).
13. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition, 10, 159 (2004).
14. M. Deminsky, A. Knizhnik, I. Belov, S. Umanski, E. Rykova, A. Bagatur'yants, B. Potopkin, M. Stoker, and A. Korkin, Surf. Sci., 549, 1 (2004).
15. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 95, 4777 (2004).
16. R. L. Puurunen and W. Vandervorst, J. Appl. Phys., 96, 7686 (2004).
17. D. Hellin, A. Delabie, R. Puurunen, P. Beaven, T. Conard, B. Brijs, S. De Gendt, and C. Vinckier, Anal. Sci., 21, 845 (2005).
18. A. Delabie, M. Caymax, B. Brijs, D. Brunco, T. Conard, E. Sleeckx, S. Van Elshocht, L.-Å. Ragnarsson, S. De Gendt, and M. Heyns, ECS Transactions, 1 (5), 433, In press.
19. ALCVD, PULSAR, EPSILON, and Polygon, ASM International, Materials Park, OH.
20. H. Bender, T. Conard, O. Richard, B. Brijs, J. Petry, W. Vandervorst, C. Defranoux, P. Boher, N. Rochat, C. Wyon, P. Mack, J. Wolstenholme, R. Vitchev, L. Houssiau, J.-J. Pireaux, A. Bergmaier, and G. Dollinger, Analytical and Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials, Devices, and Processes, B. O. Kobelsen, C. Claeys, P. Stallhofer, and, F. Tardif, Editors, PV 2003-3, p. 223, The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ, (2003).
21. J. R. Hauser, in Characterization and Metrology for ULSI Technology, p. 235 (1998).
22. S. I. Takagi, A. Toriumi, M. Iwase, and H. Tango, IEEE Trans. Electron Devices, 41, 2357 (1994).
23. G. Cerrato, S. Bordiga, S. Barbera, and C. Morterra, Appl. Surf. Sci., 115, 53 (1997).
24. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys., 95, 4777 (2004).
25. A. Delabie, R. L. Puurunen, B. Brijs, M. Caymax, T. Conard, B. Onsia, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. M. Heyns, M. Meuris, M. Viitanan, H. Brongersma, M. de Ridder, L. Goncharova, E. Garfunkel, T. Gustafsson, and W. Tsai, J. Appl. Phys., 97, 064104 (2005).
26. J. P. Chang and J. W. Coburn, J. Vac. Sci. Technol. A, 21, S145 (2003).
27. P. Raghu, N. Rana, C. Yim, E. Shero, and F. Shadman, J. Electrochem. Soc., 150, F186 (2003).
28. A. Khandelwas, B. C. Smith, and H. H. Lamb, J. Appl. Phys., 90, 3100 (2001).
29. L. E. Kline, W. D. Partlow, R. M. Young, R. R. Mitchell, and T. V. Congedo, IEEE Trans. Plasma Sci., 19, 278 (1991).
30. S.-J. Won, Y.-K. Jeong, D.-J. Kwon, M.-H. Park, H.-K. Kang, K.-P. Suh, H.-K. Kim, J.-H. Ka, K.-Y. Yun, D.-H. Lee, D. Y. Kim, Y.-M. Yoo, and C.-S. Lee, VLSI Technical Digest, 3A-4 (2003).
31. A. Delabie, M. Caymax, J. W. Maes, P. Bajolet, B. Brijs, E. Cartier, T. Conard, S. De Gendt, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. Green, W. Tsai, and M. M. Heyns, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 745, 179 (2003).
32. R. L. Puurunen, Chem. Vap. Deposition, 9, 249 (2003).