High-selectivity etching of TaN/HfO2/Si MIS structure by dry and wet etching

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 51, Issue SUPPL. 2, 2007, Pages

  Yang, Seung Kook ^a   Kim, Han Hyoung ^a   Onishi, Beom Hoan ^a   Lee, Seung Gol ^a   Lee, El Hang ^a   Park, Se Geun ^a   Chang, Sung Pil ^a   Lee, Jong Geun ^b   Song, Ho Young ^c  

^a Inha University   (South Korea)

^b Bucheon University   (South Korea)

^c Samsung Electro Mechanics   (South Korea)

Author keywords

Etching; Gate stack; HfO2; High k dielectric; ICP (Inductively Coupled Plasma)

Indexed keywords

EID: 68349085698     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (25)

1. B. Bar, G. D. Wilk and A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 69, 2728 (1996).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
4. B. H. Lee, R. Choi, L. Kang, S. Gopalan, R. Nieh, K. Onishi, Y. Jeon, W.-J. Qi, C. Kang and J. C. Lee, Int. Electron Device Meet. 30, 39 (2000).
5. M. Balog, M. Schieber, M. Michiman and S. Patai, Thin Solid Films 41, 247 (1977).
6. E. J. Lee, W. J. Chio, K. S. Yoon, J. Y. Yang, J. H. Lee, C. O. Kim and J. P. Hong, J. Korean Phys. Soc. 45, 166 (2004).
7. M. Copel, M. Gribelyuk and E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 76, 436 (2000).
8. T. H. Lee, H. K. Ko, Y. S. Kim, J. H. Ahn, Y. B. Kim, K. S. Kim and D. K. Choi, J. Korean Phys. Soc. 45, 1308 (2004).
9. H. Y. Yu, C. Ren, Y. C. Yeo, J. F. Kang, X. P. Wang, H. H. H. Ma, M. F. Li, D. S. H. Chan and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 25, 337 (2004).
10. Y. C. Yeo, P. Ranade, T. J. King and C. Hu, IEEE Electron Device Lett. 23, 342 (2002).
11. L. Sha, R. Puthenkovilakam, Y. S. Lin and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2420 (2003).
12. S. H. Nam, S. W. Nam, J. H. Yoo and D. H. Ko, Mater. Sci. B 102, 123 (2003).
13. C. H. Lee, J. H. Choi, M. J. Cho, J. H. Park, C. S. Hwang, H. J. Kim and J. H. Jeong, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1838 (2004).
14. H. Y. Song, C. W. Kim, S. G. Park, B. H. O, S. G. Lee, E. H. Lee and J. G. Lee, J. Korean Phys. Soc. 45, S1 (2004).
15. J. H. Chen, W. J. Yoo, Z. Y. Tan, W. Wang and S. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1552 (2004).
16. S. Tabara, Int. Symp. P2ID. 12, 187 (1998).
17. K. Takahashi, K. Ono and Y. Setsuhara, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1691 (2005).
18. L. Sha and J. P. Chang, J. Vac. Sci. Technol. 22, 88 (2004).
19. S. Norasetthekul, P. Y. Park, K. H. Baik, K. P. Lee, J. H. Shin, B. S. Jeong, V. Shishodia, D. P. Norton and S. J. Pearton, Appl. Surf. Sci. 187, 75 (2002).
20. M. H. Shin, M. S. Park, N. E. Lee, J. Y. Kim, C. Y. Kim and J. H. Ahn, J. Vac. Sci. Technol. A 24, 1373 (2006).
21. K. Hashimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 6109 (1993).
22. H. D. Kim and Y. Roh, J. Korean Phys. Soc. 49, S755 (2006).
23. I. S. Park, T. H. Lee, H. K. Ko and J. H. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 49, S760 (2006).
24. H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 46, S52 (2005).
25. P. S. Lysaght, P. J. Chen, R. Bergmann, T. Messina, R. W. Murto and H. R. Hu , J. Non-Cryst. Solids 303, 54 (2002).