Nitrogen incorporation engineering and electrical properties of high-k gate dielectric (HfO2 and Al2O3) films on Si (100) substrate

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 4, 2004, Pages 1838-1843

  Lee, Chlhoon ^a   Choi, Jihoon ^a   Cho, Moonju ^a   Park, Jahoo ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Kim, Hyeong Joon ^a   Jeong, Jaehack ^b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Ever tek Co   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINA; ANNEALING; BINDING ENERGY; CURRENT DENSITY; DEPOSITION; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRIC PROPERTIES; HAFNIUM COMPOUNDS; HYSTERESIS; LEAKAGE CURRENTS; MOS CAPACITORS; NITROGEN; SILICON; SURFACE ROUGHNESS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; NITROGEN INCORPORATION ENGINEERING; POST DEPOSITION ANNEALING (PDA); VOLTAGE SHIFT;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 4944250825     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1775203     Document Type: Article

References (20)

1. J. H. Lee, Y. S. Kim, H. S. Jung, J. H. Lee, N. I. Lee, H. K. Kang, J. H. Ku, H. S. Kang, Y. R. Kim, R. H. Cho, and R. P. Sun, Tech. Dig. Symp. VLSI Technol. 2002, 84 (2002).
2. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W-J. Qi, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 1926 (2000).
3. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
4. J. H. Lee, R. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, R. H. Cho, H. S. Shin, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang, and J. T. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2000, 645 (2000).
5. K. Onishi, L. Kang, R. Choi, E. Dharmarajan, S. Gopalan, Y. Jeon, C. S. Kang, B. H. Lee, R. Nieh, and J. C. Lee, Tech. Dig. Symp. VLSI Technol. 2001, 131 (2001).
6. Y. Morisaki, T. Aoyama, Y. Sugita, K. Irino, T. Sugii, and T. Nakamura, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 861 (2002).
7. H.-J. Cho, D.-G. Park, K.-Y. Lim, J.-K. Ko, I.-S. Yeo, J. W. Park, and J.-S. Roh, Appl. Phys. Lett. 80, 3177 (2002).
8. H.-J. Jung, Y.-S. Kim, J. P. Kim, J. H. Lee, J.-H. Lee, N.-I. Lee, H.-K. Kang, K.-P. Suh, H. J. Ryu, C.-B. Oh, Y.-W. Kim, K.-H, Cho, H.-S. Baik, Y. S. Chung, H. S. Chang, and D. W. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 853 (2002).
9. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 81, 1074 (2002).
10. M. A. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, M. J. Kim, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, A. LiFatou, M. J. Bevan, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett. 81, 1609 (2002).
11. M. Cho, J. Park, H. B. Park, C. S. Hwang, J. Jeong, and K. S. Hyun, Appl. Phys. Lett. 81, 334 (2002).
12. C. Lee, J. Choi, M. Cho, J. Park, H. J. Kim, C. S. Hwang, J. Jeong, and W. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 1403 (2003).
13. M. Cho, H. B. Park, J. Park, C. S. Hwang, J.-C. Lee, S.-J. Oh, J. Jeong, K. S. Hyun, H.-S. Kang, Y.-W. Kim, and J.-H. Lee, J. Appl. Phys. 94, 2563 (2003).
14. H. B. Park, M. Cho, J. Park, C. S. Hwang, J.-C. Lee, and S.-J. Oh, J. Appl. Phys. 94, 1898 (2003).
15. C. Lee, D. Park, N. Jo, C. S. Hwang, H. J. Kim, and W. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 1892 (2003).
16. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, Y. H. Kim, R. Nieh, J. Han, S. Krishnan, A. Shahriar, and J. C. Lee, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 865 (2002).
17. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 857 (2002).
18. H. S. Jung, Y. S. Kim, J. P. Kim, J. H. Lee, J. H. Lee, N. I. Lee, H. K. Kang, K. P. Suh, H. J. Ryu, C. B. Oh, Y. W. Kim, K. H. Cho, H. S. Baik, Y. S. Chung, H. S. Chang, and D. W. Moon, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 853 (2002).
19. R. S. Johnson, G. Lucovsky, and I. Baum, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1353 (2001).
20. T. Hori, H. Iwasaki, and K. Tsuji, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 1988, 904 (1988).