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Volumn 49, Issue SUPPL. 3, 2006, Pages

A study on interface layer with annealing conditions of ZrO 2/ZrSixOy high-k gate oxide

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Gate oxide; High k; ZrO2; ZrSixOy

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EID: 33846348347     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
Times cited : (16)

References (19)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.