Vapor phase techniques for the fabrication of homoepitaxial layers of silicon carbide: Process modeling and characterization

Applied Surface Science

Volumn 212-213, Issue SPEC., 2003, Pages 177-183

  Pons, M ^a   Baillet, F ^a   Blanquet, E ^a   Pernot, E ^a   Madar, R ^a   Chaussende, D ^d   Mermoux, M ^b   Di Coccio, L ^c   Ferret, P ^c   Feuillet, G ^c   Faure, C ^c   Billon, Th ^c  

^a GRENOBLE INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (France)

^b LEPMI   (France)

^c CEA LETI   (France)

^d CEA LETI ^*

Author keywords

Bulk growth; Epitaxy; Modeling; Silicon carbide

Indexed keywords

CHARACTERIZATION; COMPUTER SIMULATION; EPITAXIAL GROWTH; HEAT TRANSFER; MASS TRANSFER; THIN FILMS;

HOMOEPITAXIAL LAYERS;

SILICON CARBIDE;

EID: 6444229047     PISSN: 01694332     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0169-4332(03)00064-3     Document Type: Conference Paper

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