Deposition of lanthanum zirconium oxide high-k films by liquid injection ALD and MOCVD

Chemical Vapor Deposition

Volumn 13, Issue 12, 2007, Pages 684-690

  Gaskell, Jeffrey M ^a   Jones, Anthony C ^a   Chalker, Paul R ^a   Werner, Matthew ^a   Aspinall, Helen C ^a   Taylor, Stephen ^a   Taechakumput, Pouvanart ^a   Heys, Peter N ^b  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

^b SAFC Hitech   (United Kingdom)

Author keywords

High k dielectric oxides; Lanthanum zirconium oxide; Liquid injection ALD; Liquid injection MOCVD

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC LAYER DEPOSITION; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; CARBON FILMS; CRYSTALLIZATION; DIELECTRIC PROPERTIES; LANTHANUM; LANTHANUM ALLOYS; LEAKAGE CURRENTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NANOCRYSTALLINE ALLOYS; OXIDE FILMS; OXIDES; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; PULSED LASER DEPOSITION; THICK FILMS; TOLUENE; X RAY ANALYSIS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; ZIRCONIA; ZIRCONIUM;

AMORPHOUS; ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD; FLATBAND VOLTAGE SHIFTS; HIGH-K DIELECTRIC OXIDES; K VALUES; LIQUID INJECTION ALD; LIQUID INJECTION MOCVD; LIQUID INJECTIONS; ORGANIC; RANGING; STABILIZED ZIRCONIAS; THIN-FILMS; TOLUENE SOLUTIONS; X-RAY DIFFRACTIONS; ZIRCONIUM OXIDES;

AMORPHOUS FILMS;

EID: 54949131735     PISSN: 09481907     EISSN: 15213862     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200706637     Document Type: Article

References (46)

1. A. Packan, Science 1999, 285, 2079.
2. T. M. Klein, D. Niu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Maher, C. C. Hobbs, R. I. Hegde, I. J. R. Baumvol, G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4001.
3. M. Copel, M. Gribelyuk, E. P. Gusev, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 436.
4. B. H. Lee, L. G. Kang, R. Nieh, W. J. Qi, J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1926.
5. G. D. Wilk, R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854.
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 112.
7. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, Appl. Phys. 2000, 87, 484.
8. M. Y. Ho, H. Gong, G. D. Wilk, B. W. Busch, M. L. Green, W. H. Lin, A. See, S. K. Lahiri, M. E. Loomans, P. I. Raisanen, T. Gustaffson, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 4218.
9. M. Leskelä, M. Ritala, J. Solid State Chem. 2003, 171, 170.
10. C. X. Zhu, B. J. Cho, M. F. Li, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 81.
11. Y. F. Loo, R. O'Kane, A. C. Jones, H. C. Aspinall, R. J. Potter, P. R. Chalker, J. F. Bickley, S. Taylor, L. M. Smith, J. Mater. Chem. 2005, 15, 1896.
12. G. Apostopoulos, G. Vellianitis, A. Dimoulas, J. C. Hooker, T. Conard, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 260.
13. Y. F. Loo, S. Taylor, R. T. Murray, A. C. Jones, P. R. Chalker, J. Appl. Phys. 2006, 99, 103704.
14. E. Rauwel, C. Doubourdieu, B. Holländer, N. Rochat, F. Ducroquet, M. D. Rossell, G. Van Tendeloo, B. Pellissier, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 012902.
15. S. Sathyamurthy, M. Paranthaman, H. Y. Zhai, H. M. Christen, P. M. Martin, A. Goyal, J. Mater. Res. 2002, 17, 2181.
16. K. Knoth, R. Huhne, S. Oswald, L. Schultz, B. Holzapfel, Acta Materialia 2007, 55, 517.
17. K. Bobzin, E. Lugscheider, N. Bagcivan, High Temp. Mater. Processes 2006, 10, 103.
18. th Workshop on Dielectrics in Electronics, (IMP Grenoble, France), p. 65.
19. J. W. Seo, J. Fompeyrine, A. Guiller, G. Norga, C. Marchiori, H. Siegwart, J.-P. Locquet, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5211.
20. S. Sathyamurthy, K. Kim, T. Aytug, M. Paranthaman, Chem. Mater. 2006, 18, 5829.
21. M. Nieminen, M. Putkonen, L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 2001, 174, 155.
22. B. S. Lim, A. Rahtu, P. de Rouffignac, R. G. Gordon, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 3957.
23. H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. C. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 13.
24. A. Weber, H. Suhr, Mod. Phys. Lett. B 1989, 3, 1001.
25. M. Putkonen, M. Niemenen, J. Niinistö, L. Niinislö, Chem. Mater. 2001, 13, 4701.
26. J. Niinistö, M. Putkonen, L. Niinistö, Chem. Maler. 2004, 16, 2953.
27. J. Paivisaari, J. Niinistö, K. Arstila, K. Kukli, M. Putkonen, L. Niinistö, Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 415.
28. J. Niinistö, N. Petrova, M. Putkonen, L. Niinistö, K. Arstila, T. Sajavaara, J. Cryst. Growth 2005, 285, 191.
29. S. H. Eggers, J. Kopf, R. D. Fischer, Organometallics 1986, 5, 383.
30. W. A. Herrmann, R. Anwander, F. C. Munck, W. Scherer, Chemische Berichte-Recueil 1993, 126, 331.
31. R. N. Tauber, A. C. Dumbri, R. E. Caffrey, J. Electrochem. Soc. 1971, 118, 747.
32. M. Ritala, M. Leskelä, Appl. Surf. Sci. 1994, 75, 333.
33. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, T. D. Manning, Y. F. Loo, R. O'Kane, J. M. Gaskell, L. M. Smith, Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 83.
34. M. Pulver, G. Wahl, Electrochem. Soc. Proc. 1977, 97-25, 960.
35. A. Bastianini, G. A. Battiston, R. Gerbasi, M. Porchia, S. Daolio, J. Phys. IV 1995, 5, 525.
36. D. M. Hausmann, E. Kim, J. Becker, R. G. Gordon, Chem. Mater. 2002, 14, 4350.
37. D. G. Colombo, D. C. Gilmer, V. G. Young, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 220.
38. J. Niinistö, M. Putkonen, L. Niinistö, F. Song, P. Williams, P. N. Heys, R. Odedra, Chem. Mater. 2007, 19, 3319.
39. th European Conf. on Chemical Vapor Deposition, Surf. Coatings and Technol. 2007, 201, 9095.
40. J. Niinistö, M. Putkonen, L. Niinistö, S. L. Stoll, K. Kukli, T. Saajavaara, M. Ritala, M. Leskelä, J. Mater. Chem. 2005, 15, 2271.
41. R. O'Kane, J. M. Gaskell, A. C. Jones, P. R. Chalker, K. Black, M. Werner, P. Taechakumput, S. Taylor, P. N. Heys, R. Odedra, Chem. Vap. Deposition. 2007, 13, 609.
42. S. Taylor, P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, Electron. Lett. 2002, 38, 1285.
43. L. M. Terman, Sold-State Electron. 1962, 5, 285.
44. E. J. Stoebenau III, R. F. Jordan, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 8162.
45. R. J. Potter, P. R. Chalker, T. D. Manning, H. C. Aspinall, Y. F. Loo, A. C. Jones, L. M. Smith, G. W. Critchlow, M. Schumacher, Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 159.
46. K. S. K. Kwa, S. Chattopadhyay, N. D. Jankovic, S. H. Olsen, L. S. Driscoll, A. G. O'Neil, Semicond. Sci. Tech. 2003, 18, 82.