Enhancing electron transport in Si:P delta-doped devices by rapid thermal anneal

Applied Physics Letters

Volumn 93, Issue 14, 2008, Pages

  Goh, K E J ^a,b   Augarten, Y ^a   Oberbeck, L ^a   Simmons, M Y ^a  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL GROWTH; ELECTRON MOBILITY; MOLECULAR BEAMS; MOLECULAR DYNAMICS; POWDERS; RAPID THERMAL PROCESSING; SILICON; SUPERCONDUCTING FILMS;

CRYSTAL QUALITIES; DELTA-DOPED; DOPANT-DIFFUSION; DOPED DEVICES; DOPED LAYERS; ELECTRON TRANSPORT; FREE PATHS; INITIAL CAPPING; LOW TEMPERATURE; MAGNETO TRANSPORT MEASUREMENTS; PHASE-COHERENCE LENGTH; PHASE-COHERENT TRANSPORT; RTA TEMPERATURES;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 53649092827     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2996582     Document Type: Article

References (24)

1. Delta-Doping in Semiconductors, edited by, E. F. Schubert, (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 1996).
2. M. Y. Simmons, F. J. Rueß, K. E. J. Goh, T. Hallam, S. R. Schofield, L. Oberbeck, N. J. Curson, A. R. Hamilton, M. J. Butcher, R. G. Clark, and T. C. G. Reusch, Mol. Simul. 31, 505 (2005).
3. S. J. Robinson, J. S. Kline, H. J. Wheelwright, J. R. Tucker, C. L. Yang, R. R. Du, B. E. Volland, I. W. Rangelow, and T.-C. Shen, Phys. Rev. B 74, 153311 (2006).
4. F. J. Rueß, W. Pok, T. C. G. Reusch, M. J. Butcher, K. E. J. Goh, G. Scappucci, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Small 1613-6810 10.1002/smll.200600680 3, 563 (2007); F. J. Rueß, K. E. J. Goh, M. J. Butcher, T. C. G. Reusch, L. Oberbeck, B. Weber, A. R. Hamilton, and M. Y. Simmons, Nanotechnology 18, 044023 (2007).
5. D. J. Eaglesham, J. Appl. Phys. 77, 3597 (1995).
6. L. Oberbeck, N. J. Curson, T. Hallam, M. Y. Simmons, G. Bilger, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 85, 1359 (2004).
7. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, Appl. Phys. Lett. 85, 4953 (2004).
8. T.-C. Shen, J.-Y. Ji, M. A. Zudov, R.-R. Du, J. S. Kline, and J. R. Tucker, Appl. Phys. Lett. 80, 1580 (2002).
9. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, and M. Y. Simmons, Phys. Status Solidi A 202, 1002 (2005).
10. D. F. Sullivan, B. E. Kane, and P. E. Thompson, Appl. Phys. Lett. 85, 6362 (2004).
11. B. Koiller, Nat. Phys. 4, 590 (2008).
12. S. Ruffell, I. V. Mitchell, and P. J. Simpson, J. Appl. Phys. 97, 123518 (2005).
13. R.-D. Chang, P. S. Choi, D.-L. Kwong, M. Gardner, and P. K. Chu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 1220 (2002).
14. S. Solmi and D. Nobili, J. Appl. Phys. 83, 2484 (1998).
15. P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, D. J. Eaglesham, D. C. Jacobson, C. S. Rafferty, G. H. Gilmer, M. Jaraiz, J. M. Poate, H. S. Luftman, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.364452 81, 6031 (1997); A. Ural, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys. 85, 6440 (1999).
16. Y. M. Haddara, B. T. Folmer, M. E. Law, and T. Buyuklimanli, Appl. Phys. Lett. 77, 1976 (2000).
17. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. J. Butcher, N. J. Curson, F. J. Rueß, and M. Y. Simmons, Nanotechnology 18, 065301 (2007).
18. K. E. J. Goh, M. Y. Simmons, and A. R. Hamilton, Phys. Rev. B 77, 235410 (2007).
19. K. E. J. Goh, M. Y. Simmons, and A. R. Hamilton, Phys. Rev. B 76, 193305 (2007).
20. A. Fuhrer, S. Lüscher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, and M. Bichler, Nature (London) 413, 822 (2001).
21. C. Tahan, M. Friesen, and R. Joynt, Phys. Rev. B 66, 035314 (2002).
22. K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and M. J. Butcher, Phys. Rev. B 73, 035401 (2006).
23. S. Hikami, A. I. Larkin, and Y. Nagaoka, Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980).
24. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitsky, J. Phys. C 15, 7367 (1982).