메뉴 건너뛰기




Volumn 202, Issue 6, 2005, Pages 1002-1005

Relevance of phosphorus incorporation and hydrogen removal for Si : P δ-doped layers fabricated using phosphine

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANTS; ELECTRICAL ACTIVATION; PHOSPHINE DOSING; PHOSPHORUS INCORPORATION;

EID: 25444527987     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200460764     Document Type: Conference Paper
Times cited : (11)

References (17)
  • 6
    • 84857444628 scopus 로고    scopus 로고
    • F. J. Rueß, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, N. J. Curson, T. Hallam, and R. G. Clark, submitted (2004)
    • F. J. Rueß, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, K. E. J. Goh, A. R. Hamilton, N. J. Curson, T. Hallam, and R. G. Clark, submitted (2004).
  • 11
    • 25444490771 scopus 로고    scopus 로고
    • K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, submitted (2004)
    • K. E. J. Goh, L. Oberbeck, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, and R. G. Clark, submitted (2004).


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.