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Volumn 89, Issue 8, 2006, Pages

Gate capacitance of back-gated nanowire field-effect transistors

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CAPACITANCE; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC FIELDS; FINITE ELEMENT METHOD; GATES (TRANSISTOR);

EID: 33747839682     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2337853     Document Type: Article
Times cited : (249)

References (19)
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.