Realization of highly reproducible ZnO nanowire field effect transistors with n -channel depletion and enhancement modes

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 24, 2007, Pages

  Hong, Woong Ki ^a   Hwang, Dae Kue ^a   Park, Il Kyu ^a   Jo, Gunho ^a   Song, Sunghoon ^a   Park, Seong Ju ^a   Lee, Takhee ^a   Kim, Bong Joong ^b   Stach, Eric A ^b  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CATALYST ACTIVITY; FIELD EFFECT TRANSISTORS; LOGIC CIRCUITS; SUBSTRATES; ZINC OXIDE;

CHANNEL DEPLETION; ENHANCEMENT MODES; SAPPHIRE SUBSTRATES; VAPOR TRANSPORT;

NANOWIRES;

EID: 34250669242     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2748096     Document Type: Article

References (26)

1. Z. L. Wang, J. Phys.: Condens. Matter 16, R829 (2004).
2. B. Lei, C. Li, D. Zhang, Q. F. Zhou, K. K. Shung, and C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 84, 4553 (2004).
3. S. V. Kalinin, J. Shin, S. Jesse, D. Geohegan, A. P. Baddorf, Y. Lilach, M. Moskovits, and A. Kolmakov, J. Appl. Phys. 98, 044503 (2005).
4. M.-C. Jeong, B.-Y. Oh, M.-H. Ham, and J.-M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 88, 202105 (2006).
5. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
6. Z. Y. Fan, D. W. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 85, 5923 (2004).
7. Z. Y. Fan and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 86, 123510 (2005).
8. P.-C. Chang, Z. Fan, C.-J. Chien, D. Stichtenoth, C. Ronning, and J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 89, 133113 (2006).
9. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
10. J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, and P. Yang, J. Phys. Chem. B 109, 9 (2005).
11. W. I. Park, J. S. Kim, G.-C. Yi, M. H. Bae, and H.-J. Lee, Appl. Phys. Lett. 85, 5052 (2004).
12. S. Ju, K. Lee, D. B. Janes, M.-H. Yoon, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nano Lett. 5, 2281 (2005).
13. Y. Cheng, P. Xiong, L. Fields, J. P. Zheng, R. S. Yang, and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 093114 (2006).
14. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, C. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goņalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins, and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 2541 (2004).
15. R. M. Ma, L. Dai, and G. G. Qin, Appl. Phys. Lett. 90, 093109 (2007).
16. J. M. Mikkelson and L. R. Tomasetta, IEEE Trans. Semicond. Manuf. 16, 384 (2003).
17. R. Wang, Y. Cai, C.-W. Tang, K. M. Lau, and K. J. Chen, IEEE Electron Device Lett. 27, 793 (2006).
18. C. A. Lee, S. H. Jin, K. D. Jung, J. D. Lee, and B.-G. Park, Solid-State Electron. 50, 1216 (2006).
19. A. S. Sedra and K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 3rd ed. (Harcourt Brace College Publishers, Orlando, 1991), pp. 298-321.
20. W. Wang, H. D. Xiong, M. D. Edelstein, D. Gundlach, J. S. Suehle, C. A. Richter, W.-K. Hong, and T. Lee, J. Appl. Phys. 101, 044313 (2007).
21. W.-K. Hong, B.-J. Kim, T.-W. Kim, G. Jo, S. Song, S.-S. Kwon, A. Yoon, E. A. Stach, and T. Lee, Colloids Surf., A (to be published).
22. D. Wang, H. W. Seo, C.-C. Tin, M. J. Bozack, J. R. Williams, M. Park, N. Sathitsuksanoh, An-Jen Cheng, and Y. H. Tzeng, J. Appl. Phys. 99, 113509 (2006).
23. S. Ramo, J. R. Whinnery, and Th. Van Duzer, Fields and Waves in Communication Electronics, 3rd ed. (Wiley, New York, 1993), pp. 25-27.
24. F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohotomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys. 94, 7768 (2003).
25. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C.-H. Park, and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 064505 (2005).
26. H. S. Yang, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 87, 212106 (2005).