Lattice engineering of dielectric heterostructures on Si by isomorphic oxide-on-oxide epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 103, Issue 8, 2008, Pages

  Schroeder, T ^a   Costina, I ^a   Storck, P ^b   Wilke, A ^a   Seifarth, O ^a   Giussani, A ^a   Mussig H J ^a   Zaumseil, P ^a  

^a IHP   (Germany)

^b SILTRONIC AG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC PROPERTIES; EPITAXIAL GROWTH; LATTICE CONSTANTS; SILICON COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION;

DIELECTRIC HETEROSTRUCTURES; ISOMORPHIC OXIDE-ON-OXIDE EPITAXY; LATTICE ENGINEERING;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 43049135186     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2906031     Document Type: Article

References (54)

1. K. Eisenbeisser, J. M. Finder, Z. Yu, J. Ramdani, J. A. Curless, J. A. Hallmark, R. Droopad, W. J. Ooms, L. Salem, S. Bradshaw, and C. D. Overgaard, Appl. Phys. Lett. 76, 1324 (2000).
2. C. J. Först, C. R. Ashman, K. Schwarz, and P. E. Blöchl, Nature (London) 427, 53 (2004).
3. G. Delhaye, C. Merckling, M. El-Kazzi, G. Saint-Girons, M. Gendry, Y. Robach, G. Hollinger, L. Largeau, and G. Patriarche, J. Appl. Phys. 100, 124109 (2006).
4. J. W. Seo, J. Fompeyrine, A. Guiller, G. Norga, C. Marchiori, H. Siegwart, and J.-P. Locquet, Appl. Phys. Lett. 83, 5211 (2003).
5. C. Merckling, M. El-Kazzi, G. Delhaye, M. Gendry, G. Saint-Girons, G. Hollinger, L. Largeau, and G. Patriarche, Appl. Phys. Lett. 89, 232907 (2006).
6. H. Fukumoto, T. Imura, and Y. Osaka, Appl. Phys. Lett. 55, 360 (1989).
7. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Chabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, and J. M. Rosamilla, Appl. Phys. Lett. 77, 130 (2000).
8. S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk, and M. C. Copel, Appl. Phys. Lett. 77, 2710 (2000).
9. M. E. Hunter, M. J. Reed, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 76, 1935 (2000).
10. E. J. Tarsa, J. S. Speck, and McD. Robinson, Appl. Phys. Lett. 63, 539 (1993).
11. T. Schroeder, T.-L. Lee, J. Zegenhagen, C. Wenger, P. Zaumseil, and H.-J. Müssig, Appl. Phys. Lett. 85, 1229 (2004).
12. B. P. Tinkham, M. Takahasi, B. Jenichen, T. Watahiki, W. Braun, and K. H. Ploog, Semicond. Sci. Technol. 21, 1552 (2006).
13. L. Libralesso, T.-L. Lee, and J. Zegenhagen, Appl. Phys. Lett. 90, 222905 (2007).
14. S. Chen, Y. Y. Zhu, R. Xu, Y. Q. Wu, X. J. Wang, Y. L. Fan, F. Lu, Z. M. Jinag, and J. Zou, Appl. Phys. Lett. 88, 222902 (2006).
15. H. D. B. Gottlob, T. Mollenhauer, T. Wahlbrink, M. Schmidt, T. Echtermeyer, J. K. Efavi, M. C. Lemme, and H. Kurz, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 710 (2006).
16. M. Czernohorsky, E. Bugiel, H. J. Osten, A. Fissel, and O. Kirfel, Appl. Phys. Lett. 88, 152905 (2006).
17. S. C. Chang, S. Y. Deng, and J. Y. M. Lee, Appl. Phys. Lett. 89, 053504 (2006).
18. G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fanciulli, I. L. Feduskin, H. Schumann, Y. Lebedinskii, and A. Zenkevich, Appl. Phys. Lett. 85, 630 (2004).
19. Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics, Multifunctional Thin Film Series, edited by, S. Ogale, (Springer, Berlin, 2005).
20. N. A. Bojarczuk, M. Copel, S. Guha, V. Narayanan, E. J. Preisler, F. M. Ross, and H. Shang, Appl. Phys. Lett. 83, 5443 (2003).
21. J. W. Seo, Ch. Dieker, A. Tapponnier, Ch. Marchiori, M. Sousa, J.-P. Locquet, J. Fompeyrine, A. Ispas, C. Rossel, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, and A. Dimoulas, Microelectron. Eng. 84, 2328 (2007).
22. M. L. Keith and R. Roy, Am. Mineral. 39, 1 (1954).
23. V. Narayanan, S. Guha, N. A. Bojarczuk, and F. M. Ross, J. Appl. Phys. 93, 251 (2003).
24. D. O. Klenov, L. F. Edge, D. G. Schlom, and S. Stemmer, Appl. Phys. Lett. 86, 051901 (2005).
25. H. Tabata, E. Ishii, and H. Okuda, J. Cryst. Growth 52, 956 (1981).
26. D. Hesse and H. Bethge, J. Cryst. Growth 65, 69 (1983).
27. A. Seeger, Z. Metallkd. 44, 247 (1953).
28. A. Seeger, Z. Metallkd. 47, 653 (1956).
29. T. Schroeder, T.-L. Lee, L. Libralesso, I. Joumard, J. Zegenhagen, P. Zaumseil, Ch. Wenger, G. Lupina, G. Lippert, A. Mane, J. Dabrowski, and H.-J. Müssig, J. Appl. Phys. 97, 074906 (2005).
30. T. Schroeder, P. Zaumseil, G. Weidner, G. Lupina, Ch. Wenger, H.-J. Müssig, and P. Storck, J. Appl. Phys. 98, 123513 (2005).
31. L. R. Eyring and B. Holmberg, Adv. Chem. Ser. 39, 46 (1961),.
32. J. P. Liu, P. Zaumseil, E. Bugiel, and H.-J. Osten, Appl. Phys. Lett. 79, 671 (2001).
33. T. Schroeder, P. Zaumseil, G. Weidner, J. Dabrowski, H.-J. Müssig, and P. Storck, J. Appl. Phys. 99, 014101 (2006).
34. T. Schroeder, I. Costina, A. Giussani, G. Weidner, O. Seifarth, Ch. Wenger, P. Zaumseil, C. Mocuta, T. H. Metzger, D. Geiger, and H. Lichte, J. Appl. Phys. 102, 034107 (2007).
35. S. I. Ohmi, K. Tsutsui, and S. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 1121 (1994).
36. N. S. Sokolov, J. C. Alvarez, Yu. V. Shusterman, N. L. Yakovlev, R. M. Overney, Y. Itoh, I. Taka-hashi, and J. Harada, Appl. Surf. Sci. 104-105, 402 (1996).
37. C. R. Wang, B. H. Müller, and K. R. Hofmann, Thin Solid Films 410, 72 (2002).
38. J. D. McCullough and J. D. Britton, J. Am. Chem. Soc. 74, 5225 (1952).
39. R. C. Henderson, W. J. Polito, and J. Simpson, Appl. Phys. Lett. 16, 15 (1970).
40. G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks, and K. Raghavachari, Appl. Phys. Lett. 56, 656 (1990).
41. S. P. Garcia, H. Bao, and M. A. Hines, Surf. Sci. 541, 252 (2003).
42. V. De Renzi, R. Biagi, and U. del Pennino, Surf. Sci. 497, 247 (2002).
43. N. M. Jeutter, W. Moritz, A. Sidorenko, and A. Stierle, Appl. Phys. Lett. 90, 062906 (2007).
44. B. D. Cullity and S. R. Stock, Elements of X-Ray Diffraction (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 2001).
45. J. Als-Nielsen and D. McMorrow, Elements of Modern X-Ray Physics (Wiley, New York, 2001).
46. T. Schroeder, J. Dabrowski, G. Weidner, O. Seifarth, A. Giussani, and P. Zaumseil, J. Appl. Phys. (submitted).
47. A. Pasquarello, M. S. Hybertsen, and R. Car, Phys. Rev. B 53, 10942 (1996).
48. J. J. Chambers and G. N. Parsons, J. Appl. Phys. 90, 918 (2001).
49. J. J. Chambers and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 77, 2385 (2000).
50. F. Jollet, C. Noguera, N. Thromat, M. Gautier, and J. P. Duraud, Phys. Rev. B 42, 7587 (1990).
51. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeney, Y. J. Chabal, R. L. Opila, D. A. Muller, S. N. G. Chu, B. J. Sapjeta, T. S. Lay, J. P. Mannaerts, T. Boone, H. W. Krautter, J. J. Krajewski, A. M. Sergnt, and J. M. Rosamilla, J. Appl. Phys. 89, 3920 (2001).
52. G. Lupina, T. Schroeder, J. Dabrowski, Ch. Wenger, A. Mane, H.-J. Müssig, P. Hoffmann, and D. Schmeisser, J. Appl. Phys. 99, 114109 (2006).
53. H. Ogasawara and A. Kotani, Phys. Rev. B 44, 5465 (1991).
54. A. Kotani and H. Ogasawara, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 60, 257 (1992).