Growth and characterization of epitaxial Si/(LaxY1-x)2O3/Si heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 1, 2003, Pages 251-258

  Narayanan, Vijay ^a   Guha, Supratik ^a   Bojarczuk, Nestor A ^a   Ross, Frances M ^a  

^a IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL ORIENTATION; EPITAXIAL GROWTH; FLUORSPAR; HIGH ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; HIGH RESOLUTION ELECTRON MICROSCOPY; LANTHANUM COMPOUNDS; PHASE SEPARATION; PULSED LASER DEPOSITION; SEMICONDUCTING SILICON; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

LATTICE MATCHING;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0037246470     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1527715     Document Type: Article

References (33)

1. A. Dimoulas, A. Travlos, G. Vellianitis, N. Boukos, and K. Argyropoulos, J. Appl. Phys. 90, 4224 (2001).
2. M. H. Cho, D. H. Ko, K. Jeong, S. W. Whangbo, C. N. Wang, S. C. Choi, and S. J. Cho, J. Appl. Phys. 85, 2909 (1999).
3. T. Inoue, T. Ohsuna, L. Luo, X. D. Wu, C. J. Maggiore, Y. Yamamoto, Y. Sakurai, and J. H. Chang, Appl. Phys. Lett. 59, 3604 (1991).
4. H. J. Osten, J. P. Liu, E. Bugiel, H. J. Mussig, and P. Zaumseil, Mater. Sci. Eng., B 87, 297 (2001).
5. J. T. Jones, E. T. Croke, C. M. Garland, O. J. Marsh, and T. C. Mcgill, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2686 (1998).
6. C. G. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 2650 (2000).
7. T. Chikyow, L. Tye, N. A. El-Masry, and S. M. Bedair, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 318, 551 (1994).
8. R. T. Tung, J. C. Bean, J. M. Gibson, J. M. Poate, and D. C. Jacobson, Appl. Phys. Lett. 40, 684 (1982).
9. E. J. Tarsa, J. S. Speck, and M. Robinson, Appl. Phys. Lett. 63, 539 (1993).
10. M. H. Cho, D. H. Ko, Y. K. Choi, I. W. Lyo, K. Jeong, T. G. Kim, J. H. Song, and C. N. Whang, J. Appl. Phys. 89, 1647 (2001).
11. M. E. Hunter, M. J. Reed, N. A. El-Masry, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett. 76, 1935 (2000).
12. S. Guha, N. A. Bojarczuk, and V. Narayanan, Appl. Phys. Lett. 80, 766 (2002).
13. P. L. Flaitz and M. A. Gribelyuk (private communications).
14. M. Nieminen, M. Putkonen, and L. Niinisto, Appl. Surf. Sci. 174, 155 (2001).
15. JCPDS, International Center for Diffraction Data (1994).
16. F. Jollet, C. Noguera, N. Thromat, M. Gautier, and J. P. Duraud, Phys. Rev. B 42, 7587(1990).
17. H-J. Gao, D. Kumar, K. G. Cho, P. H. Holloway, R. K. Singh, X. D. Fan, Y. Yan, and S. J. Pennycook, Appl. Phys. Lett. 75, 2223 (1999).
18. R. L. Goettler, J. P. Maria, and D. G. Schlom, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 474, 333 (1997).
19. N. A. Bojarczuk and S. Guha (unpublished).
20. M. Yoshimoto, H. Nagata, T. Tsukahara, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L1199 (1990).
21. A. Dimoulas, G. Vellianitis, A. Travlos, V. Iaonnou-Sougleridis, and A. G. Nassiopoulou, J. Appl. Phys. 92, 426 (2002).
22. M. H. Cho, D. H. Ko, Y. G. Choi, K. Jeong, I. W. Lyo, D. Y. Noh, H. J. Kim, and C. N. Whang, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 192 (2001).
23. L. J. Schowalter, R. W. Fathauer, R. P. Geohner, L. G. Turner, R. W. Debleis, S. Hashimoto, J. L. Peng, W. M. Gibson, and J. P. Krusius, J. Appl. Phys. 58, 302 (1985).
24. C. W. T. Bulle-Lieuwma, D. E. W. Vandenhoudt, J. Henz, N. Onda, and H. Von Kanel, J. Appl. Phys. 73, 3220 (1993).
25. R. T. Tung, J. M. Gibson, and J. M. Poate, Phys. Rev. Lett. 50, 429 (1983).
26. D. R. Hamann, Phys. Rev. Lett. 60, 313 (1988).
27. T. Fuyuki, S. Muranaka, and H. Matsunami, Appl. Surf. Sci. 117/118, 123 (1997).
28. V. Narayanan, S. Guha, M. Copel, N. A. Bojarczuk, P, L. Flaitz, and M. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. (to be published).
29. P. M. J. Maree, J. C. Barbour, J. F. van der Veen, K. L. Kavanagh, C. W. T. Bulle-Liewma, and M. P. A. Viegers, J. Appl. Phys. 62, 4413 (1987).
30. F. Ernste and P. Pirouz, J. Appl. Phys. 64, 4526 (1988).
31. J. W. Mathews, A. E. Blakeslee, and S. Mader, Thin Solid Films 33, 253 (1976).
32. E. E. Simonyi (private communications).
33. H. R. Scott, Q. Williams, and E. Knittle, Phys. Rev. Lett. 88, 015506 (2001).