Investigation of trap effects in AlGaNGaN field-effect transistors by temperature dependent threshold voltage analysis

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 15, 2008, Pages

  Kordos P ^a,b   Donoval, D ^a   Florovic M ^a   Kovac J ^a   Gregusova D ^b  

^a SLOVAK UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Slovakia)

^b INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING   (Slovakia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; HETEROJUNCTIONS; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THRESHOLD VOLTAGE;

HIGH TEMPERATURE TREATMENT; NITROGEN VACANCY;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 42349092105     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2911727     Document Type: Article

References (22)

1. P. Kordoš, G. Heidelberger, J. Bernát, A. Fox, M. Marso, and H. Lüth, Appl. Phys. Lett. 87, 143501 (2005).
2. T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 76, 121 (2000).
3. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 2186 (2002).
4. P. Javorka, A. Alam, M. Marso, M. Wolter, J. Kuzmik, A. Fox, M. Heuken, and P. Kordoš, Microelectron. J. 34, 435 (2003).
5. S. Arulkumaran, Z. H. Liu, G. I. Ng, W. C. Cheong, R. Zeng, J. Bu, H. Wang, K. Radhakrishnan, and C. L. Tan, Thin Solid Films 515, 4517 (2007).
6. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi A 188, 219 (2001).
7. W. S. Tan, P. A. Houston, G. Hill, R. J. Airey, and P. J. Parbook, J. Electron. Mater. 32, 350 (2003).
8. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, Ch. H. Kuo, Ch. S. Chang, T. K. Lin, T. K. Ko, and J. J. Tang, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 2458 (2005).
9. C. K. Wang, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Wei, T. K. Lin, T. K. Ko, Y. Z. Chiou, and J. J. Tan, Mater. Sci. Eng., B 119, 25 (2005).
10. M.-J. Wang, B. Shen, F.-J. Xu, Y. Wang, J. Xu, S. Huang, Z.-J. Yang, Z.-X. Qin, and G.-Y. Zhang, Chin. Phys. Lett. 24, 1682 (2007).
11. P. Kordoš, D. Gregušová, R. Stoklas, Š. Gaži, and J. Novák, Solid-State Electron. (to be published) (available online).
12. M. Florovič, P. Kordoš, D. Donoval, D. Greguš ová, and J. Kováč, J. Electr. Eng. 59, 53 (2008).
13. P. Kordoš, D. Gregušová, R. Stoklas, K. Čičo, and J. Novák, Appl. Phys. Lett. 90, 123513 (2007).
14. C. H. Oxley, M. J. Uren, A. Coates, and D. H. Hayes, IEEE Trans. Electron Devices 53, 565 (2006).
15. N. Nepal, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jianga, Appl. Phys. Lett. 87, 242104 (2005).
16. Y. Q. Tao, D. J. Chen, Y. C. Kong, B. Shen, Z. L. Xie, P. Han, R. Zhang, and Y. D. Zheng, J. Electron. Mater. 35, 722 (2006).
17. M. J. Wang, B. Shen, F. J. Xu, Y. Wang, J. Xu, S. Huang, Z. J. Yang, K. Xu, and G. Y. Zhang, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 88, 715 (2007).
18. M. J. Wang, B. Shen, F. J. Xu, Y. Wang, J. Xu, S. Huang, Z. J. Yang, Z. X. Qin, and G. Y. Zhang, Phys. Lett. A 369, 249 (2007).
19. W. S. Tan, P. A. Houston, P. J. Parbrook, D. A. Wood, G. Hill, and C. R. Whitehouse, Appl. Phys. Lett. 80, 3207 (2002).
20. M. Marso, M. Wolter, P. Javorka, P. Kordoš, and H. Lüth, Appl. Phys. Lett. 82, 663 (2003).
21. D. C. Look, G. C. Farlow, P. J. Drevinsky, D. F. Bliss, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 83, 3525 (2003).
22. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo, and T. Hashizume, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1844 (2003).