High-power SiO2/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 14, 2005, Pages 1-3

  Kordos P ^a,b   Heidelberger, G ^c   Bernat J ^c   Fox, A ^c   Marso, M ^c   Luth H ^c  

^a INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERING   (Slovakia)

^b SLOVAK UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Slovakia)

^c FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CURRENTS; GALLIUM NITRIDE; MOS DEVICES; SILICA;

CURRENT GAIN; DRAIN SATURATION CURRENT; HIGH-POWER ELECTRONICS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 28344432001     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2058206     Document Type: Article

References (16)

1. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
2. M. A. Khan, G. Simin, J. Yang, J. Zhang, A. Koudymov, M. S. Shur, R. Gaska, X. Hu, and A. Tarakji, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 51, 624 (2003).
3. K. Balachander, S. Arulkumaran, Y. Sano, T. Egawa, and K. Baskar, Phys. Status Solidi A 202, R32 (2005).
4. E. M. Chumbes, J. A. Smart, T. Prunty, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 416 (2001).
5. V. Adivarahan, M. Gaevski, W. H. Sun, H. Fatima, A. Koudymov, S. Saygi, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, IEEE Electron Device Lett. 24, 541 (2003).
6. T. Hashizume, S. Ananthanasarn, N. Negoro, E. Sano, H. Hasegawa, K. Kumakura, and T. Makimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 43, L777 (2004).
7. P. D. Ye, B. Yang, K. K. Ng, J. Bude, G. D. Wilk, S. Halder, and J. C. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 063501 (2005).
8. D.-H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Ookita, and H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 4481 (2002).
9. Y. Cai, Y. G. Zhou, K. J. Chen, and K. M. Lau, Appl. Phys. Lett. 86, 032109 (2005).
10. M. B. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
11. T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inagaki, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1828 (2003).
12. J. Bernát, D. Gregušová, G. Heidelberger, A. Fox, M. Marso, H. Lüth, and P. Kordoš, Electron. Lett. 41, 667 (2005).
13. G. Simin, A. Koudymov, Z.-J. Yang, V. Adivarahan, J. Yang, and M. A. Khan, IEEE Electron Device Lett. 26, 56 (2005).
14. J. Bernát, P. Javorka, M. Marso, and P. Kordoš, Appl. Phys. Lett. 83, 5455 (2003).
15. P. Kordoš, J. Bernát, and M. Marso, Microelectron. J. 36, 438 (2005).
16. Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue, and M. Kuzuhara, IEEE Electron Device Lett. 24, 289 (2003).