Sputtered indium-tin-oxide on p-GaN

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 2, 2008, Pages

  Chang, S J ^a   Lan, C H ^a   Hwang, J D ^b,e   Cheng, Y C ^c   Lin, W J ^c   Lin, J C ^a   Chen, H Z ^d  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b DA YEH UNIVERSITY   (Taiwan)

^c CHUNG SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^d HSIUPING INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^e ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC PROPERTIES; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SPUTTERING; TIN OXIDES;

NITROGEN VACANCIES; PLASMA BOMBARDMENT;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 37549015599     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2820626     Document Type: Article

References (31)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys., 76, 8189 (1994).
2. S. J. Chang, C. H. Chen, P. C. Chang, Y. K. Su, P. C. Chen, Y. D. Jhou, H. Hung, C. M. Wang, and B. R. Huang, IEEE Trans. Electron Devices, 50, 2567 (2003).
3. W. H. Lan, IEEE Trans. Electron Devices, 52, 1217 (2005).
4. W. K. Wang, D. S. Wuu, S. H. Lin, P. Han, R. H. Horng, T. C. Hsu, D. T. C. Huo, M. J. Jou, Y. H. Yu, and A. K. Lin, IEEE J. Quantum Electron., 41, 1403 (2005).
5. Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, H. C. Kuo, and S. C. Wang, IEEE Photonics Technol. Lett., 18, 1152 (2006).
6. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, H. Y. Lin, and J. C. Ke, IEEE J. Quantum Electron., 39, 1439 (2003).
7. J. O. Song, D. S. Leem, J. S. Kwak, Y. Park, S. W. Chae, and T. Y. Seong, IEEE Photonics Technol. Lett., 17, 291 (2005).
8. R. H. Horng, S. H. Huang, C. C. Yang, and D. S. Wuu, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 12, 1196 (2006).
9. C. H. Kuo, C. M. Chen, C. W. Kuo, C. J. Tun, C. J. Pan, B. J. Pong, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett., 89, 201104 (2006).
10. S. Y. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B, 22, 1851 (2004).
11. K. M. Chang, J. Y. Chu, and C. C. Cheng, IEEE Photonics Technol. Lett., 15, 1807 (2004).
12. T. Margalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett., 74, 3930 (1999).
13. C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. C. Lin, Y. P. Hsu, S. C. Shei, S. C. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, Semicond. Sci. Technol., 18, L21 (2003).
14. S. Jang, B. S. Kang, F. Ren, N. W. Emanetoglu, H. Shen, W. H. Chang, B. P. Gila, M. Hlad, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc., 154, H336 (2007).
15. S. J. Pearton, J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett., 67, 2329 (1995).
16. A. T. Ping, A. C. Schmitz, I. Adesida, M. A. Khan, Q. Chen, and Y. W. Yang, J. Electron. Mater., 6, 266 (1997).
17. C. R. Eddy, Jr., and B. Molnar, J. Electron. Mater., 28, 314 (1999).
18. J. Y. Chen, C. J. Pan, and G. C. Chi, Solid-State Electron., 43, 649 (1999).
19. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999).
20. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. T. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove, IEEE Trans. Electron Devices, 47, 1320 (2000).
21. K. N. Lee, X. A. Cao, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. P. Zhang, F. Ren, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Solid-State Electron., 44, 1203 (2000).
22. S. J. Chang, C. H. Kuo, Y. K. Su, L. W. Wu, J. K. Sheu, T. C. Wen, W. C. Lai, J. F. Chen, and J. M. Tsai, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 744 (2002).
23. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, C. T. Lee, W. S. Chen, C. F. Shen, Y. P. Hsu, S. C. Shei, and H. M. Lo, IEEE Trans. Adv. Packag., 28, 273 (2005).
24. S. J. Chang, W. C. Lai, Y. K. Su, J. F. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 278 (2002).
25. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee, IEEE Photonics Technol. Lett., 16, 1447 (2004).
26. Z. Z. Chen, Z. X. Qin, Y. Z. Tong, X. M. Ding, X. D. Hu, T. J. Yu, Z. J. Yang, and G. Y. Zhang, Physica B, 334, 188 (2003).
27. Z. X. Qin, Z. Z. Chen, H. X. Zhang, X. M. Ding, X. D. Hu, T. J. Yu, Y. Z. Tong, and G. Y. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Process., 5, 473 (2003).
28. Y. J. Lin, Z. L. Wang, and H. C. Chang, Appl. Phys. Lett., 81, 5183 (2002).
29. C. J. Huang, Y. K. Su, and S. L. Wu, Mater. Chem. Phys., 84, 146 (2004).
30. Y. J. Lin, H. C. Chang, and B. Y. Liu, Appl. Phys. Lett., 90, 112112 (2007).
31. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett., 72, 1326 (1998).