Barrier inhomogeneity and electrical properties of PtGaN Schottky contacts

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 11, 2007, Pages

  Iucolano, Ferdinando ^a,b   Roccaforte, Fabrizio ^a   Giannazzo, Filippo ^a   Raineri, Vito ^a  

^a CNR IMM   (Italy)

^b UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRIC PROPERTIES; GAUSSIAN DISTRIBUTION; PLATINUM; THERMAL EFFECTS;

BARRIER INHOMOGENEITY; POSTDEPOSITION ANNEALING; SCHOTTKY CONTACTS; TEMPERATURE DEPENDENCE;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 37149029094     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2817647     Document Type: Article

References (35)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
2. A. Zhang, F. Ren, J. Han, S. Pearton, S. S. Park, Y. J. Park, and J. Chyi, in Wide Energy Bandgap Electronic Devices, edited by, F. Ren, and, J. C. Zolper, (World Scientific, Singapore, 2003).
3. Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics, edited by, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and, F. Ren, (Springer-Verlag, London, 2006).
4. E. H. Rhoderick and R. H. Williams, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon, Oxford, 1988).
5. L. Wang, M. I. Nathan, T.-H. Khan, and Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 68, 1267 (1995).
6. N. Miura, T. Oishi, T. Nanjo, M. Suita, Y. Abe, T. Ozeki, H. Ishikawa, and T. Egawa, IEEE Trans. Electron Devices 51, 297 (2004).
7. J. Xie, Y. Fu, X. Ni, S. Chevtchenko, and H. Morko̧, Appl. Phys. Lett. 89, 152108 (2006).
8. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
9. Y.-J. Lin, Q. Ker, C.-Y. Ho, H.-C. Chang, and F.-T. Chien, J. Appl. Phys. 94, 1819 (2003), and references therein.
10. M. L. Lee, J. K. Sheu, and S. W. Lin, Appl. Phys. Lett. 88, 032103 (2006).
11. M. Missous and E. H. Rhoderick, J. Appl. Phys. 69, 7142 (1991).
12. F. Roccaforte, F. La Via, V. Raineri, R. Pierobon, and E. Zanoni, J. Appl. Phys. 93, 9137 (2003).
13. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
14. J. D. Guo, F. M. Pan, M. S. Feng, R. J. Guo, P. F. Chou, and C. Y. Chang, J. Appl. Phys. 80, 1623 (1996).
15. L. S. Yu, Q. Z. Liu, Q. J. Xing, D. J. Qiao, S. S. Lau, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 84, 2099 (1998).
16. E. J. Miller, D. M. Schaadt, T. Yu, X. L. Sun, L. J. Brillson, P. Waltereit, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 94, 7611 (2003).
17. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
18. F. Roccaforte, F. Iucolano, F. Giannazzo, A. Alberti, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett. 89, 022103 (2006).
19. F. Iucolano, F. Roccaforte, F. Giannazzo, and V. Raineri, Appl. Phys. Lett. 90, 092119 (2007).
20. F. Iucolano, F. Roccaforte, A. Alberti, C. Bongiorno, S. Di Franco, and V. Raineri, J. Appl. Phys. 100, 123706 (2006).
21. F. Giannazzo, F. Roccaforte, V. Raineri, and S. F. Lotta, Europhys. Lett. 74, 686 (2006).
22. A. M. Witowski, K. Pakua, J. M. Baranowski, M. L. Sadowski, and P. Wyder, Appl. Phys. Lett. 75, 4154 (1999).
23. K. J. Duxstad, E. E. Haller, and K. M. Yu, J. Appl. Phys. 81, 3134 (1997).
24. Q. Z. Liu, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, N. R. Perkins, and T. F. Kuech, Appl. Phys. Lett. 70, 1275 (1997).
25. R. F. Schmitsdorf, T. U. Kampen, and W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1221 (1997).
26. R. T. Tung, Mater. Sci. Eng., R. 35, 1 (2001).
27. R. Hackam and P. Harrop, IEEE Trans. Electron Devices 19, 1231 (1972).
28. Y. Zhou, D. Wang, C. Ahyi, C.-C. Tin, J. Williams, M. Park, N. M. Williams, A. Hanser, and E. A. Preble, J. Appl. Phys. 101, 024506 (2007).
29. H. Ishikawa, K. Nakamura, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L7 (1998).
30. A. R. Arehart, B. Moran, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 100, 023709 (2006).
31. F. Iucolano, F. Giannazzo, F. Roccaforte, L. Romano, M. G. Grimaldi, and V. Raineri, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 257, 336 (2007).
32. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
33. J. H. Werner and H. H. Güttler, J. Appl. Phys. 69, 1522 (1991).
34. J. Sullivan, R. T. Tung, M. Pinto, and W. R. Graham, J. Appl. Phys. 70, 7403 (1991).
35. R. T. Tung, Phys. Rev. B 45, 13509 (1992).