Schottky contact and the thermal stability of Ni on n-type GaN

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 3, 1996, Pages 1623-1627

  Guo, J D ^a   Pan, F M ^b   Feng, M S ^a   Guo, R J ^a   Chou, P F ^b   Chang, C Y ^b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001181554     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363822     Document Type: Article

References (12)

1. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 28 (1994).
2. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
3. M. Asif Khan, A. R. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
4. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 60, 2917 (1992).
5. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, J. M. Van Hove, M. Blasingame, and L. F. Reitz, Appl. Phys. Lett. 63, 1 (1993).
6. M. E. Lin, Z. Ma, F. Y. Huang, Z. F. Fan, L. H. Allen, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 64, 1003 (1994).
7. J. S. Foresi and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 62, 2859 (1993).
8. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 63, 2676 (1993).
9. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Gaskill, Electron. Lett. 30, 909 (1994).
10. J. D. Guo, M. S. Feng, R. J. Guo, F. M. Pan and C. Y. Chang (unpublished).
11. L. F. Wanger, R. W. Young, and A. Sugerman, IEEE Electron Device Lett. EDL-4, 320 (1983).
12. R. H. Williams, V. Montgomery, and R. R. Varma, J. Phys. C 11, L735 (1978).