Impacts of gate recess and passivation on AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 2, 2007, Pages 478-484

  Chan, Chih Yuan ^a   Lee, Ting Chi ^b   Hsu, Shawn S H ^a   Chen, Leaf ^c   Lin, Yu Syuan ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

^c NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Current collapse; Flicker noise; GaN; Gate recess; HEMT; Passivation

Indexed keywords

FLICKERING; GALLIUM NITRIDE; MEASUREMENT THEORY; VOLTAGE CONTROL;

CURRENT COLLAPSE; FLICKER NOISE; GATE RECESS;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 34547900345     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.478     Document Type: Article

References (19)

1. K. Joshin, T. Kikkawa, H. Hayashi, T. Maniwa, S. Yokokawa, M. Yokoyama, N. Adachi, and M. Takikawa: IEDM. Tech. Dig., 2003, p. 983.
2. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 560.
3. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 465.
4. G. Koley, V. Tilak, L. F. Eastman, and M. G. Spencer: IEEE Trans. Electron Devices 50 (2003) 886.
5. A. V. Vertiatchikh and L. F. Eastman: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 535.
6. G. Simin, A. Koudymov, A. Tarakji, X. Hu, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2651.
7. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 2832.
8. N. Braga, R. Mickevicius, R. Gaska, M. S. Shur, M. A. Khan, and G. Simin: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4780.
9. N. Braga, R. Mickevicius, R. Gaska, M. S. Shur, M. A. Khan, and G. Simin: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 815.
10. G. Simin, A. Koudymov, H. Fatima, J. Zhang, J. Yang, M. A. Kahn, X. Hu, A. Tarakji, R. Gaska, and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 458.
11. P. Andreani and H. Sjoland: IEEE J. Solid-State Circuits 37 (2002) 342.
12. H. Ueda, M. Sugimoto, T. Uesugi, and T. Kachi: Compound Semiconductor MANTECH Conf., Vancouver, British Columbia, Canada, 2006.
13. S. Hsu, D. Pavlidis, and D. Sawdai: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 688.
14. J. A. Garrido, F. Calle, E. Munoz, I. Izpura, J. L. Sanchez-Rojas, R. Li, and K. L. Wang: Electron. Lett. 34 (1998) 2357.
15. A. Balandin, S. V. Morozon, S. Cai, R. Li, K. L. Wang, G. Wijeratne, and C. R. Viswanathan: IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 47 (1999) 1413.
16. S. Rumyantsev, M. E. Levinshtein, R. Gaska, M. S. Shur, J. W. Yang, and M. A. Khan: J. Appl. Phys. 87 (2000) 1849.
17. N. Pala, R. Gaska, S. Rumyantsev, M. S. Shur, M. A. Khan, X. Hu, G. Simin, and J. Yang: Electron. Lett. 36 (2000) 268.
18. E. Simoen and C. Claey: Solid-State Electron. 43 (1999) 865.
19. T. Mizutani, T. Okino, K. Kawada, Y. Ohno, S. Kishimoto, and K. Maezawa: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 195.