Low-frequency noise in AlGaN/GaN heterojunction field effect transistors on SiC and sapphire substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 4, 2000, Pages 1849-1854

  Rumyantsev, S ^a   Levinshtein, M E ^a   Gaska, R ^b   Shur, M S ^b   Yang, J W ^c   Khan, M A ^c  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

^b RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

^c UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000417076     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.372102     Document Type: Article

References (26)

1. F. N. Hooge, T. G. M. Kleinpenning, and L. K. J. Vandamme, Rep. Prog. Phys. 44, 479 (1981).
2. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Yang, and M. S. Shur Appl. Phys. Lett. 73, 1089 (1998).
3. M. E. Levinshtein, F. Pascal, S. Contreras, W. Knap, S. L. Rumyantsev, R. Gaska, J. W. Yang, and M. S. Shur. Appl. Phys. Lett. 72, 3053 (1998).
4. A. Balandin, S. Cai, R. Li, K. L. Wang, Vol. Ramgopal Rao, and C. R. Viswanathan, IEEE Electron Device Lett. 19, 475 (1998).
5. J. A. Garrido, F. Calle, E. Munoz, I. Izpura, J. L. Sanches-Rojas, R. Li, and K. L. Wang, Electron. Lett. 34, 2357 (1998).
6. R. H. Clevers, Physica B 154, 214 (1989).
7. F. N. Hooge and M. Tacano, Physica B 190, 145 (1993).
8. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, J. W. Palmour, and D. B. Slater, Jr., J. Appl. Phys. 81, 1758 (1997).
9. S. Tehrani, L. L. Hench, C. M. Van Vliet, and G. S. Bosman, J. Appl. Phys. 58, 1571 (1985).
10. R. Gaska, A. Osinsky, J. Yang, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 19, 89 (1998).
11. L. K. J. Vandamme, D. Rigaud, J.-M. Peransin, R. Alaberda, and J.-M. Dumas, IEEE Trans. Electron Devices 35, 1071 (1988).
12. L. K. J. Vandamme, D. Rigaud, and Jean-Marie Peransin, IEEE Trans. Electron Devices 39, 2377 (1992).
13. L. K. J. Vandamme, IEEE Trans. Electron Devices ED-41, 1936 (1994).
14. M. E. Levinshtein and S. L. Rumyantsev, Tech. Phys. Lett. 19, 247 (1993).
15. N. V. Dyakonova, M. E. Levinshtein, F. Pascal, and S. L. Rumyantsev, Semiconductors 31, 728 (1997).
16. L. K. J. Vandamme, IEEE Trans. Electron Devices ED-41, 2176 (1994).
17. N. V. D'yakonova, M. E. Levinshtein, J. W. Palmour, and S. L. Rumyantsev, Semicond. Sci. Technol. 10, 1126 (1995).
18. N. V. Dyakonova, M. E. Levinshtein, and S. L. Rumyantsev, Sov. Phys. Semicond. 25, 1241 (1991).
19. M. E. Levinshtein, Phys. Scr. 69, 79 (1997).
20. M. E. Levinshtein and S. L. Rumyantsev, Semicond. Sci. Technol. 9, 1183 (1994).
21. M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, D. Look, R. J. Molnar, M. A. Khan, G. Simin, V. Adivarahan, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 86, 5075 (1999).
22. . Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
23. M. E. Levinshtein and S. L. Rumyantsev, Sov. Phys. Semicond. 29, 74 (1995).
24. N. V. Dyakonova, M. E. Levinshtein, and S. L. Rumyantsev, Semicond. Sci. Technol. 11, 177 (1996).
25. J. A. Copeland, IEEE Trans. Electron Devices 18, 50 (1971).
26. E. G. Guk, N. V. D'yakonova, M. E. Levinshtein, and S. L. Rumyantsev, Sov. Phys. Semicond. 24, 513 (1990).