MBE growth and interface formation of compound semiconductor heterostructures for optoelectronics

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 244, Issue 8, 2007, Pages 2683-2696

  Tournié, Eric ^a   Trampert, Achim ^b  

^a UNIVERSITÉ MONTPELLIER II   (France)

^b PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34547785080     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200675623     Document Type: Article

References (52)

1. M. Tanaka, H. Sakaki, and J. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L155 (1986).
2. See, e.g., V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Epitaxy of nanostructures (Springer, Berlin, 2004), and references therein.
3. K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 301/302, 10 (2007).
4. M. Adachi, K. Ando, T. Abe, N. Inoue, A. Urata, S. Tsutsumi, Y. Hashimoto, H. Kasada, K. Katayama, and T. Nakamura, phys. stat. sol. (b) 243, 943 (2006).
5. E. Tournié, P. Brunet, C. Ongaretto, C. Morhain, J.-P. Faurie, R. Triboulet, and J. O. Ndap, J. Cryst. Growth 175/176, 577 (1997).
6. V. Bousquet, C. Ongaretto, M. Laugt, M. Behringer, E. Tournié, and J.-P. Faurie, J. Appl. Phys. 81, 7012 (1997).
7. V. Bousquet, E. Tournié, and J. P. Faurie, J. Cryst. Growth 192, 102 (1998).
8. C. H. Grein, J. P. Faurie, V. Bousquet, E. Tournié, R. Benedek, and T. de la Rubia, J. Cryst. Growth 178, 258 (1997).
9. E. Tournié and B. Gil, in Low-Dimensional Nitride Semiconductors, edited by B. Gil (Oxford University Press, London, 2002), pp. 415-455.
10. See, e.g., J. J. Harris Jr. et al., phys. stat. sol. (b) 244(8), 2707 (2007), this issue.
11. S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 76, 664 (1996).
12. I.-H. Ho and G. B. Stringfellow, J. Cryst. Growth 178, 1 (1997).
13. E. G. Bithell and W. M. Stobbs, Philos. Mag. A 60, 39 (1989).
14. M.-A. Pinault and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 79, 3404 (2001).
15. J. M. Chauveau, A. Trampert, K. H. Ploog, M. A. Pinault, and E. Tournié, Appl. Phys. Lett. 82, 3451 (2003).
16. Kong, A. Trampert, E. Tournié, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 87, 171901 (2005).
17. Y. Wei, A. Hood, H. Yau, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, M. Z. Tidrow, and V. Nathan, Appl. Phys. Lett. 86, 091109 (2005).
18. R. Rehm, J. Schmitz, J. Fleißner, M. Walther, J. Ziegler, W. Cabanski, and R. Breiter, phys. stat. sol. (c) 3, 435 (2006).
19. R. Teissier, D. Barate, A. Vicet, C. Alibert, A. N. Baranov, X. Marcadet, C. Renard, M. Garcia, C. Sirtori, D. Revin, and J. Cockburn, Appl. Phys. Lett. 85, 167 (2004).
20. J. Devenson, D. Barat, O. Cathabard, R. Teissier, and A. N. Baranov, Appl. Phys. Lett. 89, 191115 (2006).
21. J. B. Rodriguez, P. Christol, L. Cerutti, F. Chevrier, and A. Joullié, J. Cryst. Growth 274, 6 (2005).
22. B. Satpati, J. B. Rodriguez, A. Trampert, E. Tournié, A. Joullié, and P. Christel, J. Cryst. Growth 301/302, 889 (2007).
23. I. Prévot, B. Vinter, X. Marcadet, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 81, 3362 (2002).
24. J. B. Rodriguez, P. Christol, F. Chevrier, and A. Joullié, Physica E 28, 128 (2005).
25. J. B. Rodriguez, P. Christol, A. Ouvrard, F. Chevrier, P. Grech, and A. Joullié, Electron. Lett. 41, 362 (2005).
26. See also, e.g., R. Noetzel et al., phys. stat. sol. (b) 244(8), 2782 (2007), this issue.
27. W. J. Schaffer, M. D. Lind, S. P. Kowalczyk, and R. W. Grant, J. Vac. Sci. Technol. B 1, 688 (1983).
28. E. Tournié, K. H. Ploog, and M. Hohenstein, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1388 (1993).
29. E. Tournié, A. Trampert, and K. H. Ploog, Europhys. Lett. 25, 663 (1994).
30. E. Tournié and K. H. Ploog, Thin Solid Films 231, 43 (1993).
31. A. Trampert, E. Tournié, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 146, 368 (1995).
32. See, e.g., N. N. Ledentsov et al., J. Cryst. Growth 301/302, 914 (2007).
33. N. Deguffroy, M. Ramonda, A. N. Baranov, and E. Tournié, Proc. of the 12th International Conference on Narrow-Gap Semiconductors (NGS-12), Toulouse, 2005, Inst. Phys. Conf. Ser. 187, 93 (2006).
34. V. Tasco, N. Deguffroy, A. N. Baranov, E. Tournié, B. Satpati, and A. Trampert, phys. stat. sol. (b) 243, 3959 (2006).
35. V. Tasco, N. Deguffroy, A. N. Baranov, E. Tournié, B. Satpati, A. Trampert, M. Dunaevskii, and A. N. Titkov, Appl. Phys. Lett. 89, 263118 (2006).
36. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and V. Kumar, J. Appl. Phys. 81, 5821 (1997).
37. E. Tournié, N. Grandjean, A. Trampert, J. Massies, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 150, 460 (1995).
38. J. Massies and N. Grandjean, Phys. Rev. B 48, 8502 (1993).
39. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).
40. J. Massies and N. Grandjean, Phys. Rev. Lett. 71, 1411 (1993).
41. J. H. Huang, K. Y. Hsieh, J. K. Tsai, H. L. Huang, C. H. Hsieh, Y. C. Lee, K. L. Chuang, I. Lo, and L. W. Tu, J. Cryst. Growth 263, 301 (2004).
42. Z. H. Feng, H. Yang, S. M. Zhang, L. H. Duan, H. Wang, and Y. T. Wang, J. Cryst. Growth 235, 207 (2002).
43. S. Nicolay, E. Feltin, J. F. Carlin, M. Mosca, L. Nevou, M. Tchernycheva, F. H. Julien, M. Ilegems, and N. Grandjean, Appl. Phys. Lett. 88, 151902 (2006).
44. G. H. Yu, B. L. Lei, H. H. Ye, S. Meng, M. Qi, A. Z. Li, P. Ruterana, J. Chen, and G. Nouet, J. Ceram. Process. Res. 7, 180 (2006).
45. X. Z. Shang, W. C. Wang, S. D. Wu, Z. G. Xing, L. W. Guo, W. X. Wang, Q. Huang, and J. M. Zhou, Semicond. Sci. Technol. 19, 519 (2004).
46. D. S. Jiang, Y. H. Qu, H. Q. Ni, D. H. Wu, Y. Q. Xu, and Z. C. Niu, J. Cryst. Growth 288, 12 (2006).
47. R. Timm, H. Eisele, A. Lenz, T. Y. Kim, F. Streicher, K. Potschke, U. W. Pohl, D. Bimberg, and M. Dahne, Physica E 32, 25 (2006).
48. S. W. Jun, G. B. Stringfellow, J. K. Shurtleff, and R. T. Lee, J. Cryst. Growth 235, 15 (2002).
49. A. D. Howard, D. C. Chapman, and G. B. Stringfellow, J. Appl. Phys. 100, 044904 (2006).
50. R. Kaspi, D. C. Reynolds, K. R. Evans, and E. N. Taylor, Inst. Phys. Conf. Ser. 141, 57 (1995).
51. S. R. Johnson, Y. G. Sadofyev, D. Ding, Y. Cao, S. A. Chaparro, K. Franzreb, and Y. H. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 1436 (2004).
52. See, e.g., V. P. Vasil'ev and J. P. Gachon, Inorg. Mater. 42, 1176 (2006).