The physics and technology of gallium antimonide: An emerging optoelectronic material

Journal of Applied Physics

Volumn 81, Issue 9, 1997, Pages 5821-5870

  Dutta, P S ^a,c   Bhat, H L ^a   Kumar, Vikram ^b  

^a INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE   (India)

^b SOLID STATE PHYSICS LABORATORY   (India)

^c RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0346408305     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.365356     Document Type: Article

References (424)

1. R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 65, 3 (1983).
2. Special Issue On Low Loss Fibers, IEEE Lightwave Technol. LT-2 (1984).
3. A. G. Milnes and A. Y. Polyakov, Solid-State Electron. 36, 803 (1993).
4. H. Xie, J. Piao, J. Katz, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 70, 3152 (1991).
5. V. Swaminathan and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and InP based structures (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1991), Chap. 1.
6. G. Motosugi and T. Kagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 2303 (1980).
7. M. B. Z. Morosini, J. L. Herrera-Perez, M. S. S. Loural, A. A. G. Von Zuben, A. C. F. da Silveira, and N. B. Patel, IEEE J. Quantum Electron. QE-29, 2103 (1993).
8. O. Hildebrand, W. Kuebart, K. W. Benz, and M. H. Pilkuhn, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 284 (1981); see also O. Hildebrand, W. Kuebart, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 37, 801 (1980).
9. O. Hildebrand, W. Kuebart, K. W. Benz, and M. H. Pilkuhn, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 284 (1981); see also O. Hildebrand, W. Kuebart, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 37, 801 (1980).
10. K. Segawa, H. Miki, M. Otsubo, and K. Shirata, Electron. Lett. 12, 124 (1976).
11. C. Hilsum and H. D. Rees, Electron. Lett. 6, 277 (1970).
12. L. Esaki, J. Cryst. Growth 52, 227 (1981).
13. L. M. Frass, G. R. Girard, J. E. Avery, B. A. Arau, V. S. Sundaram, A. G. Thompson, and J. M. Gee, J. Appl. Phys. 66, 3866 (1989); see also D. J. Williams and L. M. Fraas, in Proceedings of the 2nd NREL Conference on TPV Generation of Electricity, Colorado Springs, CO, edited by J. P. Benner, T. J. Coutts, and D. S. Ginley (AIP, New York, 1996), p. 134.
14. L. M. Frass, G. R. Girard, J. E. Avery, B. A. Arau, V. S. Sundaram, A. G. Thompson, and J. M. Gee, J. Appl. Phys. 66, 3866 (1989); see also D. J. Williams and L. M. Fraas, in Proceedings of the 2nd NREL Conference on TPV Generation of Electricity, Colorado Springs, CO, edited by J. P. Benner, T. J. Coutts, and D. S. Ginley (AIP, New York, 1996), p. 134.
15. See the NETSCAPE homepages: DRA highlights, diode laser gas sensors, etc.
16. P. S. Dutta, Ph.D. thesis, Indian Institute of Science, Bangalore, India, 1995.
17. G. Benz and R. Conradt, Phys. Rev. B 16, 843 (1977).
18. G. Muller, J. Cryst. Growth 99, 1242 (1990); also see the NETSCAPE Homepage: http://www.space.ca/cfzf/bkgnd.html
19. R. D. Baxter, R. T. Bate, and F. J. Reid, J. Phys. Chem. Solids 26, 41 (1965).
20. F. J. Reid, R. D. Baxter, and S. E. Miller, J. Electrochem. Soc. 133, 713 (1966).
21. C. Anayama, T. Tanahashi, H. Kuwatsuka, S. Nishiyama, S. Isozumi, and K. Nakajima, Appl. Phys. Lett. 56, 239 (1990).
22. K. F. Longenbach and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 59, 2427 (1991).
23. V. M. Goldschmidt, Skrifter Norshe Vide. Akads. Oslo I: Mat. Naturv. Kl. VIII (1926).
24. G. Giesecke and H. Pfister, Acta Crystallogr. 11, 369 (1958).
25. W. Koster and B. Thoma, Z. Metallkd. 46, 291 (1955).
26. I. G. Greenfield and R. L. Smith, Trans. AIME 203, 351 (1955).
27. G. A. Kalyuzhnaya, L. K. Polushina, and D. N. Tretyakov, Russ. J. Inorg. Chem. 9, 813 (1964).
28. R. N. Hall, J. Electrochem. Soc. 110, 385 (1963).
29. Constitution of Binary Alloys, edited by M. Hansen (McGraw-Hill, New York, 1958), p. 755.
30. Yu. T. Zakharov and M. S. Mirgalovskaya, Izv. Akad. Nauk SSSR, Neorg. Mater. 3, 1739 (1967).
31. D. R. Lide, in CRC Handbook of Chemistry and Physics, 72nd ed. (CRC, New York, 1991), p. 5.61.
32. W. P. Allred, in Compound Semiconductors, edited by R. K. Willardson and H. L. Goering (Reinhold, New York, 1962), Vol. I, pp. 187-193.
33. M. Kumagawa, H. Oka, N. V. Quang, and Y. Hayakawa, Jpn. J. Appl. Phys. 19, 753 (1980).
34. S. Tohno and A. Katsui, J. Electrochem. Soc. 128, 1614 (1981).
35. Y. Ohmori and K. Sugii, J. Cryst. Growth 56, 39 (1982).
36. K. K. Ozolis and E. Y. Kokorish, Growth of Crystals 4, 150 (1966).
37. D. Effer and P. J. Etter, J. Phys. Chem. Solids 25, 451 (1964).
38. K. Wade and A. J. Banister, The Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium and Thallium (Pergamon, New York, 1973), p. 1082.
39. J. C. Brice and M. J. King, Nature (London) 199, 897 (1963).
40. K. B. McAfee, Jr., D. M. Gay, R. S. Hozack, R. A. Laudise, G. Schwartz, and W. A. Sunder, J. Cryst. Growth 76, 263 (1986).
41. W. A. Sunder, R. L. Barns, T. Y. Kometani, J. M. Parsey, Jr., and R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 78, 9 (1986).
42. S. Minomura and H. G. Drickamer, Phys. Chem. Solids 23, 451 (1962).
43. A. Jayaraman, W. Klement, Jr., and G. C. Kennedy, Phys. Rev. 130, 540 (1963).
44. J. C. Jamieson, Science 139, 845 (1963).
45. G. V. Ozolins, G. K. Averkieva, N. A. Goryunova, and A. F. Ievins, Sov. Phys. Crystallogr. 8, 207 (1963).
46. A. S. Jordan, J. Cryst. Growth 71, 551 (1985).
47. F. Moravec, J. Cryst. Growth 128, 457 (1993).
48. W. P. Allred and R. T. Bate, J. Electrochem. Soc. 108, 258 (1961).
49. S. Kondo and S. Miyazama, J. Cryst. Growth 56, 39 (1982).
50. A. Katsui and C. Uemura, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L318 (1980).
51. S. Miyazama, S. Kondo, and M. Naganuma, J. Cryst. Growth 49, 670 (1980).
52. B. Cockayne, V. M. Steward, G. T. Brown, V. R. MacEwan and M. I. Young, J. Cryst. Growth 58, 267 (1982).
53. F. Moravec and Y. Tomm, Cryst. Res. Technol. 22, K30 (1987).
54. V. Sestakova and B. Stepanek, Thermochim. Acta 209, 277 (1992).
55. P. G. Mo, H. Z. Tan, L. X. Du, and X. Q. Fan, J. Cryst. Growth 126, 613 (1993).
56. A. Watanabe, A. Tanaka, and T. Sukegawa, J. Cryst. Growth 128, 462 (1993).
57. M. Kumagawa, Y. Asaba, and S. Yamada, J. Cryst. Growth 41, 245 (1977).
58. M. Kumagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 2297 (1977); see also M. Kumagawa, J. Cryst. Growth 44, 291 (1978).
59. M. Kumagawa, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 2297 (1977); see also M. Kumagawa, J. Cryst. Growth 44, 291 (1978).
60. See the NETSCAPE homepage: www.canadian-content.com/aboutus.html/firebird/index.html
61. T. Migauchi and H. Sonomura, Jpn. J. Appl. Phys. 4, 317 (1965).
62. F. Moravec, V. Sestakova, B. Stepanek, and V. Charvat, Cryst. Res. Technol. 24, 275 (1989).
63. C. E. M. Oliveira and M. M. G. de Carvalho, J. Cryst. Growth 151, 9 (1995).
64. M. Harsy, T. Gorog, E. Lendvay, and F. Koltai, J. Cryst. Growth 53, 234 (1981).
65. U. N. Roy and S. Basu, Bull. Mater. Sci. 13, 27 (1990).
66. M. Harsy, F. Koltai, and T. Gorog, Acta Phys. Hung. 57, 245 (1985).
67. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Cryst. Growth 141, 44 (1994).
68. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Cryst. Growth 141, 476 (1994).
69. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Cryst. Growth 154, 213 (1995).
70. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Ind. Inst. Sci. 76, 235 (1996).
71. T. Duffar, J. M. Gourbil, P. Boiton, P. Dusserre, and N. Eustathopoulos, J. Cryst. Growth (in press); P. Boiton, Ph.D. thesis, Universite Montpellier-III, 1996.
72. T. Duffar, J. M. Gourbil, P. Boiton, P. Dusserre, and N. Eustathopoulos, J. Cryst. Growth (in press); P. Boiton, Ph.D. thesis, Universite Montpellier-III, 1996.
73. A. G. Ostrogorsky, US Patent No. 5,047,113 (1991).
74. W. Lewadowski, N. Gajewska, B. Pastuszka, and M. Bugajski, Acta Phys. 57, 303 (1985).
75. J. P. Garandet, T. Duffar, and J. J. Favier, J. Cryst. Growth 96, 888 (1989).
76. G. Muller and G. Neumann, J. Cryst. Growth 63, 58 (1983).
77. K. W. Benz and G. Muller, J. Cryst. Growth 46, 35 (1979).
78. V. A. Gevorkyan, L. V. Golubev, V. N. Karyaev, Yu. V. Shartsev, and I. L. Shul'pina, Sov. Phys. Tech. Phys. 24, 1216 (1979).
79. G. Bischopink and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 128, 466 (1993).
80. E. Lendvay, M. Harsy, T. Gorog, I. Pozsgai, F. Koltai, J. Gyulai, T. Lohner, G. Mezey, E. Koltai, F. Paszti, V. T. Hrjapov, N. A. Kultchisky, and L. L. Regel, J. Cryst. Growth 71, 538 (1985).
81. L. L. Regel and O. V. Shumaev, J. Cryst. Growth 119, 70 (1992).
82. G. Bischopink and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 108, 465 (1991); see also G. Bischopink and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 128, 470 (1993).
83. G. Bischopink and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 108, 465 (1991); see also G. Bischopink and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 128, 470 (1993).
84. J. P. Garandet, T. Duffar, and J. J. Favier, J. Cryst. Growth 106, 426 (1990).
85. K. J. Bachmann, F. A. Thiel, H. Schreiber, Jr., and J. J. Rubin, J. Electron. Mater. 9, 445 (1980).
86. J. F. Yee, M. C. Lin, K. Sarma, and W. R. Wilcox, J. Cryst. Growth 30, 185 (1975).
87. J. C. Wooley and B. A. Smith, Proc. Phys. Soc. London, Sec. B 72, 214 (1958).
88. I. Ansara, M. Gambino, and J. P. Bros, J. Cryst. Growth 32, 101 (1976).
89. A. Joullie, J. Allegre, and G. Bougnot, Mater. Res. Bull. 7, 1101 (1972).
90. C. Marin, P. S. Dutta, E. Dieguez, P. Dusserre, and T. Duffar, J. Cryst. Growth (in press).
91. A. Joullie, P. Gautier, and E. Monteil, J. Cryst. Growth 47, 100 (1979).
92. C. Heinz and W. Schmidt Auf Altenstadt, J. Cryst. Growth 67, 393 (1984).
93. F. Capasso, M. B. Panish, and S. Sumski, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 273 (1981).
94. C. Woelk and K. W. Benz, J. Cryst. Growth 27, 177 (1974).
95. S. S. Chandvankar and B. M. Arora, J. Cryst. Growth 80, 69 (1987).
96. P. Gladkov, E. Monova, and J. Weber, J. Cryst. Growth 146, 319 (1995).
97. A. Hojo and I. Kuru, J. Appl. Phys. Suppl. 43, 226 (1974).
98. C. Pickering, J. Phys. C 13, 2959 (1980).
99. H. Miki, K. Segawa, and K. Fujibayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 13, 203 (1974).
100. P, S. Dutta, K. S. R. Koteswara Rao, H. L. Bhat, K. Gopalakrishna Naik, and Vikram Kumar, J. Cryst. Growth 152, 14 (1995).
101. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Bull. Mater. Sci. 18, 865 (1996).
102. N. Holonyak, Jr., D. C. Jillson, and S. F. Bevacqua, Met. Soc. Conf., 1961, p. 49.
103. R. B. Clough and J. J. Tietjen, Trans. AIME 245, 583 (1969).
104. M. Kakehi, R. Shimokawa, and T. Arizumi, Jpn. J. Appl. Phys. 9, 9 (1970).
105. T. Arizumi, M. Kakehi, and R. Shimogawa, J. Cryst. Growth 9, 151 (1971).
106. N. Kitamura, M. Kakehi, J. Shen, and T. Wada, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 995 (1981).
107. W. Jakowetz, W. Ruhle, K. Breuninger, and M. Pilkuhn, Phys. Status Solidi A 12, 169 (1972).
108. H. M. Manasevit and K. L. Hess, J. Electrochem. Soc. 126, 2031 (1979).
109. J. Shin, A. Verma, G. B. Stringfellow, and R. W. Gedridge, Jr., J. Cryst. Growth 151, 1 (1995).
110. C. B. Cooper, R. R. Saxena, and M. J. Ludowise, J. Electron. Mater. 11, 1001 (1982).
111. S. K. Haywood, A. B. Henriques, N. J. Mason, R. J. Nicholas, and P. J. Walker. Semicond. Sci. Technol. 3, 315 (1988).
112. F. Pascal, F. Delannoy, J. Bougnot, L. Gouskov, G. Bougnot, P. Grosse, and J. Kaoukab, J. Electron. Mater. 19, 187 (1990).
113. G.-Y. Wei and R.-W. Peng, J. Electron. Mater. 23, 217 (1994).
114. T. F. Keuch and E. Veuhoff, J. Cryst. Growth 68, 148 (1984).
115. C. H. Chen, C. T. Chiu, L. C. Su, K. T. Huang, J. Shin, and G. B. Stringfellow, J. Electron. Mater. 22, 87 (1993).
116. M. Kodama and M. Kimata, J. Cryst. Growth 73, 641 (1985).
117. S. M. Newstead, T. M. Kerr, and C. E. C. Wood, J. Appl. Phys. 66, 4184 (1989).
118. S. Subbanna, G. Tuttle, and H. Kroemer, J. Electron. Mater. 17, 297 (1988).
119. Y. Zhu, Y. Takeda, and A. Sasaki, J. Appl. Phys. 64, 1897 (1988).
120. I. Poole, M. E. Lee, I. R. Cleverley, A. R. Peaker, and K. E. Singer, Appl. Phys. Lett. 57, 1645 (1990).
121. S. J. Eglash, H. K. Choi, and C. W. Turner, J. Cryst. Growth 111, 601 (1991).
122. T. H. Chin, S. A. Ditzenberger, H. S. Luftman, W. T. Tsang, and N. T. Ha, Appl. Phys. Lett. 56, 1688 (1990).
123. J. H. Chen and A. Y. Cho, J. Cryst. Growth 111, 619 (1991).
124. T. D. McLean, T. M. Kerr, D. I. Westwood, C. E. C. Wood, and D. F. Howell, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 601 (1986).
125. I. Poole, M. E. Lee, K. E. Singer, T. E. F. Frost, T. E. Kerr, C. E. C. Wood, D. A. Andrews, W. J. M. Rothwell, and C. J. Davies, J. Appl. Phys. 63, 395 (1988).
126. T. Kaneko, H. Asahi, Y. Itani, Y. Okuno, and S. Gonda, J. Cryst. Growth 111, 638 (1991).
127. K. Yamamoto, H. Asahi, T. Hayashi, K. Asami, and S. Gonda, J. Cryst. Growth 164, 117 (1996).
128. Y. Sato, K. Matsushita, T. Hariu, and Y. Shibata, Appl. Phys. Lett. 44, 592 (1984).
129. M. E. Straumanis and C. D. Kim, J. Appl. Phys. 36, 3822 (1965).
130. V. M. Glazov, S. N. Chizhevskaya, and S. B. Evgen'ev, Zh. Fiz. Khim. 43, 373 (1969).
131. F. Donald Bloss, Crystallography and Crystal Chemistry: An Introduction (Holt, Rinehart and Winston, New York, 1971).
132. K. Aoki, E. Anastassakis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 30, 681 (1984).
133. U. Piesbergen, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966). Chap. 3, Vol. 2.
134. N. M. Kochetkora and T. N. Rezukhina, Chem. Abstracts 56, 4167E (1962).
135. M. G. Holland in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966), Chap. 1, Vol. 2.
136. S. J. Fray, F. A. Johnson, and R. H. Jones, Proc. Phys. Soc. London 76, 939 (1960).
137. W. Cochran, S. J. Fray, J. E. Quarrington, and N. Williams, J. Appl. Phys. 32, 2102 (1961).
138. S. K. Joshi and S. S. Mitra, Proc. Phys. Soc. London 76, 295 (1960).
139. J. K. D. Verma, B. D. Nag, and P. S. Nair, Z. Naturforschung 19a, 1561 (1964).
140. E. F. Steigmeier, Appl. Phys. Lett. 3, 6 (1963).
141. W. F. Boyle and R. J. Sladek, Phys. Rev. B 11, 2933 (1975).
142. M. K. Farr, J. G. Taylor, and S. K. Sinha, Phys. Rev. B 11, 1587 (1975).
143. P. B. Klein and R. K. Chang, Phys. Rev. B 14, 2498 (1976).
144. S. I. Novikova and N. Kh. Abrikosov, Sov. Phys. Solid State 5, 1558 (1963).
145. L. Bernstein and R. J. Beals, J. Appl. Phys. 32, 122 (1961).
146. S. I. Novikova, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966), Vol. 2, Chap. 2.
147. M. G. Holland, Phys. Rev. 134, A471 (1964).
148. M. G. Holland, Proc. Int. Conf. Phys. Semicond. Paris, 1964, p. 713.
149. J. M. Ziman, Philos. Mag. 1, 191 (1956).
150. R. W. Keyes, Phys. Rev. 122, 1171 (1961).
151. A. Griffin and P. Carruthers, Phys. Rev. 131, 1976 (1963).
152. E. F. Steigmeier and I. Kudman, Phys. Rev. 141, 767 (1966).
153. E. F. Steigmeier and I. Kudman, Phys. Rev. 132, 508 (1963).
154. J. R. Chelikowsky and M. L. Cohen, Phys. Rev. B 14, 556 (1976).
155. T. C. Chiang and D. E. Eastman, Phys. Rev. B 22, 2940 (1980).
156. D. E. Aspnes, C. G. Olson, and D. W. Lynch, Phys. Rev. B 14, 4450 (1976).
157. W. Ruhle, W. Jakowetz, C. Woelk, R. Linnebach, and M. Pilkuhn, Phys. Status Solidi B 73, 225 (1973).
158. A. Joullie, A. Z. Eddine, and B. Girault, Phys. Rev. B 23, 928 (1981).
159. O. Madelung, Physics of III-V Compounds (Wiley, New York, 1964).
160. C. Alibert, A. Joullie, A. M. Joullie, and C. Ance, Phys. Rev. B 27, 4946 (1983).
161. C. D. Kourkoutas, P. D. Bekris, G. J. Papaioannou, and P. C. Euthymiou, Solid State Commun. 49, 1071 (1984).
162. A. A. Kopylov, Solid State Commun. 56, 1 (1985).
163. M. Reine, R. L. Aggarwal, and B. Lax, Phys. Rev. B 5, 3033 (1972).
164. G. Dresselhaus, A. F. Kip, and C. Kittel, Phys. Rev. 98, 368 (1955).
165. P. C. Mathur and S. Jain, Phys. Rev. B 19, 3152 (1979).
166. M. W. Heller and R. G. Hamerly, J. Appl. Phys. 57, 4626 (1985).
167. J. L. Robert, B. Pistoulet, D. Barjon, and A. Raymond, J. Phys. Chem. Solids 34, 2221 (1973).
168. J. D. Wiley, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1975), Vol. 10.
169. R. A. Stradling, Phys. Lett. 20, 217 (1966).
170. D. A. Hill and C. F. Schwerdtfeger, J. Phys. Chem. Solids 35, 1533 (1974).
171. H. J. Lee and J. C. Woolley, Can. J. Phys. 59, 1844 (1981).
172. M. E. Lee, I. Poole, W. S. Truscott, I. R. Cleverley, K. E. Singer, and D. M. Rohlfing, J. Appl. Phys. 68, 131 (1990).
173. A. Sagar, Phys. Rev. 117, 93 (1960).
174. A. J. Strauss, Phys. Rev. 121, 1087 (1961).
175. T. O. Yep and W. M. Becker, J. Appl. Phys. 37, 456 (1966).
176. R. D. Baxter and F. J. Reid, Bull. Am. Phys. Soc. 10, 599 (1965).
177. D. Long and R. J. Hager, J. Appl. Phys. 36, 3436 (1965).
178. D. Long, J. D. Zook, P. W. Chapman, and O. N. Tufte, Solid State Commun. 2, 191 (1964).
179. R. D. Baxter, F. J. Reid, and A. C. Beer, Phys. Rev. 162, 718 (1967).
180. H. Brooks, in Advances in Electronics and Electron Physics (Academic, New York, 1955), Vol. 7, p. 156.
181. A. I. Lebedev and I. A. Strel'nikova, Sov. Phys. Semicond. 13, 229 (1979).
182. E. J. Johnson, I. Filinskj, and H. Y. Fan, in Report of the International Conference on the Physics of Semiconductors, Exeter, 1962 (The Institute of Physics and The Physical Society, London, 1962), p. 375.
183. K. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 1085 (1981).
184. M. A. Habegger and H. Y. Fan, Phys. Rev. 138, 598 (1965).
185. I. K. Lazareva and V. M. Stuchebnikov, Sov. Phys. Semicond. 4, 550 (1970).
186. A. S. Kyuregyan, I. K. Lazareva, V. M. Stuchebnikov, and A. E. Yunovich, Sov. Phys. Semicond. 6, 208 (1972).
187. M. D'Olne Campos, A. Gouskov, L. Gouskov, and J. C. Pons, Phys. Status Solidi A 2, 779 (1970).
188. T. O. Yep and W. M. Becker, Phys. Rev. 144, 741 (1966).
189. D. Kranzer, Phys. Status Solidi A 26, 11 (1974).
190. J. Kolodziejczak, S. Zukotynski, and H. Stramska, Phys. Status Solidi 14, 471 (1966).
191. P. S. Dutta, V. Prasad, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Appl. Phys. 80, 2847 (1996); see also P. S. Dutta, B. Mendez, J. Piqueras, E. Dieguez, and H. L. Bhat, ibid. 80, 1112 (1996).
192. P. S. Dutta, V. Prasad, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, J. Appl. Phys. 80, 2847 (1996); see also P. S. Dutta, B. Mendez, J. Piqueras, E. Dieguez, and H. L. Bhat, ibid. 80, 1112 (1996).
193. G. R. Johnson, B. C. Cavenett, T. M. Kerr, P. B. Kirby, and C. E. C. Wood, Semicond. Sci. Technol. 3, 1157 (1988).
194. H. N. Leifer and W. C. Dunlap, Jr., Phys. Rev. 95, 51 (1954).
195. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27, 985 (1983).
196. M. Cardona, in Proceedings of the International Conference Semiconductor Physics, Prague (Czech Acadamy of Science, Prague and Academic Press, New York 1961), p. 388.
197. H. P. R. Frederikse and R. F. Blunt, Proc. IRE 43, 1828 (1955).
198. M. A. Habegger and H. Y. Fan, Bull. Am. Phys. Soc. 8, 245 (1963).
199. F. Lukes, Czech. J. Phys. 6, 359 (1956).
200. C. Hilsum and A. C. Rose-Innes, Semiconducting III-V Compounds (Macmillan, Pergamon, New York, 1961).
201. G. W. Gobeli and F. G. Allen, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966), Vol. 2, Chap. 11.
202. N. Bloembergen, R. K. Chang, J. Ducuing, and P. Lallemand, Bull. Am. Phys. Soc. 9, 269 (1964).
203. E. Burstein, Phys. Rev. 93, 632 (1954); and T. S. Moss, Proc. Phys. Soc. London, Sec. B 76, 775 (1954).
204. E. Burstein, Phys. Rev. 93, 632 (1954); and T. S. Moss, Proc. Phys. Soc. London, Sec. B 76, 775 (1954).
205. A. R. Calawa, J. Appl. Phys. 34, 1660 (1963).
206. H. J. Hrostowski and C. S. Fuller, J. Phys. Chem. Solids 4, 155 (1958).
207. F. Stern, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966), Vol. 2, Chap. 14.
208. I. Hirai and T. Obokata, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 956 (1982).
209. Y. Ohmori, K. Sugii, S. Akai, and K. Matsumoto, J. Cryst. Growth 60, 79 (1982).
210. A. Katsui and C. Uemura, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1106 (1982).
211. J. Doerschel and U. Geissler, J. Cryst. Growth 121, 781 (1992).
212. A. Van Mau, M. Averous, and G. Bougnot, Mater. Res. Bull. 7, 857 (1972).
213. M. I. Aliev, G. I. Safaraliev, and S. G. Abdinova, Phys. Status Solidi 22, 741 (1967).
214. F. Moravec, V. Sestakova, B. Stepanek, and V. Charvat, Cryst. Res. Technol. 24, 275 (1989).
215. Y. J. Van Der Muelen, J. Phys. Chem. Solids 28, 25 (1967).
216. M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, and N. Kitamura, J. Appl. Phys. 68, 6153 (1990).
217. W. Ruhle and D. Bimberg, Phys. Rev. B 12, 2382 (1975).
218. M. Lee, D. J. Nicholas, K. E. Singer, and B. Hamilton, J. Appl. Phys. 59. 2895 (1986).
219. P. S. Dutta, K. S. R. Koteswara Rao, K, S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. A 61, 149 (1995).
220. D. J. Nicholas, M. Lee, B. Hamilton, and K. E. Singer, J. Cryst. Growth 81, 298 (1987).
221. P. S. Dutta, H. L. Bhat, K. S. Sangunni, and Vikram Kumar, in Seventh International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India (Narosa, New Delhi, 1993), p. 459.
222. M. S. Mirgalovskaya, G. V. Kukuladze, and V. A. Kokoshkin, Neorg. Mater. 4, 694 (1968).
223. H. Xu, Phys. Rev. B 46, 12 251 (1992).
224. V. Sestakova and B. Stepanek, J. Cryst. Growth 146, 87 (1995).
225. R. N. Hall and J. H. Racette, J. Appl. Phys. 32, 856 (1961).
226. V. Sestakova, B. Stepanek, J. Sestak, P. Hubik, and V. Smid, Mater. Sci. Eng. B 21, 14 (1993).
227. I. I. Burdiyan, Sov. Phys. Semicond. 7, 449 (1973).
228. W. Jakowetz, D. Barthruff, and K. W. Benz, in Proceedings of the 6th International Symposium on GaAs and related compounds, edited by C. Hilsum (London Inst. Phys., London, 1976), p. 41.
229. W. Ruhle, W. Jakowetz, and M. H. Pilkuhn, in Proceedings of the International Conference on Luminescence, Leningrad, 1972, p. 444.
230. A. S. Kyuregyan, I. K. Lazareva, V. M. Stuchebnikov, and A. E. Yunovich, Sov. Phys. Semicond. 6, 208 (1972).
231. A. Ya Vul', L. V. Golubev, T. A. Polyanskaya, and Yu. V. Shmartsev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 3, 786 (1969).
232. B. B. Kosicui, W. Paul, A. J. Strauss, and G. W. Iseler, Phys. Rev. Lett. 17, 1175 (1966).
233. G. W. Iseler and A. J. Strauss, Bull. Am. Phys. Soc. 12, 404 (1967).
234. J. F. Chen and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 70, 277 (1991).
235. A. Ya. Vul, G. L. Bir, and Y. V. Shmartsev, Sov. Phys. Semicond. 4, 2005 (1971).
236. B. B. Kosicki and W. Paul, Phys. Rev. Lett. 17, 246 (1966).
237. K. Hoo, W. M. Becker, and R. Y. Sun, Solid State Commun. 18, 313 (1976).
238. A. K. Chin and W. A. Bonner, Appl. Phys. Lett. 40, 248 (1982).
239. B. Stepanek, V. Sestakova, P. Hubik, V. Smid, and V. Charvat, J. Cryst. Growth 126, 617 (1993).
240. B. Stepanek and V. Sestakova, J. Cryst. Growth 123, 306 (1992).
241. P. S. Dutta, K. S. R. Koteswara Rao, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. Lett. 65, 1412 (1994).
242. M. Mizutsa, M. Tachikawa, H. Kukimoto, and S. Minomura, Jpn. J. Appl. Phys. 1 24, L143 (1985).
243. P. M. Mooney, N. S. Caswel, and S. L. Wright, Jpn. J. Appl. Phys. 62, 4786 (1987).
244. P. Hubik, J. J. Mares, J. Kristofik, A. Baraldi, C. Ghezzi, and A. Parisini, Semicond. Sci. Technol. 10, 455 (1995).
245. P. Hubik, V. Smid, J. Kristofik, B. Stepanek, and V. Sestakova, Solid State Commun. 86, 19 (1993).
246. A. Y. Polyakov, M. Stam, A. G. Milnes, and T. E. Schlesinger, Mater. Sci. Eng. B 12, 337 (1992).
247. E. Kuramochi, N. Kondo, Y. Takanashi, and M. Fujimoto, Appl. Phys. Lett. 63, 2664 (1993).
248. E. I. Georgitse, L. M. Gutsulyak, V. I. Ivanov-Omskii, V. F. Masterov, V. A. Smirnov, and K. F. Shtel'makh, Sov. Phys. Semicond. 26, 50 (1992).
249. E. I. Georgitse, L. M. Gutsulyak, V. I. Ivanov-Omskii, V. F. Masterov, V. A. Smirnov, and Sh. U. Yuldashev, Sov. Phys. Semicond. 25, 959 (1991); 25, 1180 (1991); 25, 1219 (1991).
250. E. I. Georgitse, L. M. Gutsulyak, V. I. Ivanov-Omskii, V. F. Masterov, V. A. Smirnov, and Sh. U. Yuldashev, Sov. Phys. Semicond. 25, 959 (1991); 25, 1180 (1991); 25, 1219 (1991).
251. E. I. Georgitse, L. M. Gutsulyak, V. I. Ivanov-Omskii, V. F. Masterov, V. A. Smirnov, and Sh. U. Yuldashev, Sov. Phys. Semicond. 25, 959 (1991); 25, 1180 (1991); 25, 1219 (1991).
252. E. I. Georgitse, L. M. Gutsulyak, V. I. Ivanov-Omskii, V. M. Pogorletskji, and A. N. Titkov, Sov. Tech. Phys. Lett. 17, 614 (1991).
253. R. L. Mieher, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1966), Vol. 2, Chap. 7.
254. D. J. Oliver, J. Phys. Chem. Solids 11, 257 (1959).
255. F. H. Eisen and C. E. Birchenall, Acta Metall. 5, 265 (1957).
256. B. I. Boltaks and Yu. A. Gutorov, Sov. Phys. Solid State 1, 930 (1960).
257. V. A. Uskov, Sov. Phys. Semicond. 8, 1573 (1975).
258. D. Mathiot and G. Edelin, Philos. Mag. A 41, 447 (1980).
259. J. Bougnot, L. Szepessy, and S. F. Du Cunha, Phys. Status Solidi 26, K127 (1968).
260. S. F. Du Cunha and J. Bougnot, Phys. Status Solidi A 22, 205 (1974).
261. R. Kaiser and H. Y. Fan. Phys. Rev. 138, A156 (1965).
262. P. Barman, U. N. Roy, and S. Basu, Mater. Lett. 10, 203 (1990).
263. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. Lett. 65, 1695 (1994).
264. P. S. Dutta, K. S. R. Koteswara Rao, H. L. Bhat. and Vikram Kumar, J. Appl. Phys. 77, 4825 (1995).
265. M. Perotin, P. Coudray, L. Gouskov, H. Luquet, C. Llinares, J. J. Bonnet, L. Soonckindt, and B. Lambert, J. Electron. Mater. 23, 7 (1994).
266. A. Y. Polyakov, S. J. Pearton, R. G. Wilson, P. Rai-Choudhury, R. J. Hillard, X. J. Bao, M. Stam, A. G. Milnes, T. E. Schlesinger, and J. Lopata, Appl. Phys. Lett. 60, 1318 (1992).
267. V. Sestakova, B. Stepanek, J. J. Mares, and J. Sestak, J. Cryst. Growth 140, 426 (1994).
268. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Phys. Rev. B 51, 2153 (1995).
269. A. Y. Polyakov, A. G. Milnes, Xiaolei Li, A. A. Balmashnov, and N. B. Smirkov, Solid State Electron. 38, 1743 (1995).
270. Z. Lu, Y. Jiang, W. I. Wang, M. C. Teich, and R. M. Osgood, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1856 (1992).
271. P. S. Dutta, K. S. Sangunni, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, Appl. Phys. Lett. 66, 1986 (1995).
272. P. S. Dutta, A. K. Sreedhar, H. L. Bhat, G. C. Dubey, Vikram Kumar, E. Dieguez, U. Pal, and J. Piqueras, J. Appl. Phys. 79, 3246 (1996).
273. B. A. Parkinson, A. Heller, and B. Miller, J. Electrochem. Soc. 126, 954 (1979).
274. K. M. Schirm, P. Soukiassian, P. S. Mangat, Z. Hurych, L. Soonckindt, and J. J. Bonnet, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1867 (1992).
275. J. G. Buglass, T. D. Mclean, and D. G. Parker, J. Electrochem. Soc. 133, 2565 (1986).
276. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, in Proceedings of MRS Fall Meeting, Boston, MA, 1995.
277. P. S. Dutta, H. L. Bhat, and Vikram Kumar, in Proceedings of the Eighth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India (Narosa, New Delhi, 1995), p. 467.
278. U. Pal, J. Piqueras, P. S. Dutta, H. L. Bhat, Vikram Kumar, and E. Dieguez, in Proceedings of MRS Fall Meeting, Boston, MA, 1995.
279. H. C. Gatos, M. C. Lavine, and E. P. Warekois, J. Electrochem. Soc. 108, 645 (1961).
280. J. W. Faust, Jr., in Compound Semiconductors, Preparation of III-V Compounds, edited by R. K. Willardson and H. L. Goering (Reinhold, Chapman and Hall, London, 1962), Vol. 1, Chap. 50.
281. J. W. Faust, Jr. and A. Sagar, J. Appl. Phys. 31, 331 (1960).
282. R. W. Haisty, J. Electrochem. Soc. 108, 790 (1961).
283. L. J. Gomez Zazo, M. T. Montojo, J. L. Castano, and J. Piqueras, J. Appl. Phys. 136, 1480 (1989).
284. M. Kodama, J. Hasegawa, and M. Kimata, J. Electrochem. Soc. 132, 659 (1985).
285. F. W. O. DeSilva, M. Silga, C. Raisin, and L. Lassabatere, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 75 (1990).
286. B. Mendez, P. S. Dutta, J. Piqueras, and E. Dieguez, Appl. Phys. Lett. 67, 2648 (1995); see also P. S. Dutta, C. Marin, E. Dieguez, and H. L. Bhat, J. Cryst. Growth 160, 207 (1996).
287. B. Mendez, P. S. Dutta, J. Piqueras, and E. Dieguez, Appl. Phys. Lett. 67, 2648 (1995); see also P. S. Dutta, C. Marin, E. Dieguez, and H. L. Bhat, J. Cryst. Growth 160, 207 (1996).
288. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, W. S. Hobson, and A. P. Kinsella, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 607 (1990).
289. D. Haneman, in Compound Semiconductors, Preparation of III-V Compounds, edited by R. K. Willardson and H. L. Goering (Reinhold, Chapman and Hall, London, 1962), Vol. 1, Chap. 47.
290. A. G. Milnes, M. Ye, and M. Stam, Solid State Electron. 37, 37 (1994).
291. J. B. B. Oliveira, C. A. Olivieri, J. C. Galzerani, A. A. Pasa, and F. C. de Prince, J. Appl. Phys. 66, 5484 (1989).
292. C. H. Heinz and W. Schmidt, Electron. Lett. 18, 859 (1982).
293. B. Tadayon, C. S. Kyono, M. Fatemi, S. Tadayon, and J. A. Mittereder, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1 (1995).
294. K. I. Anastasiou, IEEE Trans. Electron Devices ED-40, 878 (1993).
295. C. H. Heinz, Int. J. Electron. 54, 254 (1983).
296. N. Koshizaki, M. Kudo, M. Owari, Y. Nihei, and H. Kamada, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L349 (1980).
297. J. R. Lince and R. S. Williams, Thin Solid Films 137, 251 (1986).
298. R. Veresegyhazy, I. Mojzes, and E. Lendvay, Thin Solid Films 138, L55 (1986).
299. F. A. Padovani and R. Stratton, Solid State Electron. 9, 695 (1966).
300. G. W. Gobelli and F. G. Allen, Phys. Rev. A 137, 245 (1965).
301. D. Mao, A. Kahn, and L. Soonckindt, Phys. Rev. B 40, 5579 (1989).
302. C. A. Mead, Solid State Electron. 9, 1023 (1966).
303. W. E. Spicer, P. W. Chye, P. R. Skeath, C. Y. Su, and I. Lindau, J. Vac. Sci. Technol. 16, 1422 (1979).
304. P. W. Chye, I. Landau, P. Pianetta, C. M. Garner, C. Y. Su, and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 18, 5545 (1978).
305. P. W. Chye, I. Landau, P. Pianetta, C. M. Garner, and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 17, 2682 (1978).
306. C. A. Mead and W. G. Spitzer, Phys. Rev. Lett. 22, 1433 (1980).
307. R. Chin, R. A. Milano, and H. D. Law, Electron. Lett. 16, 626 (1980).
308. Y. Nagao, T. Hariu, and Y. Shibata, IEEE Trans. Electron Devices ED-28, 407 (1981).
309. T. D. Mclean, T. M. Kerr, D. I. Westwood, S. R. Blight, D. Page, and C. E. C. Wood, in Gallium Arsenide and Related Compounds 1985, Inst. Phys. Conf. Series Vol. 79, edited by M. Fujimoto (Institute of Physics, Bristol, 1985), p. 349.
310. I. Poole, M. E. Lee, and K. E. Singer, Semicond. Sci. Technol. 6, 881 (1991).
311. S. A. Walters and R. H. Williams, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1421 (1988).
312. Y. K. Su, N. Y. Li, F. S. Juang, and S. C. Wu, J. Appl. Phys. 68, 646 (1990).
313. I. Poole, M. E. Lee, M. Missous, and K. E. Singer, J. Appl. Phys. 62, 3988 (1987).
314. Y. K. Su, N. Y. Li, and F. S. Juang, Solid State Electron. 34, 426 (1991).
315. P. K. Vasudev, B. L. Mattes, E. Pietras, and R. H. Bube, Solid State Electron. 19, 557 (1976).
316. S. A. Walters and R. H. Williams, Mater. Sci. Eng. B 9, 51 (1991).
317. S. S. Tan and A. G. Milnes, Mater. Sci. Eng. B 21, 94 (1993).
318. P. S. Dutta, H. L. Bhat, K. S. Sangunni, and Vikram Kumar, in Seventh International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi (Narosa, New Delhi, 1993), p. 564.
319. M. Nishida, Surf. Sci. 99, L384 (1980).
320. C. W. Wilmsen, J. Vac. Sci. Technol. 19, 279 (1981).
321. S. W. Teare and C. W. Fischer, J. Appl. Phys. 68, 2983 (1990).
322. N. Kitamura, T. Kikuchi, M. Kakehi, and T. Wada, Jpn. J. Appl. Phys. 1 23, 1534 (1984).
323. S. Basu, N. Basu, and P. Barman, Mater. Sci. Eng. B 9, 47 (1991).
324. F. Capasso, M. B. Panish, S. Sumski, and P. W. Foy, Appl. Phys. Lett. 36, 165 (1980).
325. C. Heinz, Electron. Lett. 22, 276 (1986).
326. A. Y. Polyakov, M. Stam, R. G. Wilson, Z. Q. Fang, P. Rai-Choudhury, R. J. Hillard, and A. G. Milnes, J. Appl. Phys. 72, 1316 (1992).
327. A. N. Baranov, T. I. Voronina, N. S. Zimogorova, L. M. Kanskaya, and Y. P. Yakovlev, Sov. Phys. Semicond. 19, 1030 (1985).
328. A. Krier, M. K. Parry, and D. S. Lanchester, Semicond. Sci. Technol. 6. 1066 (1991).
329. S. J. Pearton, A. R. Von Neida, J. M. Brown, K. T. Short, L. J. Oster, and U. K. Chakrabarti, J. Appl. Phys. 64, 629 (1988).
330. K. S. Jones and S. J. Santana, J. Mater. Res. 6, 1048 (1991).
331. R. Callec, P. N. Farannec, M. Salvi, H. L'Haridon, and M. Gauneau, Appl. Phys. Lett. 59, 1872 (1991).
332. G. Panin, P. S. Dutta, J. Piqueras, and E. Dieguez, Appl. Phys. Lett. 67, 3584 (1995).
333. A. N. Titkov, G. N. Iluridze, I. F. Mironov, and V. A. Cheban, Sov. Phys. Semicond. 20, 14 (1986).
334. D. Yevick and W. Bardyszewski, Appl. Phys. Lett. 51, 124 (1987).
335. H. J. Gossmann, G. P. Schwartz, B. A. Davidson, and G. J. Gualtieri, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 764 (1989).
336. H. J. Gossmann, B. A. Davidson, G. J. Gualtieri, G. P. Schwartz, A. T. Macrander, S. E. Sluzky, M. H. Grabow, and W. A. Sunder, J. Appl. Phys. 66, 1687 (1989).
337. Y. Takeda, S. Noda, and A. Sasaki, J. Appl. Phys. 57, 1261 (1985).
338. S. C. Chen, Y. K. Su, and F. S. Juang, J. Cryst. Growth 92, 118 (1988).
339. H. Luquet, L. Gouskov, M. Perotin, A. Jean, A. Rjeb, T. Zarouri, and G. Bougnot, J. Appl. Phys. 60, 3582 (1986).
340. J. L. Lazarri, J. L. Leclerc, P. Grunberg, A. Joullie, B. Lambert, D. Barbusse, and R. Fourcade, J. Cryst. Growth 123, 465 (1992).
341. J. L. Lazzari, E. Tournie, F. Pilard, A. Joullie, and B. Lambert, Mater. Sci. Eng. B 9, 125 (1991).
342. A. Joullie, F. J. Hua, F. Karouta, and H. Mani, J. Cryst. Growth 75, 309 (1986).
343. P. S. Dutta, H. L. Bhat, Vikram Kumar, N. V. Sochinskii, and E. Dieguez, J. Cryst. Growth 160, 177 (1996).
344. K. F. Longenbach, S. Xin, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 69, 3393 (1991).
345. S. K. Haywood, A. B. Henriques, D. F. Howell, N. J. Mason, R. J. Nicholas, and P. J. Walker, in 14th International Symposium on GaAs and Related Compounds (Inst. of Physics, Bristol, 1989), Vol. 91, p. 271.
346. S. K. Haywood, R. W. Martin, N. J. Mason, R. J. Nicholas, and P. J. Walker, J. Cryst. Growth 107, 422 (1991).
347. M. Lakrimi, R. W. Martin, N. J. Mason, R. J. Nicholas, and P. J. Walker, J. Cryst. Growth 110, 677 (1991).
348. A. Giani, J. Bougnot, F. Pascal-Delannoy, G. Bougnot, J. Kaoukab, and G. G. Allogho, M. Bow, Mater. Sci. Eng. B 9, 101, 121 (1991).
349. Y. K. Su, F. S. Juang, N. Y. Li, K. J. Gan, and T. S. Wu, Solid State Electron. 34, 815 (1991).
350. S. Adachi, J. Appl. Phys. 61, 4869 (1987).
351. P. S. Dutta, A. K. Sreedhar, H. L. Bhat, G. C. Dubey, Vikram Kumar, and E. Dieguez, Appl. Phys. Lett. 67, 1001 (1995).
352. Y. Horikoshi, in Semiconductors and Semimetals (Academic, New York. 1985), Vol. 22C, p. 93.
353. J. P. van der Ziel, T. H. Chiu, and W. T. Tsang. J. Appl. Phys. 60, 4087 (1986).
354. C. Caneau, A. K. Srivastava, A. G. Dentai, J. L. Zyskind, and M. A. Pollack, Electron. Lett. 21, 815 (1985).
355. C. Caneau, A. K. Srivastava, A. G. Dentai, J. L. Zyskind, C. A. Burrus, and M. A. Pollack, Electron. Lett. 22, 992 (1986).
356. C. Caneau, J. L. Zyskind, J. W. Sulhoff, T. E. Glover, J. Centanni, C. A. Burrus, A. G. Dentai, and M. A. Pollack, Appl. Phys. Lett. 51, 704 (1987).
357. T. H. Chiu, J. L. Zyskind, and W. T. Tsang, J. Electron. Mater. 16, 57 (1987).
358. A. E. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, R. G. Eliseev, and B. N. Sverdlov, Sov. J. Quantum Electron. 18, 1362 (1988).
359. S. J. Eglash, H. K. Choi, and G. W. Turner, J. Cryst. Growth 111, 669 (1991).
360. S. J. Eglash and H. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 57, 1292 (1990).
361. N. Toba and K. Nosu, Electron. Lett. 23, 188 (1986).
362. A. N. Baranov, Appl. Phys. Lett. 59, 2360 (1991).
363. H. Kuwatsuka, T. Mikawa, S. Miura, N. Yasuoka, M. Ito, T. Tanahashi, and O. Wada, J. Appl. Phys. 70, 2169 (1991).
364. D. Kasemset, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 1595 (1981).
365. L. Gouskov, B. Orsal, M. Perotin, M. Karim, A. Sabir, P. Coudray, S. Kibeya, and H. Luquet, Appl. Phys. Lett. 60, 3030 (1992).
366. K. Brennan, K. Hess, and Y. C. Chang, J. Appl. Phys. 57, 1971 (1985).
367. H. Luquet, M. Perotin, L. Gouskov, C. Llinares, H. Archidim, M. Lahbadi, M. Karim, and B. Mbow, J. Appl. Phys. 68, 3861 (1990).
368. S. Miura, T. Mikawa, H. Kuwatsuka, N. Yasuoka, T. Tanahashi, and O. Wada, Appl. Phys. Lett. 54, 2422 (1989).
369. Y. Jiang, M. C. Teich, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 67, 2488 (1990).
370. S. M. Bedair, J. Electrochem. Soc. 122, 1150 (1975).
371. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. Z. Zhingarev, V. I. Korol'kov, M. P. Mikhailova, and Y. P. Yakovlev, Sov. Phys. Semicond. 19, 987 (1985); Appl. Phys. Lett. 60, 3030 (1992).
372. I. A. Andreev, A. N. Baranov, M. Z. Zhingarev, V. I. Korol'kov, M. P. Mikhailova, and Y. P. Yakovlev, Sov. Phys. Semicond. 19, 987 (1985); Appl. Phys. Lett. 60, 3030 (1992).
373. M. Mebarki, T. Belatoui, A. Joullie, B. Orsal, and R. Alabedra, J. Appl. Phys. 68, 4106 (1990).
374. J. E. Bauers, A. K. Srivastava, C. A. Burras, J. C. Dewinter, M. A. Pollack, and J. L. Zyskind, Electron. Lett. 22, 137 (1986).
375. A. M. Fox, A. C. Machiel, J. F. Ryan, and T. Kerr, Appl. Phys. Lett. 51, 430 (1987).
376. See the NETSCAPE Homepage of the Naval Research Laboratory, U.S.A., by Bennet and co-workers on GaSb/GaAs epitaxy.
377. J. D. Kim, S. Kim, D. Wu, J. Wojkowski, J. Xu, J. Piotrowski, E. Bigan, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 67, 2645 (1995).
378. Y. Z. Liu, I. Deyhimy, J. S. Harris, Jr., R. J. Anderson, J. Appelbaum, and J. M. Pollard, Appl. Phys. Lett. 36, 458 (1980).
379. T. H. Chiu and A. F. J. Levi, Appl. Phys. Lett. 55, 1891 (1989).
380. K. Taira, K. Funato, F. Nakamura, and H. Kawai, J. Appl. Phys. 69, 4454 (1991).
381. K. Taira, F. Nakamura, K. Funato, and H. Kawai, Inst. Phys. Conf. Ser. 112, 489 (1990).
382. K. Taira, F. Nakamura, I. Hase, H. Kawai, and Y. Mori, J. Cryst. Growth 107, 952 (1991).
383. A. Furukawa and M. Mizuta, Electron. Lett. 24, 1378 (1988).
384. L. F. Luo, K. F. Longenbach, and W. I. Wang, in International Electron Devices Meeting Abstracts, IEEE CH2865, 1990, p. 515.
385. K. F. Longenbach, R. Beresford, and W. I. Wang. IEEE Trans. Electron Devices ED-37, 2265 (1990).
386. Y. Kanji, D. Kiyomi, H. Taniguchi, M. Yaho, and M. Ihoue, Inst. Phys. Conf. Ser. 120, 173 (1991).
387. P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, N. N. Iedenstov, B. Y. Mel'tser, M. Y. Nadtochil, and V. M. Ustinov, Sov. Phys. Semicond. 24, 450 (1990).
388. J. Werking, G. Tuttle, C. Nguyen, E. L. Hu, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 57, 905 (1990).
389. C. R. Bolognesi, E. J. Caine, and H. Kroemer, IEEE Electron Device Lett. EDL-15, 16 (1994).
390. S. Tehrani, J. Shen, H. Goronkin, G. Kramer, R. Tsui, and T. X. Zhu, IEEE Electron Device Lett. EDL-16, 557 (1995).
391. L. L. Chang and L. Esaki, Surf. Sci. 98, 70 (1980).
392. D. Z. Y. Ting, E. T. Yu, D. A. Collins, D. H. Chow, and T. C. McGill, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 810 (1990).
393. E. T. Yu, D. A. Collins, D. Z. Y. Ting, D. H. Chow, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett. 57, 2675 (1990).
394. D. A. Collins, D. H. Chow, E. T. Yu, D. Z. Y. Ting, J. R. Soderstrom, Y. Rajakarunannayake, T. C. McGill, and T. J. Watson, presented at NATO-ARW Workshop, El Escorial, Spain, 14-18 May, 1990.
395. J. R. Soderstrom, D. H. Chow, and T. C. McGill, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 27 (1990).
396. J. F. Chen, M. C. Wu, L. Yang, and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 68, 3040 (1990).
397. J. F. Chen, M. C. Wu, L. Yang, A. Y. Cho, and T. C. McGill, IEEE Electron Device Lett. EDL-11, 532 (1990).
398. J. F. Chen, L. Yang, M. C. Wu, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 68, 3451 (1990).
399. L. Yang, M. C. Wu, J. F. Chen, Y. K. Chen, G. L. Snider, and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 68, 4286 (1990).
400. L. Yang, J. F. Chen, and A. Y. Cho, J. Appl. Phys. 68, 2997 (1990).
401. G. Tuttle, H. Kroemer, and J. H. Eglash, J. Appl. Phys. 65, 5239 (1989).
402. L. F. Luo, R. Beresford, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 55, 2023 (1989).
403. L. F. Luo, R. Beresford, and K. F. Longenbach, J. Appl. Phys. 68, 2854 (1990).
404. K. F. Longenbach, L. F. Luo, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 1554 (1990).
405. M. Iwata, Y. Nakahara, and I. Hirosawa, Inst. Phys. Conf. Ser. 106, 459 (1989).
406. G. P. Schwartz, G. J. Gualtieri, and W. A. Sunder, J. Cryst. Growth 102, 147 (1990).
407. Y. Jiang, M. C. Teich, and W. I. Wang, Appl. Phys. Lett. 57, 2922 (1990).
408. E. C. Carr, T. H. Wood, C. A. Burrus, and T. H. Chiu, Appl. Phys. Lett. 53, 2305 (1988).
409. H. Xie, W. I. Wang, and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 76, 92 (1994).
410. H. Xie, W. I. Wang, J. R. Meyer, and L. R. Rammohan, Appl. Phys. Lett. 65, 2048 (1994).
411. B. Brar, H. Kroemer, and J. Eglish, J. Cryst. Growth 127, 752 (1993).
412. X. C. Zhang, B. B. Hu, S. H. Xin, and D. H. Auston, Appl. Phys. Lett. 57, 753 (1990).
413. B. Lambert, Y. Toudic, Y. Rouillard, M. Baudet, B. Guenais, B. Deveaud, I. Valiente, and J. C. Simon, Mater. Sci. Eng. B 21, 185 (1993).
414. N. J. Kawai, L. L. Chang, G. A. Sai-Halasz, C. A. Chang, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 36, 369 (1980).
415. H. Munekata, E. E. Mendez, Y. Iye, and L. Esaki, Surf. Sci. 174, 449 (1986).
416. T. D. Golding, J. A. Dura, W. C. Wang, J. T. Zborowski, A. Vigliante, H. C. Chen, and J. R. Meyer, J. Cryst. Growth 127, 777 (1993).
417. B. R. Bennett, R. Magno, and B. V. Shanabrook, Appl. Phys. Lett. 68, 505 (1996).
418. B. R. Bennett, B. V. Shanabrook, and R. Magno, Appl. Phys. 68, 958 (1996).
419. B. R. Bennett, P. M. Thibado, M. E. Twigg, E. R. Glaser, R. Magno, B. V. Shanabrook, and L. J. Whitman, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2195 (1996).
420. F. Hatami, N. N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S. S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, S. V. Ivanov, B. Ya. Meltser, P. S. Kopev, and Zh. I. Alferov. Appl. Phys. Lett. 67, 656 (1995).
421. A. G. Ostrogorsky and G. Muller, J. Cryst. Growth 137, 64 (1994).
422. A. G. Milvidskaya, A. Y. Polyakov, G. P. Kolchina, A. G. Milnes, A. V. Govorkov, N. B. Smirnov, and I. V. Tunitskaya, Mater. Sci. Eng. B 22, 279 (1994).
423. A. Y. Polyakov, S. J. Eglash, A. G. Milnes, M. Ye, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, J. Cryst. Growth 127, 728 (1993).
424. Proceedings of the 2nd NREL Conference on TPV Generation of Electricity, Colorado Springs, CO, edited by J. P. Benner, T. J. Coutts, and D. S. Ginley (AIP, New York, 1996), pp. 3, 128, 134, 251, 339, 423, 488.