Impact of etching kinetics on the roughening of thermal Si O2 and low- k dielectric coral films in fluorocarbon plasmas

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 25, Issue 4, 2007, Pages 802-811

  Yin, Yunpeng ^a   Sawin, Herbert H ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ETCHING; FLUOROCARBONS; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; SILICA; SURFACE ROUGHNESS;

ETCHING KINETICS; INDUCTIVE COUPLED PLASMA BEAM REACTORS; MICROMASKING; SURFACE ROUGHENING;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 34547250102     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2748797     Document Type: Article

References (32)

1. R. H. Havemann and J. A. Hutchby, Proc. IEEE 89, 586 (2001).
2. A. Jain, Thin Solid Films 398, 513 (2001).
3. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
4. M. Morgen, E. T. Ryan, J. H. Zhao, C. Hu, T. H. Cho, and P. S. Ho, Annu. Rev. Mater. Sci. 30, 645 (2000).
5. Z. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 2442 (2004).
6. D. L. Goldfarb, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 647 (2004).
7. A. Sankaran and M. J. Kushner, Appl. Phys. Lett. 82, 1824 (2003).
8. M. Sekine, Appl. Surf. Sci. 192, 270 (2002).
9. S. A. Vitale and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 651 (2002).
10. H. Nagal, S. Takashima, M. Hiramatsu, M. Hori, and T. Goto, J. Appl. Phys. 91, 2615 (2002).
11. S. A. Vitale, H. Chae, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2770 (2000).
12. T. Standaert, P. J. Matsuo, S. D. Allen, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 741 (1999).
13. L. W. Flanagin, V. K. Singh, and C. G. Willson, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1371 (1999).
14. G. P. Patsis, V. Constantoudis, and E. Gogolides, Microelectron. Eng. 75, 297 (2004).
15. Y. P. Yin, S. Rasgon, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2360 (2006).
16. C. Hedlund, L. B. Jonsson, I. V. Katardjiev, S. Berg, and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 686 (1997).
17. C. Hedlund, C. Strandman, I. V. Katardjiev, Y. Backlund, S. Berg, and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3239 (1996).
18. A. M. Barklund and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1226 (1993).
19. A. M. Barklund and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1212 (1992).
20. O. Kwon, W. D. Jin, and H. H. Sawin, Appl. Phys. Lett. 88, 133117 (2006).
21. Y. P. Yin and H. H. Sawin (unpublished).
22. Y. P. Yin and H. H. Sawin (unpublished).
23. R. M. Bradley and J. M. E. Harper, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2390 (1988).
24. B. A. Helmer and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3502 (1998).
25. C. F. Abrams and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3006 (1998).
26. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein, J. Electrochem. Soc. 148, C211 (2001).
27. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, G. S. Oehrlein, R. E. Ellefson, and L. C. Frees, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 25 (2001).
28. T. Standaert, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, A. Jain, W. N. Gill, P. C. Wayner, and J. L. Plawsky, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2742 (2000).
29. B. E. E. Kastenmeier, G. S. Oehrlein, J. G. Langan, and W. R. Entley, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2102 (2000).
30. N. R. Rueger, M. F. Doemling, M. Schaepkens, J. J. Beulens, T. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 2492 (1999).
31. M. Schaepkens, T. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
32. S. A. Rasgon, Ph.D. thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2005.