Investigation of surface roughening of low-k films during etching using fluorocarbon plasma beams

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 24, Issue 5, 2006, Pages 2360-2371

  Yin, Yunpeng ^a   Rasgon, Stacy ^a   Sawin, Herbert H ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FLUOROCARBON PLASMA BEAMS; ION BOMBARDMENT ENERGY; STRIATION FORMATION; SURFACE ROUGHENING;

BEAM PLASMA INTERACTIONS; ETCHING; FLUOROCARBONS; ION BOMBARDMENT; POLYMERIZATION; POROUS MATERIALS; THIN FILMS;

SURFACE ROUGHNESS;

EID: 33749332519     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2338044     Document Type: Article

References (38)

1. C. H. Diaz, H. J. Tao, Y. C. Ku, A. Yen, and K. Young, IEEE Electron Device Lett. 22, 287 (2001).
2. Q. Lin et al., Proc. SPIE 5039, 1076 (2003).
3. R. H. Havemann and J. A. Hutchby, Proc. IEEE 89, 586 (2001).
4. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovitskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
5. A. M. Padovani, L. Rhodes, L. Riester, G. Lohman, B. Tsuie, J. Conner, S. A. B. Allen, and P. A. Kohl, Electrochem. Solid-State Lett. 4, F25 (2001).
6. S. Kuroki, S. Sakamoto, and T. Kikkawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 1820 (2004).
7. T. E. F. M. Standaert, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, A. Jain, W. N. Gill, P. C. Wayner, and J. L. Plawsky, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2742 (2000).
8. S. A. Vitale and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 651 (2002).
9. S. W. Hwang, G. R. Lee, J. H. Min, S. H. Moon, Y. C. Kim, H. K. Ryu, Y. S. Cho, and J. W. Kim, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 5782 (2002).
10. N. Posseme, T. Chevolleau, O. Joubert, L. Vallier, and P. Mangiagalli, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2432 (2003).
11. D. Eon, V. Raballand, G. Cartry, M. C. Peignon-Fernandez, and C. Cardinaud, Eur. Phys. J.: Appl. Phys. 28, 331 (2004).
12. R. M. Badam, M. Mukherjee-Roy, W. Shaoyu, and A. Naman, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 7381 (2004).
13. J. N. Sun, Y. Hu, W. E. Frieze, W. Chen, and D. W. Gidley, J. Electrochem. Soc. 150, F97 (2003).
14. Y. S. Zheng, Y. J. Su, B. Yu, and P. D. Foo, Microelectron. Reliab. 43, 1311 (2003).
15. D. L. Goldfarb et al., J. Vac. Sci. Technol. B 22, 647 (2004).
16. S. Rasgon, Ph.D. thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2004.
17. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
18. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
19. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein, J. Electrochem. Soc. 148, C211 (2001).
20. T. E. F. M. Standaert, C. Hedlund, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, and T. J. Galton, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 53 (2004).
21. M. J. Barela, H. M. Anderson, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 408 (2005).
22. B. Lipschultz, I. Hutchinson, B. LaBombard, and A. Wan, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 1810 (1986).
23. B. E. Thompson, K. D. Allen, A. D. Richards, and H. H. Sawin, J. Appl. Phys. 59, 1890 (1986).
24. J. Liu, G. L. Huppert, and H. H. Sawin, J. Appl. Phys. 68, 3916 (1990).
25. G. W. Gibson, H. H. Sawin, I. Tepermeister, D. E. Ibbotson, and J. T. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2333 (1994).
26. J. R. Woodworth, M. E. Riley, D. C. Meister, B. P. Aragon, M. S. Le, and H. H. Sawin, J. Appl. Phys. 80, 1304 (1996).
27. S. A. Vitale, Ph.D. thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2001.
28. N. Mutsukura, K. Kobayashi, and Y. Machi, J. Appl. Phys. 68, 2657 (1990).
29. H. H. Sawin, (unpublished).
30. H. Chae, S. A. Vitale, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 381 (2003).
31. O. Kwon, Ph.D. thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2004.
32. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1319 (2001).
33. J. H. Scofield, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 8, 129 (1976).
34. L. Zheng, L. Ling, X. Hua, G. S. Oehrlein, and E. A. Hudson, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 634 (2005).
35. J. J. Vegh, D. Humbird, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1598 (2005).
36. C. R. Eddy, D. Leonhardt, S. R. Douglass, B. D. Thoms, V. A. Shamamian, and J. E. Butler, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 38 (1999).
37. A. N. Goyette, Y. Wang, M. Misakian, and J. K. Olthoff, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2785 (2000).
38. V. S. Smentkowski, Prog. Surf. Sci. 64, 1 (2000).