Chemical structure effects of ring-type siloxane precursors on properties of plasma-polymerized porous SiOCH films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 154, Issue 7, 2007, Pages

  Tada, Munehiro ^a   Yamamoto, Hironori ^a   Ito, Fuminori ^a   Takeuchi, Tsuneo ^a   Furutake, Naoya ^a   Hayashi, Yoshihiro ^a  

^a NEC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; MONOMERS; PARTIAL PRESSURE; PERMITTIVITY; PLASMA POLYMERIZATION; POROUS MATERIALS; SILICON COMPOUNDS;

PROGEN GAS; SATURATED HYDROCARBONS; SILOXANE;

THIN FILMS;

EID: 34249885314     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2737660     Document Type: Article

References (21)

1. M. T. Bohr, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1995, 241.
2. Y. Hayashi, in Proc. IEEE Int. Interconnect Tech. Conf., IEEE, p. 312 (2002).
3. N. Oda, S. Ito, T. Takewaki, H. Kunishima, N. Hironaga, I. Honma, H. Namba, S. Yokogawa, T. Goto, T. Usami, K. Ohto, A. Kubo, H. Aoki, M. Suzuki, Y. Yamamoto, S. Watanabe, T. Takeda, K. Yamada, M. Kosaka, and T. Horiuchi, in IEEE VLSI Tech. Dig., IEEE, p. 34 (2002).
4. H. Ohtake, M. Tagami, K. Arita, and Y. Hayashi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 853.
5. M. Tada, T. Takao, F. Ito, H. Ohtake, M. Narihiro, M. Tagami, M. Ueki, K. Hijioka, M. Abe, N. Inoue, T. Takeuchi, S. Saito, T. Onodera, N. Furutake, K. Arai, M. Sekine, M. Suzuki, and Y. Hayashi, IEEE Trans. Electron Devices, 53, 1169 (2005).
6. M. Ueki, M. Narihiro, H. Ohtake, M. Tagami, M. Tada, F. Ito, Y. Harada, M. Abe, N. Inoue, K. Arai, T. Takeuchi, S. Saito, T. Onodera, N. Furutake, M. Hiroi, M. Sekine, and Y. Hayashi, in IEEE VLSI Tech. Dig., IEEE, p. 60 (2004).
7. V. Ligatchev, T. K. S. Wong, B. Liu, and Rusli, J. Appl. Phys., 92, 4605 (2002).
8. A. Grill and V. Patel, J. Appl. Phys., 85, 3314 (1999)
9. D. Shamiryan, K. Weidner, W. D. Gray, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, Microelectron. Eng., 64, 361 (2002).
10. L. M. Han, J.-S. Pan, S.-M. Chen, N. Balasubramanian, J. Shi, L. S. Wong, and P. D. Foo, J. Electrochem. Soc., 148, 148 (2001).
11. Y. H. Kim, S. K. Lee, and H. J. Kim, J. Vac. Sci. Technol. A, 18, 1216 (2000).
12. M. R. Wang, Rusli, J. L. Xie, N. Babu, C. Y. Li, and K. Rakesh, J. Appl. Phys., 96, 829 (2004).
13. J. Kawahara, A. Nakano, K. Kinoshita, Y. Harada, M. Tagami, M. Tada, and Y. Hayashi, Plasma Sources Sci. Technol., 12, 80 (2003).
14. M. Tada, J. Kawahara, and Y. Hayashi, in Proc. of the Advanced Metallization Conf., p. 79 (2000).
15. Y. Hayashi, F. Itoh, T. Takeuchi, M. Tada, M. Tagami, H. Ohtake, K. Hijioka, S. Saito, T. Onodera, D. Hara, and K. Tokudome, in Proc. of the IEEE Int. Interconnect Tech. Conf., IEEE, p. 225 (2004).
16. Y. Hayashi, Oyo Butsuri, 74, 1178 (2005).
17. M. Tada, H. Ohtake, M. Narihiro, F. Ito, T. Taiji, M. Tohara, K. Motoyama, Y. Kasama, M. Tagami, M. Abe, T. Takeuchi, K. Arai, S. Saito, N. Furutake, T. Onodera, J. Kawahara, K. Kinoshita, N. Hata, T. Kikkawa, Y. Tsuchiya, K. Fujii, N. Oda, M. Sekine, and Y. Hayashi, in IEEE VLSI Tech. Dig., IEEE, p. 18 (2005).
18. M. Abe, M. Tada, H. Ohtake, N. Furutake, M. Narihiro, K. Arai, T. Takeuchi, S. Saito, T. Taiji, K. Motoyama, Y. Kasama, K. Arita, F. Ito, H. Yamamoto, M. Tagami, T. Tonegawa, Y. Tsuchiya, K. Fujii, N. Oda, M. Sekine, and Y. Hayashi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2005, 83.
19. Y. L. Cheng, Y. L. Wang, J. K. Lan, H. C. Chen, J. H. Lin, Y. L. Wu, P. T. Liu, Y. C. Wu, and M. S. Feng, Thin Solid Films, 469-470, 178 (2004).
20. A. D. Ross and K. K. Gleason, J. Appl. Phys., 97, 113707 (2005).
21. KAGAKUBINRAN-II, p. 324, Chemical Society of Japan, Maruzen.