Atomic layer deposition of hafnium oxide from tetrakis(ethylmethylamino) hafnium and water precursors

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 17, 2007, Pages 6495-6499

  Chen, Wei ^a   Sun, Qing Qing ^a   Xu, Min ^a   Ding, Shi Jin ^a   Zhang, David Wei ^a   Wang, Li Kang ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; EXOTHERMIC REACTIONS; LOW TEMPERATURE EFFECTS; SURFACE CHEMISTRY;

DEPOSITION TEMPERATURE; HAFNIUM OXIDES; HALF-REACTIONS; REACTION BYPRODUCTS;

HAFNIUM COMPOUNDS;

EID: 34249039051     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp070362u     Document Type: Article

References (32)

1. Wallace, R. M.; Wilk, G. D. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 2003, 28, 231.
2. Robertson, J. Rep. Prog. Phys. 2006, 69, 327.
3. Park, H. B.; Cho, M. J.; Park, J.; Lee, S. W.; Hwang, C. S.; Kim, J. P.; Lee, J. H.; Lee, N. I.; Kang, H. K.; Lee, J. C.; Oh, S. J. J. Appl. Phys. 2003, 94, 3641.
4. Javey, A.; Quo, J.; Farmer, D. B.; Wang, Q.; Wang, D. W.; Gordon, R. G.; Lundstrom, M.; Dai, H. J. Nano Lett. 2004, 4, 447.
5. Triyoso, D. H.; Hegde, R. I.; White, B. E.; Tobin, P. J. J. Appl. Phys. 2005, 97, 124107.
6. Kukli, K.; Pilvi, T.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Lu, J.; Leskela, M. Thin Solid Films 2005, 491, 328.
7. Kirsch, P. D.; Quevedo-Lopez, M. A.; Li, H. J.; Senzaki, Y.; Peterson, J. J.; Song, S. C.; Krishnan, S. A.; Moumen, N.; Barnett, J.; Bersuker, G.; Hung, P. Y.; Lee, B. H.; Lafford, T.; Wang, Q.; Gay, D.; Ekerdt, J. G. J. Appl. Phys. 2006, 99, 023508.
8. Zhong, L. J.; Daniel, W. L.; Zhang, Z. H.; Campbell, S. A.; Gladfelter, W. L. Chem. Vap. Deposition 2006, 12, 143.
9. Ritala, M.; Leskela, M.; Niinisto, L.; Prohaska, T.; Friedbacher, G.; Grasserbauer, M. Thin Solid Films 1994, 250, 72.
10. Kukli, K.; Ihanus, J.; Ritala, M.; Leskela, M. Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 3737.
11. Aarik, J.; Aidla, A.; Mandar, H.; Uustare, T.; Kukli, K.; Schuisky, M. Appl. Surf. Sci. 2001, 173, 15.
12. Kukli, K.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J.; Leskela, M. Thin Solid Films 2002, 416, 72.
13. Aarik, J.; Aidla, A.; Kiisler, A. A.; Uustare, T.; Sammelselg, V. Thin Solid Films 1999, 340, 110.
14. Ferrari, S.; Scarel, G.; Wiemer, C.; Fanciulli, M. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7675.
15. Lysaght, P. S.; Foran, B.; Bersuker, G.; Chen, P. J. J.; Murto, R. W.; Huff, H. R. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1266.
16. Kukli, K.; Ritala, M.; Lu, J.; Harsta, A.; Leskela, M. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, F189.
17. Ho, M. T.; Wang, Y.; Brewer, R. T.; Wielunski, L. S.; Chabal, Y. J.; Moumen, N.; Boleslawski, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 133103.
18. Senzaki, Y.; Park, S.; Chatham, H.; Bartholomew, L.; Nieveen, W. J. Vac. Sci. Technol., A 2004, 22, 1175.
19. Kukli, K.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J.; Leskela, M. Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 199.
20. Liu, X. Y.; Ramanathan, S.; Longdergan, A.; Srivastava, A.; Lee, E.; Seidel, T. E.; Barton, J. T.; Pang, D.; Gordon, R. G. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G213.
21. Frisch, M. J.; Trucks, G. W.; Schlegel, H. B.; Scuseria, G. E.; Robb, M. A.; Cheeseman, J. R.; Montgomery, J. A., Jr.; Vreven, T.; Kudin, K. N.; Burant, J. C.; Millam, J. M.; Iyengar, S. S.; Tomasi, J.; Barone, V.; Mennucci, B.; Cossi, M.; Scalmani, G.; Rega, N.; Petersson, G. A.; Nakatsuji, H.; Hada, M.; Ehara, M.; Toyota, K.; Fukuda, R.; Hasegawa, J.; Ishida, M.; Nakajima, T.; Honda, Y.; Kitao, O.; Nakai, H.; Klene, M.; Li, X.; Knox, J. E.; Hratchian, H. P.; Cross, J. B.; Bakken, V.; Adamo, C.; Jaramillo, J.; Gomperts, R.; Stratmann, R. E.; Yazyev, O.; Austin, A. J.; Cammi, R.; Pomelli, C.; Ochterski, J. W.; Ayala, P. Y.; Morokuma, K.; Voth, G. A.; Salvador, P.; Dannenberg, J. J.; Zakrzewski, V. G.; Dapprich, S.; Daniels, A. D.; Strain, M. C.; Farkas, O.; Malick, D. K.; Rabuck, A. D.; Raghavachari, K.; Foresman, J. B.; Ortiz, J. V.; Cui, Q.; Baboul, A. G.; Clifford, S.; Cioslowski, J.; Stefanov, B. B.; Liu, G.; Liashenko, A.; Piskorz, P.; Komaromi, I.; Martin, R. L.; Fox, D. J.; Keith, T.; Al-Laham, M. A. Peng, C. Y.; Nanayakkara, A.; Challacombe, M.; Gill, P. M. W.; Johnson, B.; Chen, W.; Wong, M. W.; Gonzalez, C.; Pople, J. A. Gaussian 03, revision B.05; Gaussian, Inc.: Wallingford, CT, 2004.
22. Hay, P. J.; Wadt, W. R. J. Chem. Phys. 1985, 82, 270.
23. Wadt, W. R.; Hay, P. J. J. Chem. Phys. 1985, 82, 284.
24. Hay, P. J.; Wadt, W. R. J. Chem. Phys. 1985, 82, 299.
25. Binkley, J. S.; Pople, J. A.; Hehre, W. J. J. Am. Chem. Soc. 1980, 102, 939.
26. Gordon, M. S.; Binkley, J. S.; Pople, J. A.; Pietro, W. J.; Hehre, W. J. J. Am. Chem. Soc. 1982, 104, 2797.
27. Francl, M. M.; Pietro, W. J.; Hehre, W. J.; Binkley, J. S.; Gordon, M. S.; DeFrees, D. J.; Pople, J. A. J. Chem. Phys. 1982, 77, 3654.
28. Pietro, W. J.; Francl, M. M.; Hehre, W. J.; DeFrees, D. J.; Pople, J. A.; Binkley, J. S. J. Am. Chem. Soc. 1982, 104, 5039.
29. Frisch, M. J.; Pople, J. A.; Binkley, J. S. J. Chem. Phys. 1984, 80, 3265.
30. Widjaja, Y.; Musgrave, C. B. J. Chem. Phys. 2002, 117, 1931.
31. Ren, J.; Lu, H. L.; Chen, W.; Xu, M.; Zhang, D. W. Appl. Surf. Sci. 2006, 252, 8466.
32. Halls, M. D.; Raghavachari K. J. Chem. Phys. 2003, 118, 10221.