High-performance ambipolar pentacene organic field-effect transistors on poly(vinyl alcohol) organic gate dielectric

Advanced Materials

Volumn 17, Issue 19, 2005, Pages 2315-2320

  Singh, Thokchom Birendra ^a   Meghdadi, Farideh ^a   Günes, Serap ^a   Marjanovic, Nenad ^a   Horowitz, Gilles ^b   Lang, Philippe ^b   Bauer, Siegfried ^a   Sariciftci, Niyazi Serdar ^a  

^a JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

^b UNIVERSITÉ PARIS DIDEROT   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC FIELD EFFECTS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; METAL INSULATOR TRANSITION;

ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS (OFET); SEMICONDUCTOR INTERFACES;

POLYVINYL ALCOHOLS;

EID: 26844571467     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200501109     Document Type: Article

References (46)

1. C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
2. G. Horowitz, J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
3. H. Sirringhaus, N. Tessler, R. H. Friend, Science 1998, 280, 1741.
4. C. D. Dimitrakopoulos, S. Purushothaman, J. Kymissis, A. Callegari, J. M. Shaw, Science 1999, 283, 822.
5. R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. T. M. Palstra, A. F. Hehard, R. M. Fleming, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 121.
6. J. G. Laquindanum, H. K. Katz, A. Dodahalapur, A. J. Lovinger, J. Am. Chem. Sci. 1996, 118, 11 331.
7. H. E. Katz, A. J. Lovinger, J. Johnson, C. Kloc, T. Siegrist, W. Li, Y.-Y. Lin, A. Dodabalapur, Nature 2000, 404, 478.
8. F. Dinelli, M. Murgia, P. Levy, M. Cavallini, F. Biscarini, D. M. de Leeuw, Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 116 802.
9. a) W. Kalb, Ph. Lang, M. Mottaghi, H. Aubin, G. Horowitz, M. Wutting, Synth. Met. 2004, 146, 279.
10. b) S. C. Lim, S. H. Kim, J. H. Lee, M. K. Kim, D. J. Kim, T. Xyung, Synth. Met. 2004, 148, 75.
11. c) K. Sankar, T. N. Jackson, J. Mater. Res. 2004, 19, 2003.
12. d) T. W. Kelly, L. D. Boardman, T. D. Dunhar, D. V. Muyres, M. J. Pellerile, T. P. Smith, J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5877.
13. H. Klauk, M. Halik, U. Zschieschang, G. Schmid, W. Radlik, J. Appl. Phys. 2002, 92, 5259.
14. J. Veres. S. D. Ogier, S. W. Leaning, D. C. Cupertino, S. M. Khaffaf, Adv. Mater. 2003, 13, 199.
15. R. Parashkov, E. Becker, G. Ginev, T. Riedl, H. H. Johannes, W. Kowalsky, J. Appl. Phys. 2004, 95, 1594.
16. J. Park, S. Y. Park, S. Shim, H. Kang, H. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3283.
17. R. Schroeder, L. A. Majewski, M. Grell, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3201.
18. D. Knipp, R. A, Street, B. Krusor, J. Ho, R. B. Apte, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2002, 708, BB.10.
19. Th. B. Singh, N. Marjunovic, P. Stadler, M. Auinger, G. J. Matt, S. Gunes, N. S. Sariciftei, R. Schwödiauer, S. Bauer, J. Appl. Phys. 2005, 97, 083 714.
20. R. Schroeder, L. A. Majewski, M. Grell, Adv. Mater. 2004, 16, 633.
21. Th. B. Singh, N. Marjunovic, G. J. Mall, N. S. Sariciftci, R. Schwö diauer, S. Bauer, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5409.
22. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 243.
23. L. L. Chua, J. J. Zaumseil, J. Chang, E. C. W. Ou, P. K. H. Ho, H. Sirringhaus, R. H. Friend, Nature 2005, 434, 194.
24. S. Scheinert, G. Paaasch, S. Pohlmann, H. H. Horhold, R. Stockmunn, Solid State Electron. 2000, 44, 845.
25. A. Dodabalapur, H. E. Katz, L. Torsi, R. C. Haddon, Science 1995, 296, 1560.
26. A. Dodahalapur, H. E. Katz, L. Torsi, R. C. Haddon, Appl. Phys. Lett. 1996, 68, 1108.
27. K. Tada, H. Harada, K. Yoshino, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1996, 35, L944.
28. a) R. Martel, V. Derycke, C. Lavoic, J. Appenzeller, K. K. Chan, J. Tersoff, Ph. Avouris, Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256 805.
29. b) J. A. Misewich, R. Martel, Ph. Avouris, J. C. Tsang, S. Heinze, J. Tersoff, Science 2003, 300, 783.
30. E. J. Meijer, D. M. de Leeuw, S. Setayesh, E. Van Veenendaal, B.-H. Huisman, P. W. M. Blom, J. C. Hummelen, U. Scherf, T. M. Klapwijk, Nat. Mater. 2003, 2, 678.
31. R. J. Chesterfield, C. R. Newman, T. M. Pappenfus, P. C. Ewbank, M. H. Haukaas, K. R. Mann, L. L. Miller, C. D. Frisbie, Adv. Mater. 2003, 15, 1278.
32. A. Babel, J. D. Wind, S. A. Jenekhe, Adv. Func. Mater. 2004, 14, 891.
33. T. D. Anthopoulos, C. Tanase, S. Setayesh, E. J. Meijer, J. C. Hummelen, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Adv. Mater. 2004, 16, 2174.
34. T. D. Anthopoulos, D. M. de Leeuw, E. Cantatore, S. Setayesh, E. J. Meijer, C. Tanase, J. C. Hummelen, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4205
35. M. Ahles, R. Sehmechel, H. V. Seggern, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4499.
36. R. G. Keppler, Phys. Rev. 1960, 119, 1266.
37. Th. B. Singh, S. Günes, N. Marjanovic, R. Menon, N. S. Sariciftci, J. Appl. Phys. 2005, 97, 114 508.
38. Y. Y. Lin, D. J. Gundlack, S. F. Nelson, T. N. Jackson, IEEE Electron. Device Lett. 1997, 18, 606.
39. T. Heim, K. Lmimouni, D. Vuillaume, Nano Lett. 2004, 4, 2145.
40. D. J. Gundlack, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, D. G. Schlom, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3853.
41. N. Koch, A. Kahn, J. Ghijsen, J.-J. Pireaux, J. Schwanz, R. L. Johnson, A. Elschner Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 70.
42. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York 1981.
43. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benziger, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 268.
44. P. V. Pesavento, R. J. Chesterfield, C. R. Newman, C. D. Frisbie, J. Appl. Phys. 2004, 96, 7312.
45. L. Burgi, T. J. Richards, R. H. Friend, H. Sirringhaus, J. Appl. Phys. 2003, 94, 6129.
46. W. A. Zisman, in Contact Angle, Wettability and Adhesion (Ed: F. W. Fowkes), Advances in Chemistry Vol. 43, American Chemical Society, Washington, DC 1964, p. 1.