Thermal stability of Ohmic contacts to InN

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 16, 2007, Pages

  Khanna, Rohit ^a   Gila, B P ^a   Stafford, L ^a   Pearton, S J ^a   Ren, F ^a   Kravchenko, I I ^b   Dabiran, Amir ^c   Osinsky, A ^c  

^a J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^b University of Florida   (United States)

^c SVT ASSOCIATES   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURES; MINIMUM VALUE; TEMPERATURE DEPENDENCE;

ANNEALING; CONTACT RESISTANCE; DIFFUSION BARRIERS; METALLIZING; NICKEL; OHMIC CONTACTS; THERMAL EFFECTS; THERMODYNAMIC STABILITY;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 34247356207     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2724900     Document Type: Article

References (33)

1. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, V. V. Emtsev, D. A. Kurdyukov, S. V. Ivanov, V. A. Vekshin, F. Bechstedt, J. Fmthmuüller, J. Aderhold, J. Graul, A. V. Mudryi, H. Harima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and E. E. Haller, Phys. Status Solidi B 234, 787 (2002).
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
3. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1998).
4. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2005).
5. C. S. Gallinat, G. Koblmüller, J. S. Brown, S. Bernardis, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 89, 032109 (2006).
6. S. P. Fu, T. T. Chen, and Y. F. Chen, Semicond. Sci. Technol. 21, 244 (2006).
7. W. Walukiewicz, J. W. Ager III, K. M. Yu, Z. Liliental-Weber, J. Wu, S. X. Li, R. E. Jones, and J. D. Denlinger, J. Phys. D 39, R83 (2006).
8. V. M. Polyakov and F. Schwierz, Appl. Phys. Lett. 88, 032101 (2006).
9. E. Dimakis, E. Illiopoulos, K. Tsagaraki, Th. Kehagias, Ph. Kominou, and A. Georgakilas, J. Appl. Phys. 97, 113520 (2005).
10. A. G. Bhuiyan, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003).
11. I. Mahboob, T. D. Veal, L. F. J. Piper, C. F. McConville, H. Lu, W. J. Schaff, J. Furthmuller, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 69, 201307 (2004).
12. L. Colakerol, T. D. Veal, H.-K. Jeong, L. Plucinski, A. DeMasi, T. Learmonth, P.-A. Glans, S. Wang, Y. Zhang, L. F. J. Piper, P. H. Jefferson, A. Fedorov, T.-C. Chen, T. D. Moustakas, C. F. McConville, and K. E. Smith, Phys. Rev. Lett. 97, 237601 (2006).
13. V. Lebedev, V. Cimalla, T. Baumann, O. Ambacher, F. M. Morales, J. G. Lozano, and D. González., J. Appl. Phys. 100, 094903 (2006).
14. V. Cimalla, V. Lebedev, F. M. Morales, R. Goldhahn, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett. 89, 172109 (2006).
15. G. D. Chern, E. D. Readinger, H. Shen, M. Wraback, C. S. Gallinat, G. Koblmüller, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 89, 141115 (2006).
16. R. Ascazubi, I. Wilke, K. Dennison, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 4810 (2004).
17. I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
18. F. Ren, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and P. W. Wisk, Appl. Phys. Lett. 64, 1508 (1994).
19. H. Lu, W. J. Schaff, L. F. Eastman, and C. E. Stutz, Appl. Phys. Lett. 82, 1736 (2003).
20. S. M. Donovan, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, K. Jones, and M. Cole, Appl. Phys. Lett. 70, 2592 (1997).
21. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, R. J. Shul, J. C. Zolper, M. L. Lovejoy, A. G. Baca, and M. H. Crawford, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3520 (1996).
22. F. Ren, C. R. Abernathy, S. N. G. Chu, J. R. Lothian, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 66, 1503 (1995).
23. S. M. Donovan, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, F. Ren, K. Jones, and M. Cole, Solid-State Electron. 42, 1831 (1998).
24. R. Khanna, S. J. Pearton, F. Ren, and I. I. Kravchenko, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 744 (2006).
25. W. Zagozdzon-Wosik, D. Radhakrishnan, C. Darne, I. Rusakova, P. van der Heide, Z.-H. Zhang, J. Bennett, L. Trombetta, and P. Majhi, Rev. Adv. Mater. Sci. 8, 185 (2004).
26. A. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, and S. J. Pearton, Thin Solid Films 308-309, 599 (1997).
27. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).
28. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, J. Washburn, D. Qiao, S. S. Lau, and Paul K. Chu, Appl. Phys. Lett. 73, 2582 (1998).
29. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid-State Electron. 42, 677 (1998).
30. R. Li, S. J. Cai, L. Wong, Y. Chen, K. L. Wang, R. P. Smith, S. C. Martin, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, IEEE Electron Device Lett. 20, 323 (1999).
31. D. Qiao, Z. F. Guan, J. Carlton, S. S. Lau, and G. J. Sullivan, Appl. Phys. Lett. 74, 2652 (1999).
32. S.-H. Lim, J. Washbum, Z. Liliental-Weber, and D. Qiao, Appl. Phys. Lett. 78, 3797 (2001).
33. S. Murai, H. Masuda, Y. Koide, and Masanori Murakami, Appl. Phys. Lett. 80, 2934 (2002).