Probing interactions of ge with chemical and thermal SiO2 to understand selective growth of Ge on Si during molecular beam epitaxy

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 2, 2007, Pages 779-786

  Li, Qiming ^a   Krauss, Joshua L ^b   Hersee, Stephen ^a   Han, Sang M ^a  

^a University of New Mexico   (United States)

^b University of Wisconsin Madison   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL OXIDE; INTERNAL REFLECTION; SELECTIVITY STEMS;

ELLIPSOMETRY; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SILICON COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY; VAN DER WAALS FORCES; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

GERMANIUM COMPOUNDS;

EID: 33847632521     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp062966o     Document Type: Article

References (61)

1. Edgar, J. H.; Gao, Y.; Chaudhuri, J.; Cheema, S.; Casalnuovo, S. A.; Yip, P. W.; Sidorov, M. V. J. Appl. Phys. 1998, 84, 201.
2. Jin, G.; Liu, J. L.; Thomas, S. G.; Luo, Y. H.; Wang, K. L.; Nguyen, B. Y. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 2752.
3. Kamon, K.; Takagishi, S.; Mori, H. J. Cryst. Growth 1985, 73, 73.
4. Kitamura, S.; Hiramatsu, K.; Sawaki, N. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 1995, 34, L1184.
5. Li, Q. M.; Han, S. M.; Brueck, S. R. J.; Hersee, S.; Jiang, Y. B.; Xu, H. F. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5032.
6. Okui, Y.; Jacob, C.; Ohshima, S.; Nishino, S. Silicon Carbide and Related Materials 2001, Pts 1 and 2, Proceedings 2002, 389-3, 331.
7. Sedgwick, T. O.; Berkenblit, M.; Kuan, T. S. Appl. Phys. Lett. 1989, 54, 2689.
8. Li, Q. M.; Jiang, Y. B.; Xu, H. F.; Hersee, S.; Han, S. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1928.
9. Langdo, T. A.; Leitz, C. W.; Currie, M. T.; Fitzgerald, E. A.; Lochtefeld, A.; Antoniadis, D. A. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 3700.
10. Marchand, H.; Wu, X. H.; Ibbetson, J. P.; Fini, P. T.; Kozodoy, P.; Keller, S.; Speck, J. S.; DenBaars, S. P.; Mishra, U. K. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 747.
11. Fini, P.; Zhao, L.; Moran, B.; Hansen, M.; Marchand, H.; Ibbetson, J. P.; DenBaars, S. P.; Mishra, U. K.; Speck, J. S. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1706.
12. Gale, R. P.; McClelland, R. W.; Fan, J. C. C.; Bozler, C. O. Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 545.
13. Nam, O. H.; Zheleva, T. S.; Bremser, M. D.; Davis, R. F. J. Electron. Mater. 1998, 27, 233.
14. Park, J.; Grudowski, P. A.; Eiting, C. J.; Dupuis, R. D. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 333.
15. Li, Q.; Jiang, Y.-B.; Krauss, J. L.; Xu, H.; Brueck, S. R. J.; Hersee, S.; Han, S. M. Proc. SPIE 2005, 5734, 75.
16. Li, Q. M.; Pattada, B.; Brueck, S. R. J.; Hersee, S.; Han, S. M. J. Appl. Phys. 2005, 98, 073504.
17. Vescan, L. Mater. Sci. Eng., B 1994, 28, 1.
18. Vescan, L.; Dieker, C.; Hartmann, A.; Vanderhart, A. Semicond. Sci. Technol. 1994, 9, 387.
19. Aketagawa, K.; Tatsumi, T.; Hiroi, M.; Niino, T.; Sakai, J. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1992, 31, 1432.
20. Kamins, T. I.; Vook, D. W.; Yu, P. K.; Turner, J. E. Appl. Phys. Lett. 1992, 61, 669.
21. Bodnar, S.; deBerranger, E.; Bouillon, P.; Mouis, M.; Skotnicki, T.; Regolini, J. L. J. Vac. Sci. Technol., B 1997, 15, 712.
22. Tsai, C.; Jang, S. M.; Tsai, J.; Reif, R. J. Appl. Phys. 1991, 69, 8158.
23. Goulding, M. R. Mater. Sci. Eng., B 1993, 17, 47.
24. Wado, H.; Shimizu, T.; Ogura, S.; Ishida, M.; Nakamura, T. J. Cryst. Growth 1995, 150, 969.
25. Zhang, X. J.; Lu, H. Q.; Gong, D. W.; Lu, X. K.; Chen, X. J.; Hu, J. H.; Huang, W. N.; Fan, Y. L.; Wang, X. J. Cryst. Growth 1995, 150, 964.
26. Yun, S. J.; Lee, S. C.; Lee, J. J.; Nam, K. S. Compound Semiconductors 1995 1996, 145, 109.
27. Morar, J. F.; Meyerson, B. S.; Karlsson, U. O.; Himpsel, F. J.; McFeely, F. R.; Rieger, D.; Talebibrahimi, A.; Yarmoff, J. A. Appl. Phys. Lett. 1987, 50, 463.
28. Barski, A.; Derivaz, M.; Rouviere, J. L.; Buttard, D. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3541.
29. Kolobov, A. V.; Shklyaev, A. A.; Oyanagi, H.; Fons, P.; Yamasaki, S.; Ichikawa, M. Appl Phys. Lett. 2001, 78, 2563.
30. Boishin, G.; Tyuliev, G.; Surnev, L. Surf. Sci. 1994, 303, 333.
31. Surnev, S. Surf. Sci. 1993, 282, 10.
32. Kobayashi, K.; Unno, H.; Takizawa, H.; Adachi, S. Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 1996, 35, 5925.
33. Sugita, Y.; Watanabe, S.; Awaji, N. Jpn. J. Appl. Phys., Part I 1996, 35, 5437.
34. Johnson, L. F.; Kammlott, G. W.; Ingersoll, K. A. Appl. Opt. 1978, 17, 1165.
35. Anderson, E. H.; Horwitz, C. M.; Smith, H. I. Appl. Phys. Lett. 1983, 43, 874.
36. Brueck, S. R. J.; Zaidi, S. H.; Chen, X.; Zhang, Z. Microelectron. Eng. 1998, 42, 145.
37. Kosuri, M. R.; Cone, R.; Li, Q. M.; Han, S. M.; Bunker, B. C.; Mayer, T. M. Langmuir 2004, 20, 835.
38. Venables, J. A. Philos. Mag. 1973, 27, 697.
39. Spiller, G. D. T.; Akhter, P.; Venables, J. A. Surf. Sci. 1983, 131, 517.
40. Seah, M. P.; Spencer, S. J.; Bensebaa, F.; Vickridge, I.; Danzebrink, H.; Krumrey, M.; Gross, T.; Oesterle, W.; Wendler, E.; Rheinlander, B.; Azuma, Y.; Kojima, I.; Suzuki, N.; Suzuki, M.; Tanuma, S.; Moon, D. W.; Lee, H. J.; Cho, H. M.; Chen, H. Y.; Wee, A. T. S.; Osipowicz, T.; Pan, J. S.; Jordaan, W. A.; Hauert, R.; Klotz, U.; van der Marel, C.; Verheijen, M.; Tarnminga, Y.; Jeynes, C.; Bailey, P.; Biswas, S.; Falke, U.; Nguyen, N. V.; Chandler-Horowitz, D.; Ehrstein, J. R.; Muller, D.; Dura, J. A. Surf. Interface Anal. 2004, 36, 1269.
41. Brower, K. L.; Lenahan, P. M.; Dressendorfer, P. V. Appl. Phys. Lett. 1982, 47, 251.
42. Lenahan, P. M.; Dressendorfer, P. V. J. Appl. Phys. 1984, 55, 3495.
43. Conley, J. F.; Lenahan, P. M.; Evans, H. L.; Lowry, R. K.; Morthorst, T. J. J. Appl. Phys. 1994, 76, 2872.
44. Lu, Z. H.; Graham, M. J.; Jiang, D. T.; Tan, K. H. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2941.
45. Shklyaev, A. A.; Ichikawa, M. Surf. Sci. 2002, 514, 19.
46. Shklyaev, A. A.; Shibata, M.; Ichikawa, M. Surf. Sci. 1998, 416, 192.
47. vonBorany, J.; Grotzschel, R.; Heinig, K. H.; Markwitz, A.; Matz, W.; Schmidt, B.; Skorupa, W. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3215.
48. Chabal, Y. J. Surf. Sci. 1986, 168, 594.
49. Chabal, Y. J. Physica B 1991, 170, 447.
50. Chabal, Y. J.; Higashi, G. S.; Raghavachari, K.; Burrows, V. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1989, 7, 2104.
51. Dumas, P.; Chabal, Y. J.; Jakob, P. Surf. Sci. 1992, 270, 867.
52. Zhang, X.; Garfunkel, E.; Chabal, Y. J.; Christman, S. B.; Chaban, E. E. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 4051.
53. Tardif, F.; Chabli, A.; Danel, A.; Rochat, N.; Veillerot, M. J. Electrochem. Soc. 2003, 150, G333.
54. Pliskin, W. A. J. Vac. Sci. Technol. 1977, 14, 1064.
55. Han, S. M.; Aydil, E. S. J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 3963.
56. Nagasawa, Y.; Yoshii, I.; Naruke, K.; Yamamoto, K.; Ishida, H.; Ishitani, A. J. Appl. Phys. 1990, 68, 1429.
57. Hartstein, A.; Young, D. R. Appl. Phys. Lett. 1981, 38, 631.
58. Batsanov, S. S. Inorg. Mater. 2001, 37, 871.
59. Vasiliev, I.; Ogut, S.; Chelikowsky, J. R. Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 4805.
60. Vidali, G.; Ihm, G.; Kim, H. Y.; Cole, M. W. Surf. Sci. Rep. 1991, 12, 133.
61. Jiang, X. P.; Toigo, F.; Cole, M. W. Surf. Sci. 1984, 145, 281.