ALD resist formed by vapor-deposited self-assembled monolayers

Langmuir

Volumn 23, Issue 3, 2007, Pages 1160-1165

  Junsic, Hong ^a   Porter, David W ^a   Sreenivasan, Raghavasimhan ^a   McIntyre, Paul C ^a   Bent, Stacey F ^a  

^a Stanford University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC LAYER DEPOSITION; MOLECULAR RESISTS; MONOLAYER FILMS; WATER VAPOR;

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PARAFFINS; SELF ASSEMBLY; SILICON COMPOUNDS; THIN FILMS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

MONOLAYERS;

EID: 33847222671     PISSN: 07437463     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/la0606401     Document Type: Article

References (35)

1. Ritala, M.; Kukli, K.; Rahtu, A.; Raisanen, P.; Leskela, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J. Science 2000, 288, 319-321.
2. Ritala, M.; Lekela, M. In Handbook of Thin Film Materials; Nalwa, H. S., Ed.; Academic Press: San Diego, CA, 2001; Vol. 1, Chapter 2.
3. Ritala, M.; Leskela, M. Nanotechnology 1999, 10, 19-24.
4. Kang, L.; Jeon, Y.; Onishi, K.; Lee, B. H.; Qi, W.-J.; Nieh, R.; Gopalan, S.; Lee, J. C. IEEE Symp. VLSI Technol. 2000, 44-45.
5. Sankur, H. O.; Gunning, W. Appl. Opt. 1989, 28, 2806-2808.
6. Ott, A. W.; Chang, R. P. H. Mater. Chem. Phys. 1999, 58, 132-138.
7. Lee, J. P.; Kim, H. K.; Park, C. R.; Park, G.; Kwak, H. T.; Koo, S. M.; Sung, M. M. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 8997-9002.
8. Yan, M.; Koide, Y.; Babcock, J. R.; Markworth, P. R.; Belot, J. A.; Marks, T. J.; Chang, R. P. H. Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1709-1711.
9. Park, M. H.; Jang, Y. J.; Sung, H. M.; Sung, M. M. Langmuir 2004, 20, 2257-2260.
10. Park, K. J.; Doub, J. M.; Gougousi, T.; Parsons, G. N. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 51903-1.
11. Seo, E. K.; Lee, J. W.; Sung-Suh, H. M.; Sung, M. M. Chem. Mater. 2004, 16, 1878-1883.
12. Sinha, A.; Hess, D. W.; Henderson, C. L. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, G465-469.
13. Chen, R.; Kim, H.; McIntyre, P. C.; Bent, S. F. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4017-4019.
14. Chen, R.; Kim, H.; McIntyre, P. C.; Bent, S. F. Chem. Mater. 2005, 17, 536-544.
15. Chen, R.; Kim, H.; McIntyre, P. C.; Porter, D. W.; Bent, S. F. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 1-3.
16. Ashurst, W. R.; Yau, C.; Carraro, C.; Lee, C.; Kluth, G. J.; Howe, R. T.; Maboudian, R. Sens. Actuators, A 2001, 91, 239-248.
17. Ashurst, W. R.; Yau, C.; Carraro, C.; Maboudian, R.; Dugger, M. T. J. Microelectromech. Syst. 2001, 10, 41-49.
18. Ashurst, W. R.; Carraro, C.; Maboudian, R. IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 2003, 3, 173-178.
19. Linford, M. R.; Fenter, P.; Eisenberger, P. M.; Chidsey, C. E. D. J. Am. Chem. Soc. 1995, 117, 3145-3155.
20. Buriak, J. M. Chem. Rev. 2002, 102, 1271-1308.
21. Lopinski, G. P.; Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. Nature 2000, 406, 48-51.
22. Cicero, R. L.; Chidsey, C. E. D.; Lopinski, G. P.; Wayner, D. D. M.; Wolkow, R. A. Langmuir 2002, 18, 305-307.
23. Hofer, W. A.; Fisher, A. J.; Lopinski, G. P.; Wolkow, R. A. Chem. Phys. Lett. 2002, 365, 129-134.
24. Kosuri, M. R.; Gerung, H.; Li, Q. M.; Han, S. M.; Bunker, B. C.; Mayer, T. M. Langmuir 2003, 19, 9315-9320.
25. Mayer, T.; de Boer, M.; Shinn, N.; Clews, P.; Michalske, T. J. Vac. Sci. Technol., B 2000, 18, 2433-2440.
26. Suntola, T., Simpson, M., Eds. Atomic Layer Epitaxy; Chapman & Hall: New York, 1990.
27. Aaltonen, T.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J.; Leskela, M. Chem. Mat. 2003, 15, 1924-1928.
28. Puurunen, R. L. Chem. Vap. Dep. 2005, 11, 79-90.
29. Ulman, A. Chem. Rev. 1996, 96, 1533-1554.
30. Schreiber, F. Prog. Surf. Sci. 2000, 65, 151-256.
31. Hozumi, A.; Ushiyama, K.; Sugimura, H.; Takai, O. Langmuir 1999, 15, 7600-7604.
32. Webb, L. J.; Lewis, N. S. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 5404-5412.
33. Wilk, G. D.; Green, M. L.; Ho, M. Y.; Busch, B. W.; Sorsch, T. W.; Klemens, F. P.; Brijs, B.; Van Dover, R. B.; Kornblit, A.; Gustafsson, T.; Garfunkel, E.; Hillenius, S.; Monroe, D.; Kalavade, P.; Hergenrother, J. M. IEEE Symp. VLSI Circuits 2002, 88-89.
34. Snyder, R. G.; Strauss, H. L.; Elliger, C. A. J. Phys. Chem. 1982, 86 (26), 5145-5150.
35. Tillman, N.; Ulman, A.; Schildkraut, J. S.; Penner, T. L. J. Am. Chem. Soc. 1988, 110, 6136-6144.