Growth and characteristics of ultralow threshold 1.45 μm metamorphic InAs tunnel injection quantum dot lasers on GaAs

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 15, 2006, Pages

  Mi, Z ^a   Bhattacharya, P ^a   Yang, J ^a  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

METAMORPHIC INAS; TUNNEL INJECTION; ULTRALOW THRESHOLD CURRENT;

FREQUENCY RESPONSE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 33750018904     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358847     Document Type: Article

References (22)

1. H. Temkin, D. Coblentz, R. A. Logan, J. P. van der Ziel, T. Tanbun-Ek, R. D. Yadvish, and A. M. Sergent, Appl. Phys. Lett. 62, 2402 (1993).
2. P. J. A. Thijs, T. Dongen, L. F. Tiemeijer, and J. J. M. Binsma, J. Lightwave Technol. 12, 28 (1994).
3. S. R. Bank, L. L. Goddard, M. A. Wistey, H. B. Yuen, and J. S. Harris, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 11, 1089 (2005).
4. Z. C. Niu, S. Y. Zhang, H. Q. Ni, D. H. Wu, H. Zhao, H. L. Peng, Y. Q. Xu, S. Y. Li, Z. H. He, Z. Q. Ren, Q. Han, X. H. Yang, Y. Du, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 87, 231121 (2005).
5. R. J. Potter, N. Balkan, H. Carr̀re, A. Arnoult, E. Bedel, and X. Marie, Appl. Phys. Lett. 82, 3400 (2003).
6. P. G. Eliseev, H. Li, T. Liu, T. C. Newell, L. F. Lester, and K. J. Malloy, J. Sci. Food. Agric. 7, 135 (2001).
7. Z. Mi, P. Bhattacharya, and S. Fathpour, Appl. Phys. Lett. 86, 153109 (2005).
8. S. M. Kim, Y. Wang, M. Keever, and J. S. Harris, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 377 (2004).
9. N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, A. E. Zhukov, N. A. Maleev, S. S. Mikhrin, A. P. Vasil'ev, E. S. Semenova, M. V. Maximov, Yu. M. Shernyakov, N. V. Kryzhanovskaya, V. M. Ustinov, and D. Bimberg, Electron. Lett. 39, 1126 (2003).
10. A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, E. S. Semenova, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, E. V. Nikitina, N. V. Kryzhanovskaya, A. G. Gladyshev, Yu. M. Shernyakov, Yu. G. Musikhin, M. V. Maksimov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, and Zh. I. Alferov, Semiconductors 37, 1119 (2003).
11. Y.-C. Xin, L. G. Vaughn, L. R. Dawson, A. Stintz, Y. Lin, L. F. Lester, and D. L. Huffaker, J. Appl. Phys. 94, 2133 (2003).
12. I. Tngring, S. M. Wang, Q. F. Gu, Y. Q. Wei, M. Sadeghi, A. Larsson, Q. X. Zhao, M. N. Akram, and J. Berggren, Appl. Phys. Lett. 86, 171902 (2005).
13. J. Shieh, M. Chang, Y. Cheng, and J. Chyi, Appl. Phys. Lett. 82, 210 (1997).
14. W. E. Hoke, P. J. Lemonias, J. J. Mosca, P. S. Lyman, A. Torabi, P. F. Marsh, R. A. McTaggart, S. M. Lardizabal, and K. Hetzler, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1131 (1999).
15. D. J. Dunstan, P. Kidd, P. F. Fewster, N. L. Andrew, R. Grey, J. P. R. David, L. González, Y. González, A. Sacedón, and F. González-Sanz, Appl. Phys. Lett. 65, 839 (1994).
16. K. Baskar, T. Soga, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 80, 4112 (1996).
17. N. N. Ledentsov, A. R. Kovsh, V. A. Shchukin, S. S. Mikhrin, L. L. Krestnikov, A. V. Kozhukhov, L. Ya. Karachinsky, M. V. Maximov, I. I. Novikov, Yu. M. Shernyakov, I. P. Soshnikov, A. E. Zhukov, E. L. Portnoi, V. M. Ustinov, D. Gerthsen, P. Bhattacharya, N. F. Zakharov, P. Werner, F. Hopfer, M. Kuntz, and D. Bimberg, Proc. SPIE 5624, 335 (2005).
18. P. Bhattacharya, S. Ghosh, S. Pradhan, J. Singh, Z.-K. Wu, J. Urayama, K. Kim, and T. B. Norris, IEEE J. Quantum Electron. 39, 952 (2003).
19. S. Fathpour, Z. Mi, and P. Bhattacharya, J. Phys. D 38, 2103 (2005).
20. P. Bhattacharya, J. Singh, H. Yoon, X. K. Zhang, A. Gutierrez-Aitken, and Y. L. Lam, IEEE J. Quantum Electron. 32, 1620 (1996).
21. H. Y. Liu, I. R. Sellers, T. J. Badcock, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, K. M. Groom, M. Gutírrez, M. Hopkinson, J. S. Ng, J. P. R. David, and R. Beanland, Appl. Phys. Lett. 85, 704 (2004).
22. S. Melnik and G. Huyet, Opt. Express 14, 2950 (2006).