Property improvement of aluminum-oxide thin films deposited under photon radiation by using atomic layer deposition

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1271-1275

  Kim, Hyeong Joon ^a   No, Sang Yong ^a   Eom, Dail ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

ALD; Aluminum oxide; UV

Indexed keywords

EID: 33749822791     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (31)

1. P. S. Peercy, Nature (London) 406, 1023 (2000).
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria and S. K. Streiffer, Nature (London) 406, 1032 (2000).
3. International Technology Roadmap for Semiconductors, http://public.itrs. net/.
4. J. H. Lee, K. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, K. H. Cho, H. S. Shin, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang and J. T. Moon, IEEE Electron Dev. Meet. 645 (2000).
5. D. A. Buchanan, E. P. Gusev, E. Cartier, H. Okorn-Schmidt, K. Rim, M. A. Gribelyuk, A. Mocuta, A. Ajmera, M. Copel, S. Guha, N. Bojarczuk, A. Callegari, C. D'Emic, P. Kozlowski, K. Chan, R. J. Fleming, P. C. Jamison, J. Brown and R. Arndt, IEEE Electron Dev. Meet. 223 (2000).
6. J. Lee, J. Koo, H. S. Sim, H. Jeon and Y. Won, J. Korean Phys. Soc. 44, 915 (2004).
7. I.-S. Park, B. T. Lee, S. J. Choi, J. S. Im, S. H. Lee, K. Y. Park, J. W. Lee, Y. W. Hyung, Y. K. Kim, H. S. Park, Y. W. Park, S. I. Lee and M. Y. Lee, Symp. on VLSI Technol. Dig. 42 (2000).
8. H. Seidl, M. Gutsche, U. Schroeder, A. Birner, T. Hecht, S. Jakshik, J. Luetzen, M. Kerber, S. Kudelka, T. Popp, A. Orth, H. Reisinger, A. Saenger, K. Schupke and B. Sell, IEEE Electron Dev. Meet. 839 (2002).
9. F. Fishburn, R. Kauffman, R. Lane, T. McDaniel, K. Schofield, S. Southwick, R. Turi and H. Wang, Symp. on VLSI Technol. Dig. 75 (2003).
10. J. Koo and H. Jeon, J. Korean Phys. Soc. 46, 945 (2005).
11. H. Jin, S. K. Oh, H. J. Kang, S. W. Lee, Y. S. Lee and K. Y. Lim, J. Korean Phys. Soc. 46, S52 (2005).
12. A. W. Ott, K. C. McCarly, J. W. Klaus, J. D. Way and S. M. George, Appl. Surf. Sci. 107, 128 (1996).
13. S. Thomas and P. M. A. Sherwood, Anal. Chem. 64, 2488 (1992).
14. M. R. Alexander, G. E. Thompson and G. Beamson, Surf. Interface Anal. 29, 468 (2000).
15. M. R. Alexander, S. Payan and T. M. Duc, Surf. Interface Anal. 26, 960 (1998).
16. R. F. Klie, N. D. Browning, A. Roy Chowdhuri and C. G. Takoudis, Appl. Phys. Lett. 83, 1187 (2003).
17. L. G. Gosset, J.-F. Damlencourt, O. Renault, D. Rouchon, Ph. Holliger, A. Ermolieff, I. Trimaille, J.-J. Ganem, F. Martin and M.-N. Semeria, J. Non-Cryst. Solids 303, 17 (2002).
18. D. R. Biswas, C. Ghosh and R. L. Layman, J. Electrochem. Soc. 130, 234 (1983).
19. Y. Zhang and M. Stuke, Jpn. J. Appl. Phys. 27, L1349 (1988).
20. I. P. Herman, Chem. Rev. 89, 1323 (1989).
21. G. S. Higashi and L. J. Rothberg, Appl. Phys. Lett. 47, 1288 (1985).
22. M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki and M. Hirose, IEEE Trans. Electron Dev. 48, 259 (2001).
23. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen and C. M. Kwei, IEEE Elec. Dev. Lett. 21, 341 (2000).
24. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop and S. P. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
25. E. T. Yu, E. T. Croke, T. C. McGill and R. H. Miles, Appl. Phys. Lett. 56, 569 (1990).
26. S. A. Chambers, T. Liang, Z. Yu, R. Droopad, J. Ramdani and K. Eisenbeiser, Appl. Phys. Lett. 77, 1662 (2000).
27. S. A. Chambers, T. Liang, Z. Yu, R. Droopad and J. Ramdani, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 934 (2001).
28. L. F. Edge, D. G. Schlom, S. A. Chambers, E. Cicerrella, J. L. Freeouf, B. Holländer and J. Schubert, Appl. Phys. Lett. 84, 726 (2004).
29. K. S. Shamala, L. C. S. Murthy and K. Narasimha Rao, Mater. Sci. Engineer. B 106, 269 (2004).
30. R. H. French, J. Am. Ceram. Soc. 73, 477 (1990).
31. H. Nohira, W. Tsai, W. Besling, E. Young, J. Petry, T. Conard, W. Vandervorst, S. De Gendt, M. Heyns, J. Maes and M. Tuominen, J. Non-Cryst. Solids 303, 83 (2002).