Characteristics of an Al 2O 3/HfO 2 bilayer deposited by atomic layer deposition for gate dielectric applications

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 46, Issue 4, 2005, Pages 945-950

  Koo, Jaehyoung ^a   Jeon, Hyeongtag ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

Al 2O 3 HfO 2; ALD; Bilayer; EOT; Gate oxide; Leakage current

Indexed keywords

EID: 17744395748     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (18)

1. Y. Taur, Proc. IEEE 85, 486 (1997).
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000).
3. E. Gusev, Tech. Dig.-Int. Electron Dev. Meet. 451 (2001).
4. T. Ngai, W. J. Qi, R. Sharma, J. Fretwell, X. Chen, J. C. Lee and S. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 76, 502 (2000).
5. K. Roh, S. Yang, B. Hong, Y. Roh, J. Kim and D. Jung, J. Korean Phys. Soc. 40, 103 (2002).
6. S. Gopalan, K. Onishi, R. Nieh, C. S. Rang, R. Choi, H. J. Cho, S. Krishna and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 80, 4416 (2002).
7. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Kwong, J. S. Pan, C. H. Ang, J. Z. Zheng and S. Ramanathan, Appl. Phys. Lett. 81, 376 (2002).
8. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa, Y. Di, J. Kim, R. Carruthers, M. Gibso and T. Furukawa, Tech. Dig.-Int. Electron Dev. Meet. 20, 4, 1 (2001).
9. A. Chin, C. C. Liao, C. H. Lu, W. J. Chen and C. Tsai, Symp. VLSI Tech. Dig., 135 (1999).
10. D. G. Park, H. J. Cho, C. Lim, I. S. Yeo, J. S. Roh, C. T. Kim and J. M. Hwang, VLSI Tech. Symp. 54 (2000).
11. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug and M. A. Gribelyuk, Appl. Phys. Lett. 76, 176 (2000).
12. J. H. Lee, K. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, K. H. Cho, H. S. Shim, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang and J. T. Moon, Tech. Dig.-Int. Electron Dev. Meet. 2000, 645 (2000).
13. T. Lee, J. Ahn, J. Oh, Y. Kim, Y. B. Kim, D. K. Choi and J. Jung, J. Korean Phys. Soc. 42, 272 (2003).
14. S. Choi, J. Koo, H. Jeon and Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 44, 35 (2004).
15. G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
16. S. H. Bae, C. H. Lee, R. Clark and D. L. Kwong, IEEE Electron Dev. Lett. 24, 556 (2003).
17. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Physical Electronics, Inc., Minnesota, 1995) p. 56.
18. B. K. Park, J. Park, M. Cho, C. S. Hwang, K. Oh, Y. Han and D. Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 2368 (2002).