Atomic layer deposition of Lu silicate films using [(Me3Si) 2N]3 Lu

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 11, 2006, Pages

  Scarel, G ^a   Wiemer, C ^a   Tallarida, G ^a   Spiga, S ^a   Seguini, G ^a   Bonera, E ^a   Fanciulli, M ^a   Lebedinskii, Y ^b   Zenkevich, A ^b   Pavia, G ^c   Fedushkin, I L ^d   Fukin, G K ^d   Domrachev, G A ^d  

^a LABORATORIO MDM   (Italy)

^b NATIONAL RESEARCH NUCLEAR UNIVERSITY MEPHI   (Russian Federation)

^c STMICROELECTRONICS   (Italy)

^d G A RAZUVAEV INSTITUTE OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRONIC DENSITY; FILM DENSIFICATION; FILM DEPOSITION; RARE-EARTH SILICATES;

CRYSTALLIZATION; ELECTRODEPOSITION; PERMITTIVITY; RARE EARTHS; SILICATES; STOICHIOMETRY;

THIN FILMS;

EID: 33749586157     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2347109     Document Type: Article

References (47)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
2. G. Lucovsky, Y. Zhang, G. B. Rayner, G. Appel, H. Ade, and J. L. Whitten, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 1739 (2002).
3. H. Iwai and S. Ohmi, Microelectron. Reliab., 42, 465 (2002).
4. G. Scarel, E. Bonera, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Spiga, M. Fanciulli, I. L. Fedushkin, H. Schumann, Y. Lebedinskii, and A. Zenkevich, Appl. Phys. Lett., 85, 630 (2004).
5. G. Seguini, E. Bonera, S. Spiga, G. Scarel, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett., 85, 5316 (2004).
6. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, and E. A. Cartier, J. Appl. Phys., 90, 4587 (2001).
7. M. Ritala and M. Leskelä, Nanotechnology, 10, 19 (1999).
8. G. Scarel, S. Spiga, C. Wiemer, G. Tallarida, S. Ferrari, and M. Fanciulli, Mater. Sci. Eng., B, 109, 11 (2004).
9. This approach is also known for Hf silicates: W.-H. Nam and S.-W. Rhee, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C55 (2004).
10. H. Schumann, J. Meese-Marktscheffel, and H. F. Ekkehardt, J. Organomet. Chem. 0022-328X, 390, 301 (1990); I. Castillo and T. D. Tilley, Organometallics, 20, 5598 (2001).
11. H. Schumann, J. Meese-Marktscheffel, and H. F. Ekkehardt, J. Organomet. Chem. 0022-328X, 390, 301 (1990); I. Castillo and T. D. Tilley, Organometallics, 20, 5598 (2001).
12. J. S. Ghotra, M. B. Hursthouse, and A. J. Welch, J. Chem. Soc., Chem. Commun., 18, 669 (1973).
13. M. Westerhausen, M. Hartmann, A. Pfitzner, and W. Schwarz, Z. Anorg. Allg. Chem., 621, 837 (1995).
14. W. S. Rees, Jr., O. Just, and D. S. Van Derveer, J. Mater. Sci., 9, 249 (1999).
15. R. A. Andersen, D. H. Templeton, and A. Zalkin, Inorg. Chem., 17, 2317 (1978).
16. W. A. Herrmann, R. Anwander, F. C. Munck, W. Scherer, V. Dufaud, N. W. Huber, and G. R. J. Artus, Z. Naturforsch. B, 49b, 1789 (1994).
17. M. Niemeyer, Z. Anorg. Allg. Chem., 628, 647 (2002).
18. (La2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. J. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200304164, 10, 13 (2004); (Gd2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, Y. F. Loo, A. J. Jones, P. R. Chalker, R. J. Potter, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200306310, 10, 301 (2004); (Nd2 O3): Y. F. Loo, R. J. Potter, A. J. Jones, H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, P. R. Chalker, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition, 10, 306 (2004).
19. (La2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. J. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200304164, 10, 13 (2004); (Gd2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, Y. F. Loo, A. J. Jones, P. R. Chalker, R. J. Potter, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200306310, 10, 301 (2004); (Nd2 O3): Y. F. Loo, R. J. Potter, A. J. Jones, H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, P. R. Chalker, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition, 10, 306 (2004).
20. (La2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. J. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200304164, 10, 13 (2004); (Gd2 O3): H. C. Aspinall, J. Gaskell, Y. F. Loo, A. J. Jones, P. R. Chalker, R. J. Potter, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200306310, 10, 301 (2004); (Nd2 O3): Y. F. Loo, R. J. Potter, A. J. Jones, H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, P. R. Chalker, L. M. Smith, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition, 10, 306 (2004).
21. H. C. Aspinall, P. A. Williams, J. Gaskell, A. C. Jones, J. L. Roberts, L. M. Smith, P. R. Chalker, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200304160, 9, 7 (2003); A. C. Jones, P. A. Williams, P. R. Chalker, S. Taylor, A. Zoolfaker, L. M. Smith, and P. McGraw, Integr. Ferroelectr., 57, 1271 (2003).
22. H. C. Aspinall, P. A. Williams, J. Gaskell, A. C. Jones, J. L. Roberts, L. M. Smith, P. R. Chalker, and G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 0948-1907 10.1002/cvde.200304160, 9, 7 (2003); A. C. Jones, P. A. Williams, P. R. Chalker, S. Taylor, A. Zoolfaker, L. M. Smith, and P. McGraw, Integr. Ferroelectr., 57, 1271 (2003).
23. D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc., Chem. Commun. 0022-4936, 6, 349 (1972); D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 0300-9246, 10, 1021 (1973); D. C. Bradley and J. S. Ghotra, Inorg. Chim. Acta, 13, 11 (1975).
24. D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc., Chem. Commun. 0022-4936, 6, 349 (1972); D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 0300-9246, 10, 1021 (1973); D. C. Bradley and J. S. Ghotra, Inorg. Chim. Acta, 13, 11 (1975).
25. D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc., Chem. Commun. 0022-4936, 6, 349 (1972); D. C. Bradley, J. S. Ghotra, and F. A. Hart, J. Chem. Soc. Dalton Trans. 0300-9246, 10, 1021 (1973); D. C. Bradley and J. S. Ghotra, Inorg. Chim. Acta, 13, 11 (1975).
26. R. Anwander, Top. Curr. Chem., 179, 33 (1996).
27. K. Kukli, M. Ritala, V. Pore, M. Leskelä, T. Sajavaara, R. I. Hegde, D. C. Gilmer, P. J. Tobin, A. C. Jones, and H. C. Aspinall, Chem. Vap. Deposition, 12, 158 (2006).
28. G. Scarel, Unpublished work.
29. K. Kukli, M. Ritala, T. Pilvi, T. Sajavaara, M. Leskelä, A. C. Jones, H. C. Aspinall, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin, Chem. Mater., 16, 5162 (2004).
30. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, L. B. La, J. Baker, C. Garza, T. Guenther, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1773840, 22, 2121 (2004); The stoichiometry was determined using XPS and the results discussed in D. H. Triyoso, R. I. Hegde, J. M. Grant, J. K. Schaeffer, D. Roan, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 288 (2005).
31. D. H. Triyoso, R. I. Hegde, J. Grant, P. Fejes, R. Liu, D. Roan, M. Ramon, D. Werho, R. Rai, L. B. La, J. Baker, C. Garza, T. Guenther, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B 0734-211X 10.1116/1.1773840, 22, 2121 (2004); The stoichiometry was determined using XPS and the results discussed in D. H. Triyoso, R. I. Hegde, J. M. Grant, J. K. Schaeffer, D. Roan, B. E. White, Jr., and P. J. Tobin, J. Vac. Sci. Technol. B, 23, 288 (2005).
32. W. He, S. Schuetz, R. Solanki, J. Belot, and J. McAndrew, Electrochem. Solid-State Lett., 7, G131 (2004).
33. A. C. Jones, H. C. Aspinall, P. R. Chalker, R. J. Potter, K. Kukli, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskelä, Mater. Sci. Eng., B, 118, 97 (2005).
34. Yu. Lebedinskii and A. Zenkevich, J. Vac. Sci. Technol. A, 22, 2261 (2004).
35. A. Gibaud, in X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications, J. Daillant, and, A. Gibaud, Editors, Springer-Verlag, Berlin (1999).
36. Yu. A. Teterin and A. Yu. Teterin, Russ. Chem. Rev., 71, 401 (2002).
37. B. D. Padalia, W. C. Lang, P. R. Norris, L. M. Watson, and D. J. Fabian, Proc. R. Soc. London, Ser. A, 354, 296 (1977).
38. P. Morgen, U. Hofer, W. Wurth, and E. Umbach, Phys. Rev. B, 39, 3720 (1989).
39. J. P. Espinos, A. R. Gonzalez-Elipe, and J. A. Odriozola, Appl. Surf. Sci., 29, 40 (1987).
40. J. Niinistö, M. Putkonen, L. Niinistö, K. Kukli, M. Ritala, and M. Leskelä, J. Appl. Phys., 95, 84 (2004).
41. G. B. Rayner, Jr., D. Kang, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B, 21, 1783 (2003).
42. ICSD, Inorganic Crystal Structure Database (2004), Fachinformationzentrum Karlsruhe, File no. 412249 for Lu2 Si2 O7, File no. 279584 for Lu2Si O5 C2 c, and File no. 89624 for Lu2 Si O5 P 21 c.
43. S. Elliott, G. Scarel, C. Wiemer, M. Fanciulli, Y. Lebedinskii, A. Zenkevich, and I. L. Fedushkin, in Fifteenth European Conference on Chemical Vapor Deposition, EUROCVD15, A. Devi, R. Fischer, H. Parala, M. D. Allendorf, and, M. Hitchman, Editors, PV 2005-09, 605 The Electrochemical Society., Pennington, NJ (2005).
44. E. Bonera, G. Scarel, M. Fanciulli, P. Delugas, and V. Fiorentini, Phys. Rev. Lett., 94, 027602 (2005).
45. C. Martinet and R. A. B. Devine, J. Appl. Phys., 77, 4343 (1995).
46. A. Van der Lee, J. Durand, D. Blin, Ph. Holliger, and F. Martin, Eur. Phys. J. B, 39, 273 (2004).
47. B. P. Dinte, G. S. Watson, J. F. Dobson, and S. Myhra, Ultramicroscopy, 63, 115 (1996).