Growth of neodymium oxide thin films by liquid-injection MOCVD using a new neodymium alkoxide precursor

Chemical Vapor Deposition

Volumn 10, Issue 6, 2004, Pages 306-310

  Loo, Yim Fun ^a   Potter, Richard J ^a   Jones, Anthony C ^a   Aspinall, Helen C ^a   Gaskell, Jeffrey M ^a   Chalker, Paul R ^a   Smith, Lesley M ^b   Critchlow, Gary W ^c  

^a UNIVERSITY OF LIVERPOOL   (United Kingdom)

^b Epichem Oxides and Nitrides   (United Kingdom)

^c LOUGHBOROUGH UNIVERSITY   (United Kingdom)

Author keywords

Liquid injection MOCVD; Neodymium alkoxide precursor; Neodymium oxide

Indexed keywords

CAPACITANCE; ELECTRON TUNNELING; FILM GROWTH; LEAKAGE CURRENTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MOSFET DEVICES; PASSIVATION; PHYSICAL VAPOR DEPOSITION; THERMODYNAMIC STABILITY; THIN FILMS;

LIQUID INJECTION MOCVD; NEODYMIUM ALKOXIDE PRECURSORS; NEODYMIUM OXIDE; SUBSTRATE TEMPERATURES;

NEODYMIUM COMPOUNDS;

EID: 11444260527     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/cvde.200406313     Document Type: Article

References (46)

1. A. Packan, Science 1999, 285, 2079.
2. G. D. Wilk, R. M. Wallace, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
3. T. M. Klein, D. Niu, W. S. Epling, W. Li, D. M. Maher, C. C. Hobbs, R. I. Hedge, I. J. R. Baumvol, G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4001.
4. M. Copel, M. A. Gribelyuk, E. Gusev, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 436.
5. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W.-J. Qi, J. C. Lee. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1926.
6. G. D. Wilk, R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 2854.
7. G. D. Wilk, R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 112.
8. G. D. Wilk, M. L. Green, M.-Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorsch, F. P. Klemens, B. Brijs, R. B. van Dover, A. Kornblit, T. Gustaffson, E. Garfunkel, S. Hellenius, D. Monroe, P. Kalavade, J. M. Hergenrother. Tech. Dig. VLSI Symp. 2002, 88.
9. P. A. Marshall, R. J. Potter, A. C. Jones, P. R. Chalker, S. Taylor, G. W. Critchlow, S. A. Rushworth, Chem. Vap. Deposition, in press.
10. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, C. M. Kwei, IEEE Electron. Device Lett. 2000, 27, 341.
11. H. J. Osten, J. P. Liu, H. J. Mussig, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 297.
12. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. T. Queeney, Y. J. Cabal, J. P. Mannaerts, T. Boone, J. J. Krajewski, A. M. Sergent, J. M. Rosamilia, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 130.
13. J. A. Gupta, D. Landheer, J. P. McCaffrey, G. F. I. Sproule, Appl. Phys. Lett. 2001, 75, 1718.
14. M. D. Kannan, S. K. Narayandass, C. Balasubramanian, D. Mangalaraj, Phys. Status Solidi A 1991, 128, 427.
15. M. Hong, J. Kwo, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, Science 1999, 283, 1897.
16. V. S. Dharmadhikari, A. Goswami, Thin Solid Films 1982, 87, 119.
17. V. S. Dharmadhikari, Ph.D. Thesis, Poona University, India 1980.
18. M. D. Kannan, S. K. Narayandass, C. Balasubramanian, D. Mangalaraj, Phys. Status Solidi A 1990, 121, 515.
19. M. D. Kannan, S. K. Narayandass, C. Balasubramanian, D. Mangalaraj, J. Mater. Sci. 1992, 27, 5040.
20. M. V. Cabanas, C. V. Ragel, F. Conde, J. M. Gonzalez-Calbet, M. Vallet-Regi, Solid State Ionics 1997, 101-103, 191.
21. J. McAleese, J. C. Plakatouras, B. C. H. Steele, Thin Solid Films 1996, 286, 64.
22. R. Lo Nigro, R. Toro, G. Malandrino, V. Raaineri, I. Fragalà, Electrochem. Soc. Proc. 2003, 2003-08, 915.
23. S.-W. Kang, S.-W. Rhee, J. Electrochem. Soc. 2002, 149, C345.
24. M. Langlet, R. D. Shannon, Thin Solid Films 1990, 186, LI.
25. S. Chavalier, G. Bonnet, J. P. Larpin, Appl. Surf. Sci. 2000, 167, 125.
26. A. C. Jones, J. Mater. Chem. 2002, 12, 2576.
27. D. C. Bradley, R. C. Mehrotra, D. P. Gaur, Metal Alkoxides, Academic Press, New York 1978.
28. W. A. Herrmann, N. W. Huber, O. Runte. Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995, 34, 2187.
29. P. A. Williams, J. L. Roberts, A. C. Jones, P. R. Chalker, N. L. Tobin, J. F. Bickley, H. O. Davies, L. M. Smith, T. J. Leedham, Chem. Vap. Deposition 2002, 8, 163.
30. R. Anwander, F. C. Munck, T. Preiermeier, W. Scherer, O. Runte, W. A. Herrmann. Inorg. Chem. 1997, 36, 3545.
31. H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. C. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, J. F. Bickley, L. M. Smith, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2003, 9, 235.
32. H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. C. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 83.
33. H. C. Aspinall, J. Gaskell, P. A. Williams, A. C. Jones, P. R. Chalker, P. A. Marshall, L. M. Smith, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2004, 10, 13.
34. H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, Y. F. Loo, A. C. Jones, P. R. Chalker, R. J. Potter, L. M. Smith, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2004, 70, 301.
35. (a) P. A. Williams, A. C. Jones, H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, P. R. Chalker, P. A. Marshall, Y. F. Loo, L. M. Smith, presented at MRS Fall Meeting, Boston, MA, December 2003.
36. (b) P. A. Williams, A. C. Jones, H. C. Aspinall, J. M. Gaskell, P. R. Chalker, P. A. Marshall, Y. F. Loo, L. M. Smith, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., in press.
37. S. Daniele, L. G. Hubert-Pfalzgraf, P. B. Hitchcock, M. F. Lappert. Inorg. Chem. Commun. 2000, 3, 218.
38. P. A. Williams, A. C. Jones, M. J. Crosbie, P. J. Wright, J. F. Bickley, A. Steiner, H. O. Davies, T. J. Leedham, G. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 2001, 7, 205.
39. S. Horii, K. Yamamoto, M. Asai, H. Miya, M. Niwa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 2003, 42, 5176.
40. M. J. Crosbie, P. J. Wright, H. O. Davies, A. C. Jones, T. J. Leedham, P. O'Brien, G. W. Critchlow, Chem. Vap. Deposition 1999, 5, 9.
41. A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, K. A. Fleeting, D. J. Otway, P. O'Brien, M. E. Pemble, J. Mater. Chem. 1998, 8, 1773.
42. I. Warshaw, J. Roy. Phys. Chem. 1961, 65, 2048.
43. R. Anwander, F. C. Munck, T. Preiermeier, W. Scherer, O. Runte, W. A. Hermann, Inorg. Chem. 1997, 36, 3545.
44. D.C. Bradley, J. S. Ghotra, F. A. Hart, J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1973, 1021.
45. C. P. Carter, M. D. Taylor, J. Inorg. Nucl. Chem. 1962, 24, 387.
46. A. C. Jones, T. J. Leedham, P. J. Wright, M. J. Crosbie, P. A. Lane, D. J. Williams, K. A. Fleeting, D. J. Otway, P. O'Brien, Chem. Vap. Deposition 1998, 46, 46.