Fluorine in preamorphized Si: Point defect engineering and control of dopant diffusion

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 10, 2006, Pages

  Impellizzeri, G ^a   Mirabella, S ^a   Priolo, F ^a   Napolitani, E ^b   Carnera, A ^b  

^a UNIVERSITY OF CATANIA   (Italy)

^b UNIVERSITY OF PADOVA   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; CRYSTALLINE MATERIALS; DIFFUSION; DOPING (ADDITIVES); POINT DEFECTS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS;

DOPANT DIFFUSION; SOLID PHASE EPITAXY (SPE); TRANSIENT EFFECT;

FLUORINE;

EID: 33744819204     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2199047     Document Type: Article

References (51)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS, http://public.itrs.net
2. W. K. Hofker, H. W. Werner, D. P. Oosthoek, and H. A. M. de-Grefte, Appl. Phys. 2, 165 (1973).
3. S. C. Jain, W. Schoenmaker, R. Lindsay, P. A. Stolk, S. Decoutere, M. Willander, and H. E. Maes, J. Appl. Phys. 91, 8919 (2002), and references therein.
4. D. J. Eaglesham, P. A. Stolk, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 65, 2305 (1994).
5. N. E. B. Cowern, G. F. A. van de Walle, P. C. Zalm, and D. W. E. Vandenhoudt, Appl. Phys. Lett. 65, 2981 (1994).
6. I. Avci, M. Law, E. Kuryliw, A. F. Saavedra, and K. S. Jones, J. Appl. Phys. 95, 2452 (2004).
7. C. Bonafos, D. Mathiot, and A. Claverie, J. Appl. Phys. 83, 3008 (1998).
8. A. Claverie, L. Laânab, C. Bonafos, C. Bergaud, A. Martinez, and D. Mathiot, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 84, 190 (1994).
9. R. G. Wilson, J. Appl. Phys. 54, 6879 (1983).
10. G. Fuse, T. Hirao, K. Inoue, S. Takayanagi, and Y. Yaegashi, J. Appl. Phys. 53, 3650 (1982).
11. M. Y. Tsai and B. G. Streetman, J. Appl. Phys. 50, 183 (1979).
12. T. H. Huang, H. Kinoshita, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 65, 1829 (1994).
13. E. N. Shauly and S. Lachman-Shalem, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 592 (2004).
14. B. J. Pawlak, R. Surdeanu, B. Colombeau, A. J. Smith, N. E. B. Cowern, R. Lindsay, W. Vandervorst, B. Brijis, O. Richard, and F. Cristiano, Appl. Phys. Lett. 84, 2055 (2004).
15. N. E. B. Cowern, B. Colombeau, J. Benson, A. J. Smith, W. Lerch, S. Paul, T. Graf, F. Cristiano, X. Hebras, and D. Bolze, Appl. Phys. Lett. 86, 101905 (2005).
16. D. F. Downey, J. W. Chow, E. Ishida, and K. S. Jones, Appl. Phys. Lett. 73, 1263 (1998).
17. Y.-J. Park and J.-J. Kim, J. Appl. Phys. 85, 803 (1999).
18. A. Mokhberi, R. Kasnavi, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Appl. Phys. Lett. 80, 3530 (2002).
19. G. Impellizzeri, J. H. R. dos Santos, S. Mirabella, F. Priolo, E. Napolitani, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. 84, 1862 (2004).
20. S. Mirabella, G. Impellizzeri, E. Bruno, L. Romano, M. G. Grimaldi, F. Priolo, E. Napolitani, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. 86, 121905 (2005).
21. G. Impellizzeri, Ph.D. thesis, University of Catania, 2004.
22. G. Impellizzeri, J. H. R. dos Santos, S. Mirabella, E. Napolitani, A. Carnera, and F. Priolo, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 230, 220 (2005).
23. T. Sands, J. Washburn, R. Gronsky, W. Maszara, D. K. Sadana, and G. A. Rozgonyi, Appl. Phys. Lett. 45, 982 (1984).
24. J. Narayan, O. W. Holland, W. H. Christie, and J. J. Wortman, J. Appl. Phys. 57, 2709 (1985).
25. I. W. Wu and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 58, 3032 (1985).
26. C. W. Nieh and L. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 48, 1528 (1986).
27. C. W. Nieh and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 60, 3114 (1986).
28. C. W. Nieh and L. J. Chen, J. Appl. Phys. 60, 3546 (1986).
29. C. H. Chu, J. J. Yang, and L. J. Chen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 74, 138 (1993).
30. J. J. Yang and L. J. Chen, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 121, 291 (1997).
31. Cs. Szeles, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K. G. Lynn, M. Anderle, T. P. Ma, and G. W. Rubloff, J. Appl. Phys. 76, 3403 (1994).
32. X. D. Pi, C. P. Burrows, and P. G. Coleman, Phys. Rev. Lett. 90, 015901 (2003).
33. P. J. Simpson, Z. Jenei, P. Asoka-Kumar, R. R. Robison, and M. E. Law, Appl. Phys. Lett. 85, 1538 (2004).
34. G. M. Lopez, V. Fiorentini, G. Impellizzeri, S. Mirabella, and E. Napolitani, Phys. Rev. B 72, 045219 (2005).
35. H. A. W. El Mubarek and P. Ashburn, Appl. Phys. Lett. 83, 4134 (2003).
36. H. A. W. El Mubarek, J. M. Bonar, G. D. Dilliway, P. Ashburn, M. Karunaratne, F. Willoughby, Y. Wang, P. L. F. Hemment, R. Price, J. Zhang, and P. Ward, J. Appl. Phys. 96, 4114 (2004).
37. M. N. Kham, H. A. W. El Mubarek, J. M. Bonar, and P. Ashburn, Appl. Phys. Lett. 87, 011902 (2005).
38. U. Gösele, P. Laveant, R. Scholz, N. Engler, and P. Werner, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 610, B7.1 (2000).
39. P. A. Stolk, D. J. Eaglesham, H.-J. Gossmann, and J. M. Poate, Appl. Phys. Lett. 66, 1370 (1995).
40. E. Napolitani, A. Coati, D. De Salvador, A. Carnera, S. Mirabella, S. Scalese, and F. Priolo, Appl. Phys. Lett. 79, 4145 (2001).
41. S. Mirabella, A. Coati, D. De Salvador, E. Napolitani, A. Mattoni, G. Bisognin, M. Berti, A. Carnera, A. V. Drigo, S. Scalese, S. Pulvirenti, A. Terrasi, and F. Priolo, Phys. Rev. B 65, 045209 (2002).
42. J. F. Ziegler, J. P. Biersack, and U. Littmark, The Stopping and Range of Ions in Matter (Pergamon Press, New York, 1985).
43. M. Y. Tsai, D. S. Day, B. G. Streetman, P. Williams, and C. A. Evans, Jr., J. Appl. Phys. 50, 188 (1979).
44. I. Suni, U. Shreter, M.-A. Nicolet, and J. E. Baker, J. Appl. Phys. 56, 273 (1984).
45. A. J. Walker, J. Appl. Phys. 71, 2033 (1992).
46. S.-P. Jeng, T.-P. Ma, R. Canteri, M. Anderle, and G. W. Rubloff, Appl. Phys. Lett. 61, 1310 (1992).
47. G. R. Nash, J. F. W. Schiz, C. D. Marsh, P. Ashburn, and G. R. Booker, Appl. Phys. Lett. 75, 3671 (1999).
48. G. L. Olson, and J. A. Roth, Mater. Sci. Rep. 3, 1 (1988), and references therein.
49. Y. M. Haddara, B. T. Folmer, M. E. Law, and T. Buyuklimanli, Appl. Phys. Lett. 77, 1976 (2000).
50. N. E. B. Cowern, K. T. F. Janssen, G. F. A. van de Walle, and D. J. Gravesteijn, Phys. Rev. Lett. 65, 2434 (1990).
51. M. Diebel and S. T. Dunham, Phys. Rev. Lett. 93, 245901 (2004).