Two different features of ZnO: Transparent ZnO:Ga electrodes for InGaN-LEDs and homoepitaxial ZnO films for UV-LEDs

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6122, Issue , 2006, Pages

  Nakahara, K ^a   Yuji, H ^a   Tamura, K ^a   Akasaka, S ^a   Tampo, H ^b   Niki, S ^b   Tsukazaki, A ^c   Ohtomo, A ^c   Kawasaki, M ^c  

^a ROHM CO LTD   (Japan)

^b NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^c TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTRODES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OHMIC CONTACTS; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DOPING; SUBSTRATES; ZINC OXIDE;

GROWTH TEMPERATURES; HOMOEPITAXY; NITROGEN CONCENTRATIONS; SAPPHIRE SUBSTRATES;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33646722820     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.660552     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. S. Nakamura and G. Fosal, The Blue Laser Diodes: GaN based Light Emitters and Lasers, Springer, Berlin, 1997
2. P. Schlotter, R. Schmidt, J. Schneider, Appl. Phys. A 64, 417 (1997)
3. P. Schlotter, J. Baur, Ch. Hielscher, M. Kunzer, H. Obloh, R. Schmidt, J. Schneider, Mater. Sci. Eng. B 59, 390 (1999)
4. E. F. Schubert, Light Emitting Diodes, Cambridge Univ. Pres., (2002)
5. K. Nakahara, K.Tamura, M. Sakai, D. Nakagawa, N. Ito, M. Sonobe, H. Takasu, H. Tampo, P. Fons, K. Matsubara, K. Iwata, A. Yamada, and S. Niki, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L180 (2004)
6. S. Y. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, J. Vac. Sci. Tech. B 22, 1851 (2004)
7. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 84, 855 (2004)
8. R. L. Horng, Y. C. Lien, W. C. Peng, D. S. Wuu, C. Y. Tseng, C. H. Seieh, M. F. Huang, S. J. Tsai, andJ. S. R. Liu, Jpn. J. Appl. Phys. Parti 40, 2747 (2001)
9. M. Yamada, Y. Narukawa, H Tamaki, Y. Murazaki, T Mukai, IEICE Trans.on Electronics E88C, 1860 (2005)
10. I. H. Tan D.A.Vanderwater, J. W. Huang, G.E. Hofler, F. A. Kish, E. I. Chen, and T.D. Ostentowski, J. Elec. Mater. 29, 188 (2000)
11. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, K. K. Shih, Appl. Phys. Lett. 76 1275 (1999)
12. C.Y. Hu, Z. X. Qin, Z.Z. Chen, Z.J. Yang, T.J. Yu, X.D. Hu, K. Wu, Q.J. Jib, H.H. Wang and G.Y. Zhang, J. Cryst. Growth 285, 333 (2005)
13. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1992)
14. Y. Nakagawa, M. Haraguchi, M. Fukui, S. Tanaka, A. Sakaki, K. Kususe, N. Hosokawa, T. Takehara, Y. Morioka, H. Iijima, M. Kubota, M. Abe, T. Mukai, H. Takagi, and G. Shinomiya, Jpn. J. Appl. Phys. 43, 23 (2004)
15. T. Mragalith, O. Buchinsky, D. A. Cohen, A. C. Abare, M. Hansen, S. P. DenBaars, and L. A. Coldren, Appl. Phys. Lett. 74, 3930 (1999)
16. S. Y. Kim, H. W. Jang, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 61 (2001)
17. D. S. Leem, J. Cho, C. Sone, Y. Park, T. Y. Seong, J. Appl. Phys. 98, 076107 (2005)
18. K. M. Changa, J. Y. Chua, and C. C. Chengb, Solid-State Electron. 49, 1381 (2005)
19. M. Hagerott, H. Jeon, A. V. Nurmikko, W. Xie, D. C. Grillo, M. Kobayashi, and R. L. Gunshor, Appl. Phys. Lett. 60, 2825 (1992)
20. C. T. Lee, Q. X. Yu, B. T. Tang, H. Y. Lee, and F. T. Hwang, Appl. Phys. Lett. 78, 3412 (2001)
21. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 83, 479 (2003)
22. C. L. Tseng, M. J. Youh, G. P. Moore, M. A. Hopkins, R. Stevens, and W. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 3677 (2003)
23. M. A. L. Johnson, S. Fujita, W. H. Rowland, Jr., W. C. Hughes, J. W. Cook, Jr.,and J. F. Schetzina, J. Electron. Mater. 25, 855 (1996)
24. T. Mukai, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5735 (1999)
25. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996)
26. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 44, L64(2005)
27. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nature Mater. 4, 42 (2005)
28. S. K. Hong, T. Hanada, H. J. Ko, Y. Chen, T. Yao, D. Imai, K. Araki, and M. Shinohara, Appl. Phys. Lett. 77, 3571 (2000)
29. H. Kato, K. Miyamoto, M Sano, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 84, 4562 (2004). MgO buffer layer polarity
30. H. Tampo, P. Fons, A. Yamada, K. K. Kim, H. Shibata, K. Matsubara, S. Niki, H. Yoshikawa, and H. Kanie, Appl. Phys. Lett. 87, 141904 (2005)
31. K. Nakahara, H. Takasua, P. Fons, A. Yamada, K. Iwata, K. Matsubara, R. Hunger, and S. Niki, J. Cryst. Growth 237, 503 (2002)
32. M. McLaurin, T. E. Mates, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 86, 262104 (2005)
33. A. Charaborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L 173 (2005)