Temperature dependent photoreflectance and photoluminescence characterization of GaInNAs/GaAs single quantum well structures

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 11, 2004, Pages 6298-6305

  Chen, T H ^a   Huang, Y S ^a   Lin, D Y ^b   Tiong, K K ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION   (Taiwan)

^c NATIONAL TAIWAN OCEAN UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; EXCITONS; OSCILLATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; REFRACTIVE INDEX; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

CARRIER LOCALIZATIONS; FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS (FKO); PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION (PLE); QUANTUM WELL STRUCTURES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 23944476035     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1805724     Document Type: Article

References (61)

1. S. Fahy and E. P. O'Reilly, Appl. Phys. Lett. 83, 3731 (2003).
2. G. Patriarche, L. Largeau, J.-C. Harmand, and D. Gollub, Appl. Phys. Lett. 84, 203 (2004).
3. M. M. E. Fahmi et al., J. Appl. Phys. 94, 7576 (2003).
4. H. D. Sun, M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Yu. Egorov, D. Bemklau, and H. Riechert, J. Appl. Phys. 92, 1380 (2002).
5. A. Y. Polyakov et al., Solid-State Electron. 46, 2147 (2002).
6. J.-M. Chauveau, A. Trampert, K. H. Ploog, M.-A. Pinault, and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 82, 3451 (2003).
7. M. Hetterich, A. Grau, A. Y. Egorov, and H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 1810 (2003).
8. B. Q. Sun, D. S. Jiang, Z. Pan, L. H. Li, and R. H. Wu, Appl. Phys. Lett. 77, 4148 (2000).
9. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 79, 54 (2001).
10. N. Tansu, A. Quandt, M. Kanskar, W. Mulhearn, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 18 (2003).
11. D. A. Livshits, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Electron. Lett. 36, 1381 (2000).
12. S. Sato, Y. Osawa, T. Saitoh, and I. Fujimura, Electron. Lett. 33, 1386 (1997).
13. D. Gollub, M. Fischer, M. Kamp, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 81, 4330 (2002).
14. N. Tansu and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 82, 1500 (2003).
15. E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, M. Dumitrescu, P. J. Klar, S. Karirinne, Y. Fedorenko, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 83, 1497 (2003).
16. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, N. Tansu, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 2742 (2003).
17. H. Y. Liu, M. Hopkinson, P. Navaretti, M. Gutierrez, J. S. Ng, and J. P. R. David, Appl. Phys. Lett. 83, 4951 (2003).
18. V. M. Ustinov, A. Y. Egorov, V. A. Odnoblyudov, N. V. Kryzhanovskaya, Y. G. Musikhin, A. F. Tsatsul' nikov, and Z. I. Alferov, J. Cryst. Growth 251, 388 (2003).
19. W. J. Fan and S. F. Yoon, J. Appl. Phys. 90, 843 (2001).
20. K. D. Choquette el al., Electron. Lett. 36, 1388 (2000).
21. V. A. Odnoblyudov, A. Y. Egorov, A. R. Kovsh, V. V. Mamutin, E. V. Nikitina, Y. M. Shernyakov, M. V. Maksimov, and V. M. Ustinov, Tech. Phys. Lett. 29, 433 (2003).
22. C. Skierbiszewski, Semicond. Sci. Technol. 17, 803 (2002).
23. C. Skierbiszewski et al., Appl. Phys. Lett. 76, 2409 (2000).
24. L. Grenouillet, C. B.-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. C.-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
25. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, S. Tomic, M. Kamal-Saadi, A. R. Adams, and E. P. O'Reilly, Phys. Rev. B 66, 165321 (2002).
26. T. Mattila, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 60, R11245 (1999).
27. A. Lindsay and E. P. O'Reilly, Solid State Commun. 112, 443 (1999).
28. C. Skierbiszewski et al.,Phys. Status Solidi B 216, 135 (1999).
29. C. Skierbiszewski et al., Phys. Rev. B 65, 35207 (2002).
30. J. B. Heroux, X. Yang, and W. I. Wang, J. Appl. Phys. 92, 4361 (2002).
31. H. P. Xin, K. L. Kavanagh, Z. Q. Zhu, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 74, 2337 (1999).
32. H. D. Sun, M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Y. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechen, J. Appl. Phys. 92, 1380 (2002).
33. H. D. Sun, M. D. Dawson, M. Othman, J. C. L. Yong, J. M. Rorison, P. Gilet, L. Grenouillet, and A. Million, Appl. Phys. Lett. 82, 376 (2003).
34. R. Kudrawiec, G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, P. Sundgren, C. Asplund, and M. Hammar, Solid State Commun. 127, 613 (2003).
35. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 76, 188 (2000).
36. G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Thin Solid Films 380, 240 (2000).
37. O. J. Glembocki and B. V. Shanabrook, in Semiconductors and Semimetals, edited by D. G. Seiler and C. L. Littler (Academic, New York, 1992), Vol. 36, p. 222.
38. H. Shen, P. Parayanthal, Y. F. Liu, and F. H. Pollak, Rev. Sci. Instrum. 58, 1429 (1987).
39. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Appl. Phys. Lett. 80, 2087 (2002).
40. J. B. Herous, X. Yang, and W. I. Wang, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 92 (2003).
41. F. H. Pollak, and H. Shen, Mater. Sci. Eng., R. 10, 275 (1993).
42. H. Mathieu, J. Allegre, and B. Gil, Phys. Rev. B 43, 2218 (1991).
43. D. E. Aspnes, in Handbook on Semiconductors, edited by M. Balkanski (North-Holland, Amsterdam, 1980), p. 109.
44. D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 7, 4605 (1973).
45. H. Shen, et al., Appl. Phys. Lett. 60, 2400 (1992).
46. S. Mazzucato et al., J. Appl. Phys. 93, 2440 (2003).
47. Z. Pan, L. H. Li, Y. W. Lin, B. Q. Sun, D. S. Jiang, and W. K. Ge, Appl. Phys. Lett. 78, 2217 (2001).
48. R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, L. H. Li, and J. C. Harmand, Appl. Phys. Lett. 83, 1379 (2003).
49. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 34, 149 (1967).
50. P. Lautenschlager, M. Garriga, and M. Cardona, Phys. Rev. B 36, 4813 (1987).
51. P. Lautenschlager, M. Garriga, S. Logothetidis, and M. Cardona, Phys. Rev. B 35, 9174 (1987).
52. P. Sitarek, K. Ryczko, G. Sek, J. Misiewicz, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Solid-State Electron. 47, 489 (2003).
53. M.-A. Pinault and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 78, 1562 (2001).
54. W. S. Chi, Y. S. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, D. G. Pettit, and J. M. Woodall, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 966 (1994).
55. Z. Hang, D. Yan, F. H. Pollak, G. D. Pettit, and J. M. Woodall, Phys. Rev. B 44, 10546 (1991).
56. S. Shirakata, M. Kondow, and T. Kitatani, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 2082 (2002).
57. C. K. Kim and Y. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 79, 3038 (2001).
58. M. O. Manasreh, D. J. Friedman, W. Q. Ma, C. L. Workman, C. E. George, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 82, 514 (2003).
59. D. Y. Lin, F. C. Lin, Y. S. Huang, H. Qiang, F. H. Pollak, D. L. Mathine, and G. N. Maracas, J. Appl. Phys. 79, 460 (1996).
60. K. F. Huang, K. Tai, S. N. G. Chu, and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 54, 2026 (1989).
61. A. Hoffmann, R. Heitz, A. Kaschner, T. Luttgert, H. Born, A. Y. Egorov, and H. Riechert, Mater. Sci. Eng., B 93, 55 (2002).